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二极管电路的反向泄漏小于肖特基二极管
MDD二极管桥堆
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发表于2021-04-08 11:37:49 | 只看该作者
1# 电梯直达


   当输入与输出电压之间有正电压时,运放肖特基二极管电路使MOSFET导通,如下式:

   VGATE=VOUT-(R2/R1)(VIN-VOUT)

   其中,肖特基二极管电路的VGATE是MOSFET的栅极驱动电压,VIN为输入电压,VOUT为输出电压。输入与输出电压可以转换为MOSFET的漏源电压和栅源电压,如下式:

   VDS=VIN-VOUT,且VGS=VGATE-VOUT

   其中,VDS为漏源电压,VGS为栅源电压。将这些式子结合起来,可得到MOSFET栅极驱动电压是漏源电压的函数:

   VGS=-(R2/R1)VDS

二极管规格书下载:LM4001-THRU-LM4007.pdf 



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