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MOSFET的安全工作区域如何解读?
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kingpoo
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发表于2017-08-11 13:48:40
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1#
电梯直达
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ChessWorld
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发表于2017-08-11 15:30:28
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2#
以上区域内是一个能量限制区, 包含了:单个输入脉冲下,Rds(导通电阻) x Id电流 x 导通时间的乘积, 不超过最大能量消化(单位一般是焦耳) 。 从图可见,导通时间越断,Id值也较高。但总乘积,还是在这个区域内就是安全的。
具体来说,“工作电流是连续的2A,电压24V” 这个没讲清楚,比如:导通后,压降不会是24V的,得看“总乘积”。 |
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solo
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发表于2017-08-11 17:44:38
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3#
这个图没有参考价值,你可以实测下,这个图中数据是不准确的
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快乐电子
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发表于2017-08-11 18:17:35
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4#
MOS高手
参赛作品《智能正负脉冲电动车6-64V铅酸蓄电池多功能充电器》
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kingpoo
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发表于2017-08-11 21:50:07
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5#
这怎么会没有参考价值?
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kingpoo
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发表于2017-08-11 22:20:03
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6#
导通后的压降不是2A*Ron吗?这个值一个很小,因为一般Ron比较小。
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kingpoo
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发表于2017-08-11 22:24:18
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7#
看了IRF630,画出了DC的图:
那么问题来了,VDS是mosfet开通的时候的电压还是关机的时候电压? |
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ppddppdd
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发表于2017-08-13 17:01:42
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8#
这个应该是任何时候的。 当然,打开的时候,已经导通VDS不可能那么大的。也就是说,你应该根据电流*导通电阻推算导通时候的电压,然后再看这个表 至少我的理解是这样的。 |
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