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小电子
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电梯直达
长电科技研发的P沟道MOSFET。
VDS最大值=-12V，ID最大值=-16A。
特点：采用先进沟槽技术，低导通电阻（21mΩ@-4.5V ）、低Qg值（60nC）、低门极开启电压（-0.7V），封装大小只有2mm*2mm。
目前，该型号的导通电阻是商城在售的长电品牌所有P沟道MOSFET里最低的。
适合手机、平板电脑用，高性价比！适合于PWM应用、负载开关（Load Switch）、手机电池充电等应用。
宝贝地址： http://www.szlcsc.com/product/details_90451.html
其余参数如下：
①黄花No.907 ②FPGA芯片EP4CE6E22C8N ③万用表Fluke15B+ ④LED恒流源LM2733XMF/NOPB⑤CJT1117B-5.0
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zhenhua
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3#
感觉这里能够发现越来越多的好家伙了
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发表于2016-11-28 00:04:10
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