3V就可以完全控制导通的N-MOS管(60V/12A) - 立创社区

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3V就可以完全控制导通的N-MOS管(60V/12A)

伟伟

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发表于2017-01-07 22:34:32 | 显示全部楼层

1# 电梯直达

型号：STD12NF06LT4

制造商: STMicroelectronics
安装风格: SMD/SMT
封装: TO-252-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 12 A
Rds On-漏源导通电阻: 80 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: ±16 V
最大工作温度: + 175 ℃

最小工作温度: - 55 ℃

Pd-功率耗散: 30 W

从这款芯片的特性曲线可知，他的优势就在于栅源电压3V就能控制导通，适合于3.3V主芯片的IO口直接输出控制的场合，从而简化外围器件。

采购网址：http://www.szlcsc.com/product/details_93709.html

STD12NF06LT4，3V就可以完全控制导通的12A N-MOS管。http://club.szlcsc.com/article/details_1796_1.html

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rgwan

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发表于2017-06-12 09:15:13 | 显示全部楼层

2#

讲真不如AON6512/IRF8736/PSMN1R8

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rgwan

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发表于2017-07-23 22:10:47 | 显示全部楼层

6#

发表于2017-06-12 12:01:09 3# 你推荐这些都不能替代，低电压导通不是理想工作点，还有耐压都不够，要接24V的感性负载你试试？当然也希望大家推荐能替代的价...

你这个工作点也不理想。3V也就14A，内阻很高。AON6512之类的2.5V内阻就已经10m以下了。特性比你这个好。

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