• 铁电RAM为何比串行SRAM更好
• 对于特定的产品设计，关于铁电RAM为何比串行SRAM更好，有几个原因值得一提。以下各节将介绍其中的一些注意事项。优越的频率和带宽传统和ULEFRAM都比串行SRAM支持更高的SPI时钟频率。ULEFRAM支持DDR模式，从而充分利用了低引脚输出MCU。ULEFRAM的带宽是当前可用串行SRAM的五倍。ECC数据保护所有FRAM阵列均受ECC保护，并提供了附加的控制寄存器来监视ECC错误。SRAM没有此功能。结果SRAM可能会遭受损坏事件，而FRAM会检测到并纠正这些事件。降低功率在所有工作条件下，传统和ULE的FRAM都比串行SRAM消耗更少的有功功率。如果产品以内存的有功功率为主导，则FR...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 铁电RAM,串行SRAM,SRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-10-19 16:37:00

• 铁电RAM与串行SRAM替换时需要考虑的因素
• 尽管静态RAM和铁电RAM可以有完全不同的用途，但是随着SPI等标准接口的出现，这些技术在功能上有很大的重叠。本篇详细介绍了用FRAM替换SRAM时需要考虑的因素FRAM注意事项FRAM与SRAM互相代替时，需要提及一些细微之处。本篇文章介绍这些细微差别，并重点介绍可以采取的缓解措施。当采取这些预防措施时，重要的是要了解所使用的FRAM版本。传统的FRAM部件仅实现单个位SPI接口，而ULEFRAM具有许多可以使用的不同操作模式。注册访问串行SRAM具有单个状态寄存器，如下表所示：应该注意的是，状态寄存器很少使用SRAM-它在运行时不包含任何值信息。对该寄存器的访问与任一版本的FRAM不兼容...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 铁电RAM,串行SRAM,SRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-10-16 15:12:00

• 串行SRAM和FRAM之间的相似之处
• 尽管静态RAM和铁电RAM可以有完全不同的用途，但是随着SPI等标准接口的出现，这些技术在功能上有很大的重叠。本篇文章宇芯电子详细介绍了SRAM和FRAM的共同属性，这为设计中替换串行SRAM提供了主要动力。SRAM和FRAM之间的相似之处SRAM和FRAM在许多设计中表现出许多相似的特性。串行SRAM和FRAM具有相似的存储密度，可以支持完全随机的读写访问，并且可以获得所有结果而没有额外的延迟。鉴于这两部分都具有使用SPI接口的实现，很明显，可以认为这些部分可以在大多数设计中互换使用。以下各节描述了这些技术的共同属性。记忆容量当今市场上可用的串行SRAM支持从64Kbit到1Mbit的容量...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 串行SRAM,FRAM,存储器,SRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-10-16 15:06:00

• 双端口SRAM中读干扰问题
• 普通的存储器器件为单端口，也就是数据的输入输出只利用一个端口，设计了两个输入输出端口的就是双端口sram。虽然还具有扩展系列的4端口sram，但双端口sram已经非常不错了。双端口sram经常应用于cpu与其周边控制器等类似需要直接访问存储器或者需要随机访问缓冲器之类的器件之间进行通信的情况。下面专注于代理销售sram芯片,PSRAM等存储芯片供应商介绍关于双端口SRAM中读干扰问题。从存储单元来看，双端口SRAM只是在单端口SRAM的基础上加上了两个存取管（见图1），但要实现两个端口对存储单元的独立读写，还要对新增的端口复制一套单端口SRAM的读写外围电路。然而这样虽然增强了存储器的读写能...
• 所属专栏： 技术交流 标签： SRAM,双端口SRAM,SRAM芯片 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-07-23 14:00:00

• 单端口SRAM与双端口SRAM电路结构
• SRAM是随机存取存储器的一种。所谓的静态是指这种存储器只要保持通电，里面储存的数据就可以恒常保持。SRAM不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据,因此SRAM具有较高的性能.宇芯电子专注提供SRAM芯片,国产SRAM,进口SRAM（ISSI、VTI、JSC、）SRAM的速度快但价格相对昂贵，一般用小容量的SRAM作为更高速CPU和较低速DRAM之间的缓存（cache）.SRAM也有许多种，如AsyncSRAM(异步SRAM）、SyncSRAM(同步高速SRAM）、PBSRAM(流水式突发SRAM），还有INTEL没有公布细节的CSRAM等。不管是哪种SRAM，其基本的原理大都是通过两个首尾...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 单端口SRAM,双端口SRAM,SRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-07-09 14:52:00

