结果:找到"RAM,36KB",相关内容14条
  • ​FRAM技术简介
  • 成熟的半导体存储技术分为两类:1.RAM是随机存取存储器,具有对称的读写访问时间。2.非易失性存储器,传统上一直是ROM(只读存储器),直到浮栅技术出现。浮栅技术产生了电可擦除存储器,例如闪存和EEPROM。这些产品允许进行系统内编程,但读写访问时间不同。实际上,写访问时间可能比读访问时间大几个数量级。铁电随机存取存储器或FRAM是真正的非易失性RAM,因为它结合了RAM和非易失性存储器的优点。相对于闪存/EEPROM的写入优势和非易失性使其非常适合在没有电源的情况下存储数据。铁电性能铁电特性是一类现象锆钛酸铅(PZT)等材料。PZT具有钙钛矿晶体结构,如图1所示。中心的阳离子具有两个相等且...
  • 所属专栏: 技术交流 标签: ​FRAM,非易失性RAM,非易失性存储器,铁电RAM 发帖人:是酒窝啊 发帖时间:2020-12-24 14:26:00
  • 新兴存储器铁电RAM嵌入式应用
  • 存储器IC市场一直是动态的,但是随着边缘计算,人工智能(AI),5G和自动驾驶的兴起,对存储器技术的需求正在不断扩大和发展。由于持续的大流行,使工作和商业领域发生了巨大变化,而存储器行业比以往任何时候都面临着更多的挑战,无法一次解决。着眼于多样化内存技术的发展以及推动其发展的因素。内存技术的进步反映了数据的爆炸性增长,并且越来越需要将处理移向数据。内存和存储技术处于并行轨道,更多的工作负载在内存中处理。新兴存储器是铁电RAM(FRAM),它使用铁电代替介电层来实现非易失性。虽然制造步骤类似于DRAM,但FRAM功能更像闪存。FRAM存储器可以说是最成功的新兴存储器,因为它已在嵌入式应用程序中...
  • 所属专栏: 技术交流 标签: 铁电RAM,新兴存储器,MRAM 发帖人:是酒窝啊 发帖时间:2020-11-20 14:03:00
  • 铁电RAM为何比串行SRAM更好
  • 对于特定的产品设计,关于铁电RAM为何比串行SRAM更好,有几个原因值得一提。以下各节将介绍其中的一些注意事项。优越的频率和带宽传统和ULEFRAM都比串行SRAM支持更高的SPI时钟频率。ULEFRAM支持DDR模式,从而充分利用了低引脚输出MCU。ULEFRAM的带宽是当前可用串行SRAM的五倍。ECC数据保护所有FRAM阵列均受ECC保护,并提供了附加的控制寄存器来监视ECC错误。SRAM没有此功能。结果SRAM可能会遭受损坏事件,而FRAM会检测到并纠正这些事件。降低功率在所有工作条件下,传统和ULE的FRAM都比串行SRAM消耗更少的有功功率。如果产品以内存的有功功率为主导,则FR...
  • 所属专栏: 技术交流 标签: 铁电RAM,串行SRAM,SRAM 发帖人:是酒窝啊 发帖时间:2020-10-19 16:37:00
  • 铁电RAM与串行SRAM替换时需要考虑的因素
  • 尽管静态RAM和铁电RAM可以有完全不同的用途,但是随着SPI等标准接口的出现,这些技术在功能上有很大的重叠。本篇详细介绍了用FRAM替换SRAM时需要考虑的因素FRAM注意事项FRAM与SRAM互相代替时,需要提及一些细微之处。本篇文章介绍这些细微差别,并重点介绍可以采取的缓解措施。当采取这些预防措施时,重要的是要了解所使用的FRAM版本。传统的FRAM部件仅实现单个位SPI接口,而ULEFRAM具有许多可以使用的不同操作模式。注册访问串行SRAM具有单个状态寄存器,如下表所示:应该注意的是,状态寄存器很少使用SRAM-它在运行时不包含任何值信息。对该寄存器的访问与任一版本的FRAM不兼容...
  • 所属专栏: 技术交流 标签: 铁电RAM,串行SRAM,SRAM 发帖人:是酒窝啊 发帖时间:2020-10-16 15:12:00
  • 非易失性FRAM中的预充电操作
  • 铁电存储器(FRAM)是一种随机存取存储器,是一种特殊工艺的非易失性的存储器,它将DRAM的快速读取和写入访问,它是个人电脑存储中最常用的类型,与在电源关掉后保留数据能力(就像其他稳定的存储设备一样,如只读存储器和闪存)结合起来。接下来宇芯电子介绍关于非易失性FRAM中的预充电操作。预充电是FRAM的内部条件,在该条件下,存储器被调适以进行新的访问。FRAM设备中的预充电操作在以下任何条件下启动:1.驱动芯片使能信号/CE至高电平2.更改高位地址位(例如,设备FM28V100的A16-A3)FRAM中的读取操作具有破坏性,因为它需要切换极化状态才能感知其状态。在初始读取之后,读取操作必须将极...
