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静电二极管参数有哪些?
MDD二极管桥堆
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发表于2021-09-17 14:58:05 | 只看该作者
1# 电梯直达

   VRWM:反向截止电压、通俗地讲,就是ESD允许施加的最大工作电压,在该电压下ESD处于截止状态,此时ESD的漏电流很小,为几微安甚至更低。

   VBR:击穿电压,击穿电压是ESD要开始动作(雪崩击穿)的电压,一般在规定的电流下测量,通常在大小为1mA的 电流下测量。

   IR:反向漏电流,即在ESD器件两端施加VRWM电压下测得ESD的漏电流。

   IPP:峰值脉冲电流,一般采用8/20μs的波形测量。

   VC: 钳位电压,在给定大小的IPP下测得ESD两端的电压。大部分ESD产品VC与VBR及IPP成正比关系。

   C J:结电容,ESD的结电容与ESD的芯片面积、工作电压有关系。对于相同电压ESD产品,芯片面积越大结电容越大;对于相同芯片面积的ESD,工作电压越高结电容就越低。

静电二极管规格书下载:ESD3B5CM-SOD-323.pdf 


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