• EverspinMRAM内存技术如何工作
• EverspinTechnologies总部位于亚利桑那州钱德勒，主要是设计和制造MRAM、STT-MRAM的全球领导者，Everspin所生产的MRAM产品包括40nm，28nm及更高工艺在内的先进技术，在节点上进行了全包交钥匙的300mm大批量平面内和垂直MTJST-MRAM生产。其产品包装和测试业务遍及中国，台湾和其他亚洲国家。那EverspinMRAM内存技术是如何工作的？Everspin代理下面将解析关于MRAM内存技术工作原理。EverspinMRAM与标准CMOS处理集成EverspinMRAM基于与CMOS处理集成的磁存储元件。每个存储元件都将一个磁性隧道结（MTJ）器件用于...
• 所属专栏： 技术交流 标签： Everspin MRAM,MRAM,MRAM内存技术 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-08-31 14:25:00

• 当前MRAM市场以及专用MRAM设备测试的重要性
• Everspin专注于制造MRAM和STT-MRAM的翘楚，其市场和应用领域涉及数据持久性和完整性，低延迟和安全性至关重要。为云存储，能源，工业，汽车和运输市场提供了上亿只MRAM和STT-MRAM存储器芯片。Everspin总代理宇芯电子可提供技术支持和产品解决方案。MRAM可能是当今最有前途的下一代非易失性存储技术。ToggleMRAM和STT-MRAM已经进入市场，在许多应用中获得了市场份额。下一代MRAM技术（例如SOT-MRAM）甚至可以以更高的密度替换最快的SRAM应用。图1内存制造过程由于器件架构相对复杂，因此EverspinMRAM的生产过程分为多个阶段，在CMOS背板的顶部...
• 所属专栏： 技术交流 标签： MRAM,MRAM技术,STT-MRAM,Everspin MRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-07-13 11:34:00

• EverspinMRAM技术的可靠性
• 与大多数其他半导体存储技术不同，数据存储为磁性状态而不是电荷，并通过测量电阻来感测而不干扰磁性状态。使用磁性状态进行存储有两个主要好处。首先磁极化不会像电荷一样随时间泄漏，因此即使关闭电源，信息也会被存储。其次在两种状态之间切换磁极化不涉及电子或原子的实际运动，因此不存在已知的磨损机制。EverspinMRAM器件旨在结合非易失性存储器和RAM的最佳功能，为越来越多的电子系统提供“即时接通”功能和断电保护。EverspinMRAM技术产品组合Everspin切换MRAM技术EverspinMRAM与标准CMOS处理集成EverspinMRAM基于与CMOS处理集成的磁存储元件。每个存储元件都...
• 所属专栏： 技术交流 标签： Everspin MRAM.MRAM技术,MRAM, 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-06-02 15:34:00

• 研究人员开发一种新的MRAM单元结构
• MRAM存储芯片可以抵抗高辐射，可以在极端温度条件下运行，并且可以防篡改。这使得MRAM适用于汽车和工业，军事及太空应用，这些对于MRAM存储芯片开发人员来说是重要的部分。东京工业大学的研究人员开发了一种新的MRAM单元结构，该结构依赖于单向自旋霍尔磁阻（USMR）。新的单元结构只有两层。这可能导致成本更低的MRAM器件。自旋霍尔效应导致电子在材料的侧面以一定的自旋积累。通过将拓扑绝缘体与铁磁半导体相结合，研究人员设法制造出具有巨型USMR的器件。MRAM存储芯片是一种使用电子自旋来存储信息的存储技术。MRAM存储芯片具有成为通用存储器的潜力-能够将存储存储器的密度与SRAM的速度结合在一起...
• 所属专栏： 技术交流 标签： MRAM,MRAM存储芯片,汽车MRAM,存储技术 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-04-20 14:37:00

• MRAM与FRAM技术比较
• MRAM技术MRAM或磁性随机存取存储器使用1晶体管–1磁性隧道结（1T-1MTJ）架构，其中铁磁材料的磁性“状态”作为数据存储元素。由于MRAM使用磁性状态进行存储（而不是随时间推移而“泄漏”的电荷），因此MRAM可以提供非常长的数据保留时间（+20年）和无限的耐用性。切换磁极化（WriteCycle）是在电磁隧道结（MTJ）上方和下方的导线中产生脉冲电流的结果（见图1）。图1：磁性隧道结（MTJ）电流脉冲带来的相关H场会改变自由层的极化铁磁材料。这种磁性开关不需要原子或电子的位移，这意味着没有与MRAM相关的磨损机制。自由层相对于固定层的磁矩改变了MTJ的阻抗（见图2）。图2：MRAM磁...
• 所属专栏： 技术交流 标签： MRAM,MRAM技术,MRAM数据,FRAM 发帖人：英尚微电子 发帖时间：2020-03-10 16:30:00