  • 所属专栏: 技术交流 标签: FRAM,铁电RAM,非易失性存储器 发帖人:是酒窝啊 发帖时间:2020-08-18 15:28:00
  • STM32外扩SRAM芯片IS62WV51216兼容替换
  • STM32MCU一般情况下配置有1~2MB双块Flash存储器和256KBSRAM,在某些应用设计中会出现内置RAM不足的情况,需要对STM32单片机进行外扩RAM的处理,可以选择更换更高RAM容量的单片机,除了价格贵还需要涉及其他被动器件的更改,STM32系列可以通过FMSC接口外扩并口SRAM,比如采用ISSI的IS62WV51216,IS62WV51216SRAM芯片是一个8M容量,组织结构为512K*16的高速率低功耗静态随机存储器。IS62WV51216高性能CMOS工艺制造。高度可靠的工艺水准再加创新的电路设计技术,造就了这款高性能,低功耗的器件。使用IS62WV51216的片选...
  • 所属专栏: 新品推荐活动 标签: SRAM芯片 RAM IS62WV51216 发帖人:英尚微电子 发帖时间:2020-07-30 11:11:00
  • IPUSSQPIPSRAM为STM32单片机提供RAM扩展方案
  • IoT设备的增长引发了对内存技术的新兴趣,IPUS自成立以来,已向市场推出了具有SPI和/或QSPI(QuadSPI)存储器总线接口的IoTRAM。致力于为物联网市场提供解决方案。IPUS代理商宇芯电子接下来介绍关于IPUSSQPIPSRAM为STM32单片机提供扩展方案。从安全的角度可以考虑这样的一种基于大RAM的系统设计:系统自举是用简单的明码,其它代码是加密后存储在flash中。当系统运行时,Flash中的数据,解密后转存到PSRAM中,程序从PSRAM中运行,当程序(或函数)运行结束时,可以轻易地再次在SPIPSRAM中加密(用于再次使用)以及销毁(一次性使用)。其中密钥可以由MCU...
  • 所属专栏: 技术交流 标签: STM32,单片机,IPUS SQPI PSRAM,RAM扩展 发帖人:是酒窝啊 发帖时间:2020-07-10 16:17:00
  • 存储单元结构分类
  • 静态RAM的基本构造块是SRAM存储单元。通过升高字线的电平触发存储单元,再通过位线对所触发的存储单元进行读出或写入。在静态CMOS存储器中,存储单元阵列将会占去整个存储器芯片面积的一半以上,在一些大容量的SRAM中,这个比例还要更大一些。因而减小存储单元的面积变得尤为重要。在存储器中有大量的存储元,把它们按相同的位划分为组,组内所有的存储元同时进行读出或写入操作,这样的一组存储元称为一个存储单元。一个存储单元通常可以存放一个字节;存储单元是CPU访问存储器的基本单位.从结构上分,CMOSSRAM存储单元有电阻-晶体管结构(4T-2R存储单元)和静态六管全互补结构(6T存储单元)。图14T-...
  • 所属专栏: 技术交流 标签: 静态RAM,SRAM,CMOS SRAM,存储单元 发帖人:是酒窝啊 发帖时间:2020-04-30 16:59:00
  • UG5664驱动问题讨论求助
  • 去年在立创商城买的两个UG5664,一个白光一个绿光,用STM8S208驱动,屏除了能点亮外,没有任何反应,就是屏能显示,但改不了任何显示内容,如下面照片的样子:硬件连接采用6800接口,接口定义如下:#DEFINEDATPI_ODR#DEFINEWRPH_ODR,#0;SSD1322读写输入,1为读,0为写#DEFINERDPH_ODR,#1;SSD1322使能信号输入E#DEFINEDCPH_ODR,#2;SSD1322命令/数据选择输入,1为数据,0为命令#DEFINECSPH_ODR,#3;SSD1322片选输入,低电平有效#DEFINERSTPD_ODR,#7;SSD1322复位输...
  • 所属专栏: 技术交流 标签: UG5664驱动 写RAM 6800时序 发帖人:猥琐禽兽 发帖时间:2018-07-03 15:43:00
  • APT32F003触摸按键32位MCU,引脚兼容STM8S003,大存储器2KBRAM,36KBF...
  • APT32F003触摸按键32位MCU,引脚兼容STM8S003,大存储器2KBRAM,36KBFlash。采购连接:https://item.szlcsc.com/242019.html数据手册:UM_APT32F003_CN_V22.pdf引脚分配:官方连接:http://www.aptchip.com/Article/Equipment.aspx?cid=67&nid=25APT32F003优势如下:(32位,超低功耗,大内存,电容式触控按键,引脚兼容STM8S003,N76E003AT20)32位单片机核,20MHZ主频,单周期乘法,运算速度快。大内存,2KBRAM,32KB...
  • 所属专栏: 方案应用展 标签: APT32F003触摸按键32位MCU,引脚兼容STM8S003,大存储器2KB RAM36KB Flash 发帖人:LuckyCloud 发帖时间:2018-06-24 08:42:00
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