• CSM32RV20替代STM32F103微控制器MCU32位开发资料
• 替代STM32F103系列●内置RISC-VRV32IMAC内核（2.6CoreMark/MHz）；●最高32MHz工作频率；●内置4KB的SRAM；●内置8B的ALWAYS寄存器，能在掉电模式2下保存数据；●内置40KB的嵌入式FLASH，512B的NVM；●内置2个SPIMASTER；●内置1个I2CMASTER；●内置4个UART支持最高1Mbps；●内置2个TIMER，每个TIMER支持4路互补PWM输出；●内置1个快速的高精度13/14/15/16bitADC，集成1.2V高精度基准；●宽ADC输入电压范围：0~VDD（VDD<4.8V）；●内置3个快速比较器；●内置低压检测...
• 所属专栏： 技术交流 标签： MCU FLASH 发帖人：动能1234 发帖时间：2021-12-15 09:56:00

• NANDFLASH系统的权衡利弊
• NANDFLASH是一种大众化的非易失性存储器，主要是因为小型和低功耗且坚固耐用。尽管此技术适合现代存储，但在将其列入较大系统的一部分时，需要考虑许多重要特性。这些特性适用于所有类型的存储，包括耐用性，密度和性能，每千兆字节价格，错误概率和数据保留。在设计使用NANDFLASH的系统时，选择适当的特性平衡非常重要。闪存控制器还必须足够灵活，以进行适当的权衡。选择正确的闪存控制器对于确保闪存满足产品要求至关重要。闪存概述闪存单元由修改的场效应晶体管（FET）组成，在控制栅极和通道之间的绝缘层中具有额外的“浮置”栅极。通过施加高压将电荷注入到浮栅上（或从浮栅上去除）。这会改变打开晶体管所需的栅极...
• 所属专栏： 技术交流 标签： NAND FLASH,FLASH,SRAM,存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-12-10 14:19:00

• 非易失性Flash详解
• Flash(快闪或闪存)由Intel公司于1988年首先推出的是一种可用电快速擦除和编程的非易失性存储器，其快速是相对于EEPROM而言的。Flash从芯片工艺上分为NorFlash和NandFlash两大类。NorFlashNorFlash的特点是芯片内执行(XIP)，应用程序可以直接在内存Flash内运行，不必再把代码读到系统RAM中。NorFlash的传输效率很高，在1~4MB的小容量时具有很高的成本效益。NandFlashNandFlash的结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度很快;然而其管理和控制比较复杂。非易失性存储器–NorFlashNorFlas...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 非易失性Flash,Flash,Nor Flash,Nand Flash 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-12-07 14:24:00

• NandFlash结构及错误机制
• NandFlash是一种非易失性存储器,具有读写速度快.功耗低.存储密度高等优点,目前被广泛应用于电子产品中,如固态硬盘(SSD)、手机、数码相机等。进入21世纪以来,随着CPU主频以及IO频率的不断提高,传统硬盘由于读写速度慢等原因已经成为PC、服务器存储等领域发展的瓶颈。由于基于NandFlash的存储相比于传统硬盘存储具有体积小、读写速度快.抗震动强、温湿度适应范围宽等优点,NandFlash的市场份额正在迅速扩大,逐步取代传统硬盘。尤其在航天航空、国防军事等特殊的应用环境领域中,NandFlash已经成为存储设备的首选。NandFlash存储器内部是由存储单元“浮置栅晶体管”阵列排布...
• 所属专栏： 技术交流 标签： Nand Flash,Flash存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-11-26 15:02:00

• Flash存储器的故障特征
• Flash存储器是一种基于浮栅技术的非挥发性半导体存储器，一般有NOR、NAND、DINOR和AND等几种类型。作为一类非易失性存储器,Flash存储器具有自己独特的优点:不需要特殊的外部高电压即可进行电可擦除和重复编程,成本低及密度大,因而广泛用于嵌入式系统中。与RAM不同的是,Flash存储器除了具有一些典型的存储器故障类型外,还会出现一些其它的故障类型，例如NOR类型的Flash还会出现以下主要故障类型:(1)栅极编程干扰(GPD)和栅极擦除干扰(GED)，对一个存储单元的编程操作引起同一字线上的另外单元发生错误的编程或擦除操作。(2)漏极编程干扰和漏极擦除干扰:对一个存储单元的编程操...
• 所属专栏： 技术交流 标签： Flash存储器,Flash,存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-11-16 14:54:00

