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企业SSD中everspin的DDR3 STT-MRAM
英尚微电子
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发表于2020-01-13 14:15:40 | 只看该作者
1# 电梯直达

随着企业固态驱动器(SSD)在系统性能和更小的外形尺寸方面不断前进,SSD解决方案提供商面临着更大的挑战。在提高密度及耐用性,性能和添加重要的新功能的同时,还需要继续保护飞行中的数据免受电源故障的影响。


通过使用更多具有更快接口速度的闪存通道和更高密度的闪存设备,下一代SSD将迅速增长到32TB甚至更高。如果采用具有DRAM工作存储器的控制器的传统体系结构,这将大大增加对能量存储以提供电源故障保护的需求,从而以固定的形式减少存储阵列的可用空间。这些下一代设备还将需要新功能,包括高级CMB缓冲,在线加密,重复数据删除和压缩。


使用everspin自旋转移扭矩磁阻随机存取存储器(STT-MRAM)和DRAM上的DRAM的SSD架构优势。


SSD控制器的DDR总线,并使用STT-MRAM替代DRAM来提供高速,非易失性缓存。这些应用程序使设计能够:

•减少闪存阵列中的写放大

•提高性能并减少延迟

•减少断电能量存储,而不会影响数据保护

•提供高级的“设备上”持久CMB缓冲

•为高级应用程序提供非易失性存储,包括重复数据删除和压缩

www.sramsun.com SRAM芯片/非易失性MRAM芯片/PSRAM伪静态存储芯片 TEL:13751192923 QQ3161422826
英尚微电子
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发表于2020-01-13 14:16:12   |  只看该作者
2#

使用everspin自旋转移扭矩磁阻随机存取存储器(STT-MRAM)和DRAM上的DRAM的SSD架构优势。

SSD控制器的DDR总线,并使用STT-MRAM替代DRAM来提供高速,非易失性缓存。这些应用程序使设计能够:

•减少闪存阵列中的写放大

•提高性能并减少延迟

•减少断电能量存储,而不会影响数据保护

•提供高级的“设备上”持久CMB缓冲

•为高级应用程序提供非易失性存储,包括重复数据删除和压缩

www.sramsun.com SRAM芯片/非易失性MRAM芯片/PSRAM伪静态存储芯片 TEL:13751192923 QQ3161422826

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