• SoC上的内存
• SoC有基于应用程序的内存。这些存储器是用于计算的半导体存储器块。半导体存储器通常是指在单个硅片上制造的金属氧化物半导体存储器单元。内存类型包括:易失性存储器:断电后会丢失数据的存储器。它们需要恒定的电源来保存信息。易失性存储器更快、更便宜，这也是被大众所接受的原因。RAM是一种易失性存储器。最常用的RAM是SRAM和DRAM。SRAM由1、3或6个晶体管组成的存储单元组成。相反DRAM只有一个MOSFET和一个根据FET状态进行充放电的电容。然而DRAM容易受到电容泄漏电流的影响。DRAM的一个显著优点是它比SRAM便宜。如果一个SoC有一个缓存层次结构，SRAM被用于缓存，DRAM被用于...
• 所属专栏： 技术交流 标签： SRAM,MRAM,EEPROM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2021-01-07 15:11:00

• EEPROM和FLASH在大多数应用场合中无法替代SRAM
• 随着半导体技术的飞速发展,各种存储器相继推出,性能不断提高。众所周知,普通SRAM在电源掉电后,其中的数据随即消失,再次加电后，存储器中的数据为随机数。这对于需要保存大量现场数据及各种系统参数的应用系统来说无疑是不允许的。虽然EPROM的数据不会因掉电而丢失，但EPROM只能用专用的写入器写入数据,无法替代相应的SRAM。SRAM不存在刷新的问题。一个SRAM基本存储单元融个晶体管和两个电阻器构成,它并不利用电容器来存储数据，而是通过切换晶体管的状态来实现的，如同CPU中的晶体管通过切换不同的状态也能够分别代表0和这两个状态正是因为这种结构,所以SRAM的读取过程并不会造成SRAM内存储的的...
• 所属专栏： 技术交流 标签： SRAM,FLASH,EEPROM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2021-01-06 14:36:00

• 嵌入式STT-MRAM效应与流致反转
• 最初的MRAM都是用微电磁线圈产生电磁场，使自由层的磁矩方向反转来进行0、1数据的读写。这种复杂的结构大大地制约了MRAM存贮单元的微型化进程，因此当时MRAM的存贮密度远远不及DRAM和SRAM。后来科学家们想出了用自旋极化的电子流脉冲取代微电磁线圈的突破方案。穿过微磁粒的自旋极化电子流脉冲具有确定的磁场方向，它的磁矩在这里被称为“自旋转移力矩”或简称“自旋转矩”，即前面提到的STT。自旋极化电子流可以代替电磁线圈使微磁粒的磁场方向发生反转，因此这种方式也被称为流致反转。STT可视为相反于巨磁阻的效应，显示的是电流通过多层膜结构后改变多层膜的磁化特性。当具高密度的自旋极化电流通过铁磁金属，...
• 所属专栏： 技术交流 标签： STT-MRAM,MRAM,SRAM,DRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-12-03 14:37:00

• 读取优先和SRAM-MRAM混合结构
• MRAM因具有许多优点,有取代SRAM和DRAM的潜能。用MTJ存储单元构建的MRAM存储器可以用作高速缓存。然而MRAM写入操作的长延时和较高的功耗成为其瓶颈，阻碍了其性能的进一步提高。读取优先的写缓存器和SRAM-MRAM混合结构这两种策略可以提高MRAM的性能及降低其功耗。读取优先和SRAM-MRAM混合结构直接用MRAM代替SRAM可能导致性能下降。因此提出了用两种策略来缓解这个矛盾:一是引入读取优先的写入缓冲器;二是引入SRAM-MRAM混合结构。二者可以结合起来以改善MRAM高速缓存的性能。读取优先的写入缓冲器因为L2高速缓存从上一级存储器和写入缓冲器获取命令，必须有一个优先权策...
• 所属专栏： 技术交流 标签： SRAM,MRAM,存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-11-10 14:24:00

• MRAM高速缓存的组成
• 磁阻式随机存储器(MRAM)是一种新型存储器,其优点有读取速度快和集成度高及非挥发性等。目前许多研究主要是致力于将MRAM存储器运用于计算机存储系统中。MRAM因具有许多优点,有取代SRAM和DRAM的潜能。用MTJ存储单元构建的MRAM存储器可以用作高速缓存。高速缓存可以用与SRAM几乎相同的方式来组建。MRAM与SRAM具有相似的电路结构(见图1)。它们都由字线来选择目标操作单元,由位线来传输数据。SRAM两种不同的位线连接到每一个单元,而MRAM只有一条位线,可以简单的把位线与源线的结合看做替代。因为基于sram芯片的读出放大器不能直接用于MRAM存储器,故MRAM需要一个参考信号，通...
• 所属专栏： 技术交流 标签： MRAM,SRAM,存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-11-06 14:32:00

