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带有ECC的256Kx16高速异步SRAM
是酒窝啊
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发表于2020-05-18 17:52:48 | 只看该作者
1# 电梯直达

ISSI IS61WV25616EDALL是高速,低功耗4M位SRAM,组织为256K字乘16位。它使用ISSI的高性能CMOS技术制造,并实现了ECC功能以提高可靠性。


当CS#为高电平(取消选择)时,器件将进入待机模式,在该模式下,可以通过CMOS输入电平降低功耗。


使用芯片使能和输出使能输入可轻松扩展存储器。激活的LOW Write Enable(WE#)控制存储器的写入和读取。


数据字节允许访问高字节(UB#)和低字节(LB#)。


IS61WV25616EDALL封装在JEDEC标准的48引脚微型BGA(6mmx8mm)和44引脚TSOP(TYPEII)中。


主要特点


–高速访问时间:20ns

–单电源

–1.65V-2.2VVDD

–低待机电流:1.5mA(典型值)

–完全静态操作:无需时钟或刷新

–数据控制

–三个状态输出

–工业和汽车温度支持

–可用无铅

–错误检测和纠正


 

功能框图


 


功能说明

SRAM是随机存取存储器之一。每个字节或字都有一个地址,可以随机访问。异步SRAM支持多种模式。每个功能在下面的“真值表”中进行了描述。


待机模式

取消选择时,设备进入待机模式(CS#高)。输入和输出引脚(I/O0-15)处于高阻抗状态。该模式下的电流消耗为ISB1或ISB2。


写模式

片选(CS#)低和写使能(WE#)低的写操作问题。输入和输出引脚(I/O0-15)处于数据输入模式。即使OE#为低电平,在此期间输出缓冲区也将关闭。UB#和LB#启用字节写入功能。通过使LB#为低,来自I/O引脚(I/O0至I/O7)的数据被写入地址引脚上指定的位置。在UB#为低电平的情况下,来自I/O引脚(I/O8至I/O15)的数据被写入该位置。


读取模式

片选(CS#)低和写使能(WE#)高的读操作问题。当OE#为低电平时,输出缓冲器打开以进行数据输出。不允许在读取模式下对I/O引脚进行任何输入。UB#和LB#启用字节读取功能。通过启用LB#低,来自内存的数据将出现在I/O0-7上。当UB#为低时,来自存储器的数据出现在I/O8-15上。


在读取模式下,可以通过将OE#拉高来关闭输出缓冲器。在此模式下,内部设备作为READ操作,但I/O处于高阻抗状态。由于器件处于读取模式,因此使用有功电流。

是酒窝啊
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发表于2020-05-22 16:18:58   |  只看该作者
2#

ISSI IS61WV25616EDALL是高速,低功耗4M位SRAM,组织为256K字乘16位。它使用ISSI的高性能CMOS技术制造,并实现了ECC功能以提高可靠性。



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