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请教tlv1117lv33易损坏的问题
jimwon
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发表于2018-11-15 14:32:52 | 只看该作者
1# 电梯直达

tlv1117lv33  输入是3.9v,加220uf电容


输出是3.3v,加10uf电容,电流很小就是100ma以内,现在有千分之三的返修


故障现象是:坏了之后电压输出0.56v,有的输出2.9v,但是没有带负载能力


请教大家有没有碰到这样的现象

zx85
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发表于2018-11-15 16:06:24   |  只看该作者
2#

可以翻翻老帖子

https://e2echina.ti.com/question_answer/analog/power_management/f/24/t/77800

http://www.dianyuan.com/bbs/987204.html

都有反馈这个问题。

看第一个帖子,Ti员工给的是换芯片,没有给出实际问题的原因。

TLV1117LV33的封装是SOT223,散热应该没问题。

问题很有可能出在DropVoltage上。

手册上给的最低输入压差为455mV,条件是电流为1A,输出是3.3V,也就是在电流为1A的时候最低输入电压为3.3+0.455=3.755V,然而电源电压在带载的情况下,会有压降,比如电源为3.9V,带载后很有可能会降到3.8V,如果负载重,很有可能会降到3.7V甚至3.5V,都不好说。


手册上给的典型的测试条件是At VIN = VOUT(nom) + 1.5 V; IOUT = 10 mA, COUT = 1.0 μF, and TA = 25°C, unless otherwise noted.

而且几个曲线图给的都是Vout=1.8V的,3.3V没有实际的使用意义。

按道理输出电流越小,压差越小才对。

zx85
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发表于2018-11-15 16:15:42   |  只看该作者
3#

另外LDO建议输入和输出都不要用大电容,一般1uF就够了,纹波很好的。

尤其是输出如果用大电容,LDO工作的瞬间,先给输出的大电容充电。CU=It,U为3.3V,C为电容的容值。I为充电电容,t为充电时间。电容越大,大电流充电时间越长,也容易损坏LDO,因为LDO是线性稳压,大电流下第1会过载,第2会过热。不像DCDC是开关模式。

jimwon
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发表于2018-11-15 21:44:56   |  只看该作者
4#
好的 zx85谢谢你 我大概知道问题了 已经有整改方案 再次感谢
月亮照进现实
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发表于2019-07-03 15:26:37   |  只看该作者
5#

zx85说的很对,Cin和Cout用很大其实会有弊端,比如拉低输入电压或者造成输出过冲损坏芯片。


可以尝试用SE5120直接替代TLV1117,SOT223封装脚位兼容,PIN TO PIN可以直接替代,性价比很好,可靠性经过海信,长虹,LG的认可。立创有售。


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