• NANDFLASH的接口控制设计
• Nandflash是flash存储器的其中一种，Nandflash其内部采用非线性宏单元模式以及为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。NANDFLASH存储器具有容量较大和改写速度快等优点适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用。NAND结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。本篇文章存储芯片供应商宇芯电子介绍关于NANDFlash的存储结构以及NANDFlash的接口控制设计。NANDFlash的存储结构大多数的NANDFlash都大同小异,所不同的只是该NANDFlash芯片的容量大小和读写速度等基本特性。块Block是NANDF...
• 所属专栏： 技术交流 标签： NAND FLASH,FLASH 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-11-03 16:19:00

• NANDFlash和NORFlash的区别
• 1.1接口差别NORFlash带有SRAM接口,有足够的地址引脚来寻址,可以直接和CPU相连,CPU可以直接通过地址总线对NORFlash进行访问，可以很容易地存取其内部的每一个字节。NANDFlash器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据﹐只能通过I/O接口发送命令和地址，对NANDFlash内部数据进行访问。各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。NANDFlash读/写操作采用512或2048字节的页。NORFlash是并行访问，NandFlash是串行访问，所以相对来说,前者的速度更快些。1.2容量和成本NORFlash的成本相对高﹐容量相对小，常见的...
• 所属专栏： 技术交流 标签： NAND Flash,NOR Flash,Flash 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-11-02 14:13:00

• 使用高速SPINorFlash的FPGA配置
• NOR闪存广泛用作FPGA的配置设备。FPGA在工业和通信及汽车ADAS应用中的使用取决于NORFlash的低延迟和高数据吞吐量特性。快速启动时间要求的一个很好的例子是汽车环境中的摄像头系统。点火时后视图像在仪表板上显示的速度是一阶设计挑战。上电后的FPGA会立即加载已存储在NOR器件中的配置位流。传输完成后的FPGA转换为活动（已配置）状态。FPGA包含许多配置接口选项，通常包括并行的NOR总线和串行外围设备接口（SPI）总线。支持这些总线的存储器在不同制造商提供的产品之间始终存在很小的不兼容性，这使得存储设备的多来源采购更加困难。FPGA配置的历史FPGA首次面世时选择的配置存储器是并行...
• 所属专栏： 技术交流 标签： SPI Nor Flash,Flash,FPGA 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-09-18 15:33:00

• Flash存储器现货行情
• 据多名从业者反映，目前存储芯片交货的几乎都是年前的订单，因为疫情影响没有新的订单需求。对于行业内的行情，业者多持看好的态度，相信今年的订单需求会随着疫情的好转慢慢转为强劲，下半年也可能出现供不应求的情况。NANDFlash：因为SSD的缺货，导致大容量NandFlash近期询盘增多，但是因为大容量Nandflash单价高，流通度低，代理商很少会备货库存持续下降，供给也较为保守。受5G需求，加上各类产品搭载SSD比重与容量显著提升，终端都积极备货，均成为NandFlash需求增温的动能，今年NAND价格走势预计稳健向上，下半年也可能面临供给短缺情况。我司英尚微电子代理Cypress品牌Flas...
• 所属专栏： 谈天说地 标签： Flash存储器,Flash内存,flash行情,Cypress 发帖人：英尚微电子 发帖时间：2020-03-11 15:27:00

• flash存储器原理及作用是什么?
• flash存储器的工作原理  flash存储器又称闪存（快闪存储器），是一种电可擦可编程只读存储器的形式，是可以在操作中被多次擦或写，EEPROM与高速RAM成为当前最常用且发展最快的两种存储技术。计算机的BIOS、数字照相机等的存储卡中都使用闪存。flash存储器的主要特点是在不掉电的情况下能长期保持存储的信息。就其本质而言flash存储器属于EEPROM（电擦除可编程只读存储器）类型。它既有ROM的特点，又有很高的存取速度，而且易于擦除和重写，功耗很低。目前其集成度已达4MB，同时价格也有所下降。由于flash存储器的独有优点，如在一些较新的主板上采用FlashROMBIOS，会使得BI...
• 所属专栏： 技术交流 标签： flash存储器 flash 发帖人：英尚微电子 发帖时间：2019-12-16 17:39:00