查看: 516  |  回复: 0
NCE30H12K TO252 VDS =30V,ID =120A
芯片之家
2
主题
1
回复
发表于2018-05-15 08:58:54 | 显示全部楼层
1# 电梯直达



The NCE30H12K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.


General Features
●  VDS =30V,ID =120A
RDS(ON) <3.5mΩ @ VGS=10V (Typ:3.0mΩ)
●  High density cell design for ultra low Rdson
●  Fully characterized avalanche voltage and current
●  Good stability and uniformity with high EAS
●  Excellent package for good heat dissipation
●  Special process technology for high ESD capability


更多资料,请查看PDF资料


主题

回复
  • 温馨提示: 标题不合格、重复发帖、发布广告贴,将会被删除帖子或禁止发言。 详情请参考: 社区发帖规则
  • 您当前输入了 0 个文字。还可以输入 8000 个文字。 已添加复制上传图片功能,该功能目前仅支持chrome和火狐

禁言/删除

X
请选择禁言时长:
是否清除头像:
禁言/删除备注:
昵 称:
 
温馨提示:昵称只能设置一次,设置后无法修改。
只支持中文、英文和数字。

举报

X
请选择举报类型:
请输入详细内容:

顶部