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3V就可以完全控制导通的N-MOS管(60V/12A)
伟伟
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发表于Sat Jan 07 22:34:32 CST 2017   |  只看该作者 1# 电梯直达

型号:STD12NF06LT4

制造商: STMicroelectronics
安装风格: SMD/SMT
封装: TO-252-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 12 A
Rds On-漏源导通电阻: 80 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: ±16 V
最大工作温度: + 175 ℃

最小工作温度: - 55 ℃

Pd-功率耗散: 30 W

 

从这款芯片的特性曲线可知,他的优势就在于栅源电压3V就能控制导通,适合于3.3V主芯片的IO口直接输出控制的场合,从而简化外围器件。

采购网址:http://www.szlcsc.com/product/details_93709.html

STD12NF06LT4,3V就可以完全控制导通的12A N-MOS管。http://club.szlcsc.com/article/details_1796_1.html
rgwan
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发表于Mon Jun 12 09:15:13 CST 2017   |  只看该作者 2#
讲真不如AON6512/IRF8736/PSMN1R8
伟伟
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发表于Mon Jun 12 12:01:09 CST 2017   |  只看该作者 3#
rgwan 发表于 Mon Jun 12 09:15:13 CST 2017  2# 讲真不如AON6512/IRF8736/PSMN1R8

你推荐这些都不能替代,低电压导通不是理想工作点,还有耐压都不够,要接24V的感性负载你试试?

当然也希望大家推荐能替代的价格更合理的MOS管,我也用。

STD12NF06LT4,3V就可以完全控制导通的12A N-MOS管。http://club.szlcsc.com/article/details_1796_1.html
FunnyNYPD
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发表于Mon Jun 12 12:16:21 CST 2017   |  只看该作者 4#
so, what is the difference on those MOSFETs?
伟伟
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发表于Mon Jun 12 12:28:49 CST 2017   |  只看该作者 5#
FunnyNYPD 发表于 Mon Jun 12 12:16:21 CST 2017  4# so, what is the difference on those MOSFETs?
2楼推荐的优点是:低耐压大电流,适合控制24V阻性负载或12V感性负载,驱动电压5V以上是理想工作点;我推荐的是适合控制24V的所有负载,但电流要小些,不过我最看重的是驱动电压3V就能完全导通的特性,是理想工作点。
STD12NF06LT4,3V就可以完全控制导通的12A N-MOS管。http://club.szlcsc.com/article/details_1796_1.html
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