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单片机GD32F205RCT6外扩SRAM
英尚微电子
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发表于Tue Sep 18 13:51:57 CST 2018   |  只看该作者 1# 电梯直达
GD32F205RCT6是基于Cortex M3内核32bit(位)通用型MUC产品,主频为120MHz, 片内闪存(Flash) 最大为256KB, RAM最大为128KB, 供电电压范围为2.6V-3.6V,内核的供电电压为1 .2V, l/O口可承受5V电平,内嵌实时时钟(RTC) 和2个看门狗(WDG), 集成了丰富的外设功能,这款单片机GD32F205RCT6面向工业和消费类嵌入式应用,适用于工业自动化、人机界面、电机控制、安防监控、智能家居家电及物联网等,  

      单片机GD32F205RCT6内置SRAM为128KB的内存,但在面对实际上的应用设计中,如果出现单片机内置SRAM内存不够的情况,大部分设计人员会考虑外扩SRAM,SRAM在速度是要比nor flash跟SDRAM要快,也不存在读写限制的问题,确实是考虑外扩内存的首选,但如果采用并口外扩内存需要较多的MCU管脚,给MCU无形中带来了更多功能性的限制,并且也并非大部分的MCU可以支持, 如果采用串行SRAM作为单片机外扩的资源,相对来说更好,串行SRAM只需要八个管脚,SOP-8的封装可以让PCBA减少一定的面板面积,

      GD32F205RCT6这款MCU是支持SPI接口的,并且有三个SPI,可以通过用SPI接口外扩串行SRAM对单片机进行内存的拓展。串行SRAM其实严格来说是一种伪静态SRAM,也有人叫做PSRAM, PSRAM - Pseudo SRAM是一种具有SRAM接口协议(无需刷新,无需DRAM控制器)、具有DRAM单管存储结构的存储器,比SRAM容量大很多,价格便宜很多,比SDRAM容易使用,功耗也低很多。不失为外扩单片机内存的一种解决方案。

      我司推荐一款串行SRAM,容量为8MB并有高达50MB/s的带宽。只需要由SPI或QPI接口并可以使用,可以提供400MB/s或者3.2Gbps的数据吞吐速率。

以下为型号参考:

Density Organization Part NO. Vcc(V) Speed(MHz) Bus Modes Temp. Package
64Mbit 8M x 8 VTI7064LSM 1.8 104 SQI C,I 8-SOIC
64Mbit 8M x 8 VTI7064LSM 1.8 20 SPI C,I 8-SOIC
64Mbit 8M x 8 VTI7064MSM 3 104 SQI C,I 8-SOIC
64Mbit 8M x 8 VTI7064MSM 3 20 SPI C,I 8-SOIC
32Mbit 4M x 8 VTI7032LSM 1.8 20 SPI C,I 8-SOIC
32Mbit 4M x 8 VTI7032LSM 1.8 133 SQI C,I 8-SOIC
16Mbit 2M x 8 VTI7016LSM 1.8 20 SPI C,I 8-SOIC
16Mbit 2M x 8 VTI7016LSM 1.8 133 SQI C,I 8-SOIC
1Mbit 128K x 8 VTI7001LSM 1.8 20 SPI C,I 8-SOIC
1Mbit 128K x 8 VTI7001NSM 3.3 20 SPI C,I 8-SOIC
512Kbit 64K x 8 VTI7512LSM 1.8 20 SPI C,I 8-SOIC
512Kbit 64K x 8 VTI7512NSM 3.3 20 SPI C,I 8-SOIC
256Kbit 32K x 8 VTI7256LSM 1.8 20 SPI C,I 8-SOIC
256Kbit 32K x 8 VTI7256NSM 3.3 20 SPI C,I 8-SOIC
128Kbit 16K x 8 VTI7128LSM 1.8 20 SPI C,I 8-SOIC
128Kbit 16K x 8 VTI7128NSM 3.3 20 SPI C,I 8-SOIC
 
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革命者8
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发表于Tue Sep 18 13:58:39 CST 2018   |  只看该作者 2#

是完全自主的设计吗?如果是,必须支持

稳定性经过多少验证了?


英尚微电子
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发表于Tue Sep 18 16:44:07 CST 2018   |  只看该作者 3#

已经又在批量出货的状态了,

可以跟我拿规格书参考一下哦~

jetbin
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发表于Tue Sep 18 17:58:41 CST 2018   |  只看该作者 4#

这个说法不要误导人,GD205内部的AHB 是否可以达到50MB/s    SPI的接口速率是否可以达到50MB/s ........

你的芯片也是只有理论带宽,这类芯片能上80Mbit 就算不错,就算如果按spi算,就只有10MB而已;

更不用说类似TCEM之类的限制;

不过,用来做长时数据记录还是可以的,用作gd32f205的显存,千万别想。。

个人感觉,这类芯片不要配gd,有坑

DIY玩家:a-diy.cn
tom6bj
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发表于Tue Sep 18 23:07:05 CST 2018   |  只看该作者 5#

不知道为啥没有sdio接口的sram。。。8位数据加一个CMD,一个CK,肯定可以做到比SPI/QSPI快得多

做成TSSOP14或16的封装,和SOP8也差不多大。

英尚微电子
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发表于Wed Sep 19 10:34:27 CST 2018   |  只看该作者 6#
jetbin 发表于 Tue Sep 18 17:58:41 CST 2018  4# 这个说法不要误导人,GD205内部的AHB 是否可以达到50MB/s SPI的...
那这类芯片是不适合用于单片机?还是不适合用于GD的单片机?
英尚微电子
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发表于Wed Sep 19 10:38:18 CST 2018   |  只看该作者 7#
tom6bj 发表于 Tue Sep 18 23:07:05 CST 2018  5# 不知道为啥没有sdio接口的sram。。。8位数据加一个CMD,一个CK...
也许在设计研发眼里,SPI接口更简单吧,每种设计总有它的原理,期待你说的方案出现~~
RenYH
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发表于Wed Sep 19 10:49:13 CST 2018   |  只看该作者 8#
jetbin 发表于 Tue Sep 18 17:58:41 CST 2018  4# 这个说法不要误导人,GD205内部的AHB 是否可以达到50MB/s SPI的...