• STT-MRAM高密度低能耗技术
• STT-MRAM是通过自旋电流实现信息写入的一种新型非易失性磁随机存储器，是磁性存储器MRAM的二代产品。STT-MRAM存储的结构简单，它省略了带磁性外壳的附加写信息线，最大限度地减少了制备工艺程序，并使存储单元的横截面积减小、存储密度高、存储速度快，满足高性能计算机系统的设计要求。研究人员建议用反铁磁材料制造STT-MRAM器件-与目前使用的铁磁材料相反。研究人员说这些材料将使高密度器件能够以低电流实现高速写入。反铁磁性材料在微观尺度上有磁性，但在宏观尺度上却没有。这意味着用这些材料制成的MRAM单元的相邻位之间没有磁力-这意味着您可以将它们非常紧密地包装在一起。研究人员还证明，电流可用...
• 所属专栏： 技术交流 标签： STT-MRAM,STT-MRAM技术,低能耗MRAM 发帖人：英尚微电子 发帖时间：2020-03-05 14:56:00

• 快速写入的高密度MRAM技术
• 基于TMR和巨大隧穿磁阻效应，总共衍生出两代主要的MRAM器件类型：第一代是磁场驱动型MRAM，即通过电流产生的磁场驱动存储单元的磁矩进行写入操作，典型代表有星型MRAM和嵌套型MRAM；第二代是电流驱动型自旋转移矩MRAM（STT-MRAM），即通过极化电流对存储单元进行写入操作。弗吉尼亚大学的研究人员开发出的一种使用MRAM的短期和长期存储解决方案的技术。该器件使用旋转转矩电流来改变每个存储域的磁化强度，以实现更高的存储位密度和更快的写入速度。这些存储域沿着存储线分配，并且在不施加电压时，每个域附近的多铁性元素可提供磁化稳定性。为了写入单个位，电流通过存储线，并且多铁性元件和自由层的相互...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 高密度MRAM,MRAM技术,高密度MRAM 发帖人：英尚微电子 发帖时间：2020-03-04 14:35:00

• STT-MRAM存在的两个弊端
• 随着自旋转移矩效应的发现以及材料和结构的优化，基于自旋转移矩效应的STT-MRAM器件应运而生。自从自旋转移矩效应被证实以来，一方面研究人员通过大量的努力尝试降低磁化反转的临界电流，增加热稳定性；另一方面Sony、Hitachi、Renesas、Crocus、Toshiba、Samsung、Hynix、IBM等多家公司也在积极研发STT-MRAM。早期的磁隧道结采用面内磁各向异性（In-PlaneMagneticAnisotropy）。它存在如下两个弊端：1）随着工艺减小，热稳定性恶化。采用面内磁各向异性磁隧道结的存储寿命取决于热稳定性势垒和磁各向异性场，面内磁各向异性的来源是薄膜平面较大的...
• 所属专栏： 技术交流 标签： STT-MRAM,EVERSPIN,MRMA,MRAM技术 发帖人：英尚微电子 发帖时间：2020-01-15 14:49:00

• MRAM技术进入汽车应用
• 在整个地址空间范围内读写各种类型的数据。通常MRAM的操作和时序类似于32位微控制器的规范和时序。与DLFASH相比，当今的非易失性存储器可以接受MRAM设备的性能和吞吐量。与当今的DFLASH相比，未来的汽车动力总成控制器可能需要更快，更加强大的非易失性和保活内存。在非易失性存储器中使用MRAM可以显着提高时间紧迫状态下的写入数据传输性能。MRAM设备可用的增加的内存存储空间还可以存储更多诊断数据。mram芯片技术在汽车市场上有许多应用。由于MRAM技术与标准CMOS技术集成在一起，便可以将其嵌入到动力总成微处理器中（当今，MRAM嵌入了某些非汽车微处理器中）。但是由于以下的一些原因，此时...
• 所属专栏： 技术交流 标签： MRAM技术,MRAM,汽车MRAM 发帖人：英尚微电子 发帖时间：2020-01-14 13:46:00

• 航空航天专用Everspin非易失性MRAM存储器
• TAMU是由瑞典乌普萨拉的Ångström航空航天公司（ÅAC）开发的高级磁力计子系统。TAMU的目的是提供地球磁场的磁力计数据，以便与子画面观测相关。实验性TAMU由使用领先技术制造的四种类型的设备组成：3轴地磁传感器，通过3D封装系统技术制造的MPU芯片，制造的4MbitMRAM（磁性随机存取存储器）芯片由EverspinTechnologies和IMU（惯性测量单元）芯片组成。ÅACMicrotec在其Tohoku-ÅACMEMS单元（TAMU）（磁力计子系统）中使用了Everspin扩展的温度范围4MbitMRAM。everspin的4MbitMRAM器件取代了闪存和电池供电的SRA...
• 所属专栏： 技术交流 标签： mram芯片,everspin,Everspin,MRAM技术 发帖人：英尚微电子 发帖时间：2019-12-26 17:19:00