• 双端口SRAM如何提高系统的整体性能
• SRAM以其高速、静态的优点广泛应用于各种数字设备中，多被用作不同部件之间的缓冲，尤其在计算机体系架构中扮演着重要的角色，即嵌入到CPU内部的高速缓存（Cache）。计算机的处理速度在高速增长，为了提供足够的数据缓存能力，随着集成电路制造工艺的发展，嵌入式SRAM的存储单元的面积也在以约0.5倍每代的速度减小，在45nm工艺节点嵌入式SRAM的密度已可以达到150Mb/cm2。双端口SRAM（Dual-PortSRAM,DP-SRAM）凭借其两个端口可以同时进行读写的能力在SRAM领域占有重要的一席之地，尤其在多核、实时信号处理系统中有着广泛的应用。由于功耗的限制，片上系统（Systemon...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 双端口SRAM,SRAM,单端口SRAM,嵌入式SRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-07-06 16:31:00

• 串口SRAM和并口SRAM的引脚区别
• 首先来看一下并口和串口的区别：引脚的区别：串口SRAM（或其它存储器）通常有如下的示意图：串口SRAM引脚引脚只有SCK,CS#,SI,SO,HOLDB,VCC,VSS不到8个，一般遵循SPI协议，并口SRAM引脚很多，串口SRAM引脚很少。大部分SRAM是并口（parallel）操作的，也有少部分奇葩是串口协议的。并口的SRAM通常有如下的示意图：并口SRAM引脚引脚密密麻麻接近50个，包含地址、IO、使能信号、电源等。其中地址通常和容量有关系，这里是1Mb的容量，地址有16个（A15-A0）;其中IO通常是8的倍数，这里是16个（IO15-IO0）;使能信号CE#，WE#，OE#，BHE...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 串口SRAM,并口SRAM,SRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-06-17 16:30:00

• ISSIIS62WV20488EALL低电压2Mx8并口SRAM
• ISSIIS62WV20488EALL/BL和IS65WV20488EALL/BLL是高速16M位SRAM，组织为2M字乘8位。它主要是使用ISSI的高性能CMOS技术制造的。这种高度可靠的工艺再加上创新的电路设计技术，生产出高性能优质和低功耗的设备。当为高电平（取消选择）或CS2为低电平（取消选择）时，器件将会进入待机模式，在该模式下可以通过CMOS输入电平降低功耗。使用芯片能和输出使能输入可轻松扩展存储器。激活的LOWWriteEnable（低写使能）控制存储器的写入和读取。IS62WV20488EALL均采用JEDEC标准的48引脚微型BGA（6mmx8mm）封装。ISSI代理商宇芯电...
• 所属专栏： 新品推荐活动 标签： 并口SRAM,IS62WV20488EALL,ISSI,SRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-06-01 15:22:00

• 如何减小SRAM读写操作时的串扰
• 静态存储器SRAM是一款不需要刷新电路即能保存它内部存储数据的存储器。在SRAM存储阵列的设计中，经常会出现串扰问题发生。那么要如何减小如何减小SRAM读写操作时的串扰，以及提高SRAM的可靠性呢，下面由宇芯电子来简单介绍。设计结果与仿真分析图1为脉冲产生电路通过analogEnvironment的仿真波形图。当地址产生变化，由于信号经过的延迟路径长短不同而产生了脉冲，当V1脉冲生成时，作为灵敏放大器输入端电位平衡的控制信号，缩短了预充时间，大大提高了读取速度。V2作为位线预充电路的控制信号，避免了数据读写时发生错误。V3和V4作为字线放电电路的控制信号，只有当V3和V4同时为低电平时，字线...
• 所属专栏： 技术交流 标签： SRAM读写操作,SRAM,SRAM串扰 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-05-20 15:30:00

• ​MicrochipSPI串行SRAM和NVSRAM器件
• Microchip的SRAM和NVSRAM系列（SPI串行SRAM和NVSRAM设备）提供了一种轻松添加外部RAM的方式，且具有以下特性功能特性低功耗CMOS技术：4μA最大待机电流标准4引脚SPI接口：芯片选择、数据输入、数据输出和时钟无限写入存储器、零写入时间提供备用电池（512Kb、1Mb）32字节页面高速SDI(2x)和SQI(4x)模式支持，高达80Mb/s工业温度范围：-40°C至+85°C小型8引线SOIC、TSSOP和PDIP封装Microchip的串行SRAM系列提供了一种几乎能在任何应用上添加外置RAM的方法，这种方法成本相对低廉、操作简单。相比传统并行SRAM，这些8引...
• 所属专栏： 技术交流 标签： ​Microchip,SPI串行SRAM,串行SRAM 发帖人：英尚微电子 发帖时间：2020-02-18 16:10:00