这些都是QSPI的啊,每个时钟4位,已经很不错了。不是每个时钟1位的传统SPI啦~

SDIO接口也是4位的,速度没优势,还跟普通SPI完全不兼容,所以没什么意义

jetbin
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发表于Wed Sep 19 11:24:27 CST 2018   |  只看该作者 9#
英尚微电子 发表于 Wed Sep 19 10:34:27 CST 2018  6# 那这类芯片是不适合用于单片机?还是不适合用于GD的单片机?

GD可以用,但是速度达不到太高,理论上psram可以配所有的gd stm32单片机,只是速度问题;

你说的gd32f205 一般不外置ram,外置ram的目的主要是扩显存,因为gd32f205带LCD控制器,所以容易引起误读;

做长数据记录,都是没问题的,因为用的速度不快(当然,如果是类似示波器,高速采集的估计也有问题)

要关注 单片机的spi瓶颈和内部AHB总线瓶颈;还有一个tCem的问题,以及高温测试的问题


DIY玩家:a-diy.cn
jetbin
2
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发表于Wed Sep 19 11:31:49 CST 2018   |  只看该作者 10#
RenYH 发表于 Wed Sep 19 10:49:13 CST 2018  8# 这些都是QSPI的啊,每个时钟4位,已经很不错了。不是每个时钟1...

可以查一下 gd32f205的资料,我没有查,但是我可以讲一个gd32f303的情况;

f303是总线120MHZ,官称spi0可以跑到60M,且支持QSPI,但是实测发现:

1、外部QSPI 60MHZ下实际是超过AHB 总线带宽的,因此DMA非常容易卡死,这种外部设备带宽超过总线带宽的设计真是.... 不评论了

2、303的QSPI 不支持 Burst 模式,因此在跨页,还有4字节对齐方面的问题会导致基本无法使用(除非你的软件功底过于过于牛x,自行处理所有可能的问题,比如分页、4字节对齐,总之累死)


205的自行脑补吧。

DIY玩家:a-diy.cn
tom6bj
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发表于Wed Sep 19 17:17:47 CST 2018   |  只看该作者 11#
英尚微电子 发表于 Wed Sep 19 10:38:18 CST 2018  7# 也许在设计研发眼里,SPI接口更简单吧,每种设计总有它的原理,...

是啊,以及为啥SDIO接口的EMMC只有BGA的,要出个QFN或者QFP的话省多少事。

或者如果能设法让SDIO兼容QSPI也行啊。。

tom6bj
23
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发表于Wed Sep 19 17:21:30 CST 2018   |  只看该作者 12#
RenYH 发表于 Wed Sep 19 10:49:13 CST 2018  8# 这些都是QSPI的啊,每个时钟4位,已经很不错了。不是每个时钟1...

SDIO是8位啊,只是SD卡之类只用4位,STM32的SDIO是完整8位的。

速度怎么会没优势,手机内部存储用的EMMC也一样走SDIO。


英尚微电子
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发表于Mon Oct 22 13:58:00 CST 2018   |  只看该作者 13#
以下为型号参考:

Density Organization Part NO. Vcc(V) Speed(MHz) Bus Modes Temp. Package
64Mbit 8M x 8 VTI7064LSM 1.8 104 SQI C,I 8-SOIC
64Mbit 8M x 8 VTI7064LSM 1.8 20 SPI C,I 8-SOIC
64Mbit 8M x 8 VTI7064MSM 3 104 SQI C,I 8-SOIC
64Mbit 8M x 8 VTI7064MSM 3 20 SPI C,I 8-SOIC
32Mbit 4M x 8 VTI7032LSM 1.8 20 SPI C,I 8-SOIC
32Mbit 4M x 8 VTI7032LSM 1.8 133 SQI C,I 8-SOIC
16Mbit 2M x 8 VTI7016LSM 1.8 20 SPI C,I 8-SOIC
16Mbit 2M x 8 VTI7016LSM 1.8 133 SQI C,I 8-SOIC
1Mbit 128K x 8 VTI7001LSM 1.8 20 SPI C,I 8-SOIC
1Mbit 128K x 8 VTI7001NSM 3.3 20 SPI C,I 8-SOIC
512Kbit 64K x 8 VTI7512LSM 1.8 20 SPI C,I 8-SOIC
512Kbit 64K x 8 VTI7512NSM 3.3 20 SPI C,I 8-SOIC
256Kbit 32K x 8 VTI7256LSM 1.8 20 SPI C,I 8-SOIC
256Kbit 32K x 8 VTI7256NSM 3.3 20 SPI C,I 8-SOIC
128Kbit 16K x 8 VTI7128LSM 1.8 20 SPI C,I 8-SOIC
128Kbit 16K x 8 VTI7128NSM 3.3 20 SPI C,I 8-SOIC
英尚微电子
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发表于Mon Nov 05 18:52:14 CST 2018   |  只看该作者 14#
推荐一款串行SRAM,容量为8MB并有高达50MB/s的带宽。只需要由SPI或QPI接口并可以使用,可以提供400MB/s或者3.2Gbps的数据吞吐速率。
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