• FRAM低功耗设计使写非易失性数据操作消耗更少的功耗
• FRAM器件消耗的工作电流大约是EEPROM的1/3，而FRAM的待机/睡眠电流规格与EEPROM的待机/睡眠电流规格差不多。有功电流中的差异对功耗产生巨大影响，特别是当应用程（如:智能电子式电表）频繁的记录数据而使写密集时。除了EEPROM中有功电流不足，EEPROM还产生额外页编写延迟，这样导致器件在较长时间内保持活跃模式。它会使功耗增加。使用以下的公式1和公式2计算出写入FRAM和EEPROM中所需的能量值。FRAM和EEPROM中的能耗在表1中进行比较，并显示在图1中。此比较演示了相对的能耗;使用EEPROM在长时间内保持活跃状态，因为它消耗的有功电流比FRAM的大两倍。注意：在写/...
• 所属专栏： 技术交流 标签： FRAM,EEPROM,SRAM,非易失性存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-10-09 14:39:00

• MRAM与常用计算机内存的性能比较
• 新千年信息怎样储存?又需要如何传输?MRAM芯片是磁阻随机存取存储器。1989年巨磁阻现像的发现及随后几年巨磁阻材料的开发,直至巨磁阻磁头GMR的制成与应用都为MRAM存储器研究开发奠定了基础。1995年IBM、摩托罗拉及好莱坞等三家大企业提供基金进行高密、高速低耗MRAM芯片的开发,其技术指标及产品目标要求如下:技术指标:具有sram芯片的随机存取速率;具有DRAM芯片的大容量存储密度;具有EEPROM芯片存入数据的非易失性。产品目标:取代计算机的DRAM内存，取代手机的EEPROM闪存。表1列出MRAM芯片与目前常用的几种计算机内存SRAM、DRAM及闪存的性能比较。表1SRAM、DRA...
• 所属专栏： 技术交流 标签： MRAM,SRAM,EEPROM,计算机内存,非易失性存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-09-07 16:52:00

• MRAM独特功能替换现有内存
• 在所有常年兴起的记忆中，MRAM似乎最有可能濒临大规模，广泛采用。这是否会很快发生取决于制造的进步和支持分立和嵌入式MRAM器件技术的生态系统。MRAM以及PCRAM和ReRAM已经达到了一个临界点，在更多应用中它比以往任何时候都有意义。然而，从工艺和材料角度来看，它的确面临着一系列制造挑战，因为它使用的材料和工艺与传统CMOS制造不同。目前MRAM是在单独的工厂中作为[线的后端]（BEOL）工艺制造的。需要传统的CMOS制造中不使用的新设备，例如离子束蚀刻和新的溅射靶。为了降低嵌入式MRAM产品的成本，制造需要进入CMOS晶圆厂，并成为常规设备制造的一部分。除了将MRAM进一步整合到制造链...
• 所属专栏： 技术交流 标签： MRAM,Everspin MRAM,SRAM,内存,存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-07-30 15:40:00

• MRAM缓存可行性比SRAM更高
• 随着制程迈向5nm甚至3nm，半导体工艺复杂性剧增导致高密度SRAM在先进技术节点处的缩小变得更为有限。为减少面积和能耗，STT-MRAM存储器已成为替代基于SRAM的最后一级高速缓存存储器的有希望的候选者。STT-MRAM器件的核心元件是磁隧道结，其中薄介电层夹在磁固定层和磁自由层之间。通过利用注入磁隧道结的电流切换自由磁层的磁化来执行存储单元的写入。与合作伙伴如GlobalFoundries、华为、美光、高通、索尼半导体解决方案、台积电和西部数据合作，Imec通过两步骤分析5nm技术节点上为高性能计算领域引入STT-MRAM的可行性。Imec在会议上展示了在5nm节点上SRAM和STT-...
• 所属专栏： 技术交流 标签： MRAM缓存,SRAM,ST-MRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-05-22 16:01:00

• 给大家推荐几款功耗较低的EEROM
• 为大家推荐美国微芯(收购了ATMEL)AT24C04D,AT24C08D,AT24C32E等功耗较低的EEPROM,大厂大品质,老厂老味道.工作电压:1.7-3.6VI2C接口:100KHz标准模式400KHz快速模式1MHz超快模式使用功耗:超低的活动电流不大于1mA超低的静态电流不大于0.8uA使用寿命:单点写通1000000次数据保存时间100年↓↓有图有真相↓↓↓↓有料有链接↓↓AT24C04DAT24C08DAT24C32E
• 所属专栏： 代售推荐 标签： EEPROM 发帖人：倚楼听风雨 发帖时间：2017-07-27 13:39:00