• 为什么我测试的合科泰HT7550-1静态电流这么高
• 这是原理图万用表串在12V输入处，测试出的电流是2.45mA，和说明书上面的2-3uA相差很远，5V输出没有接任何元件。
• 所属专栏： 技术交流 标签： 提问 静态电流 7550 发帖人：小兵GTS 发帖时间：2024-04-16 14:44:00

• 单元测试/集成测试自动化工具--WinAMS
• CoverageMasterwinAMS:适用于嵌入式目标机代码的单元测试/集成测试工具全面支持嵌入式微机！验证嵌入式C/C++软件实施以模块为单位的自动化单元测试工具不需要HookCode直接使用目标机代码进行单元测试联合静态解析工具[CasePlayer2]，提供C0（语句）,C1（判定）,MC/DC覆盖率报告，优化测试用例制作已取得第三方认证机构TUVSUD对适用于汽车机能安全ISO26262软件工具的认证产品概要[CoveragemasterwinAMS]是以嵌入式软件的函数为单位，实施模块单元测试以及C0/C1/MCDC覆盖率测试（coveragetest）的嵌入式软件自动化单元测...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 单元测试 白盒测试 嵌入式软件 静态分析 动态测试 发帖人：Tommmy 发帖时间：2022-08-24 11:21:00

• 低压差的LED线性恒流驱动器【惠海H7301】是一款低静态电流、电流可扩展到3.0
• 1.品牌名称：惠海半导体2方案特点：H7301是一款高精度降压型LED线笥恒流驱动芯片。芯片工作在电感电流临界连续模式，适用于2.5V-24V全范围输入电压的非隔离降压型LED恒流电源。H7301芯片内部集成500V功率开关，采用退磁检测技术和高压JFET供电技术，无需VCC电容和启动电阻，使其外围器件更简单，节约了外围的成本和体积。H7301芯片内置高精度的电流采样电路，同时采用了恒流控制技术，实现高精度的LED恒流输出和优异的线电压调整率。芯片工作在电感电流临界模式，输出电流不随电感量和LED工作电压的变化而变化，实现优异的负载调整率。H7301具有多重保护功能，包括LED短路保护，芯片...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 低压差，线性恒流，低静态 发帖人：ruisir 发帖时间：2020-11-24 11:37:00

• 低压差线性恒流IC低压灯带零压降恒流芯片-低静态电流高效率
• H7306是一种带PWM调光功能的线性降压LED恒流驱动器，仅需外接一个电阻和一个NMOS管就可以构成一个完整的LED恒流驱动电路，调节该外接电阻就可以调节输出电流，输出电流可调范围为10mA到2000mA。H7306内置过热保护功能，可有效保护芯片及MOS管，避免因过热而造成损坏。H7306具有很低的静态电流，典型值为49uA。H7306带PWM调光功能，可通过在DIM脚加PWM信号调节LED电流。H7306采用ESOP-8无铅环保封装特点：1、电源电压：2.5V~48V2、低静态电流：49uA3、输出电流：10mA到2000mA4、PWM调光：高频率10KHz5、输出电流精度：优于±4%...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 低压差，线性，恒流，低静态电流，高效率 发帖人：ruisir 发帖时间：2020-11-24 11:11:00

• SRAM是什么存储器
• 静态数据随机存储器存储器（SRAM）是随机存储器存储器的一种。说白了的“静态数据”，就是指这类存储器要是维持接电源，里边存储的数据信息就可以恒常维持。相对性下，动态性随机存储器存储器（DRAM）里边所存储的数据信息就必须周期性地升级。殊不知，当能源供应终止时，SRAM存储的数据信息依然会消退，这与在关闭电源后还能存储材料的ROM或闪存芯片是不一样的。SRAM不用更新电源电路即能储存它內部储存的数据信息。而DRAM每过一段时间，要更新电池充电一次，不然內部的数据信息即会消退，因而SRAM具备较高的特性，可是SRAM也是有它的缺陷，即它的处理速度较低，功能损耗较DRAM大，同样容积的DRAM运行...
• 所属专栏： 技术交流 标签： SRAM,SRAM存储器,静态随机存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-08-10 16:46:00

• 静态随机存储器SRAM面临两大问题挑战
• SRAM是可在任何CMOS工艺中“免费获得”的存储器。自CMOS诞生以来，SRAM一直是任何新CMOS工艺的开发和生产制造的技术驱动力。利用最新的所谓的“深度学习领域专用域结构”（DSA），每个芯片上的SRAM数量已达到数百兆位。这导致了两个具体挑战。接下来由专注于代理销售SRAM、SDRAM、MRAM、Flash等存储芯片的宇芯电子介绍关于SRAM两大问题挑战。第一个挑战是使用FinFET晶体管的最新CMOS技术使单元尺寸的效率越来越低。在图1中可以看到这一点，其中SRAM单元大小是CMOS技术节点的函数。图1：过去30年中6晶体管SRAM单元尺寸的缩小趋势。一旦FinFET晶体管成为CM...
• 所属专栏： 技术交流 标签： SRAM,静态随机存储器,SRAM存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-07-28 16:22:00

• 静态SDRAM和动态SDRAM的区别
• SDRAM有一个同步接口，在响应控制输入前会等待一个时钟信号，这样就能和计算机的系统总线同步。时钟被用来驱动一个有限状态机，对进入的指令进行管线(Pipeline)操作。这使得SDRAM与没有同步接口的异步DRAM相比，可以有一个更复杂的操作模式。下面宇芯电子介绍关于静态SDRAM和动态SDRAM的区别。静态记忆假设我们要将16Mb存储器连接到FPGA。16Mb表示内存可容纳1600万位（准确地说是16777216位）。现在，很少对比特进行单独寻址，而是通常以8或16的数据包（我们称其为字）进行寻址。因此，如果我们的16Mb存储器被组织为16位的1M字，则需要20位地址总线和16位数据总线，...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 静态SDRAM,动态SDRAM,SDRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-06-24 13:48:00

• 存储单元结构分类
• 静态RAM的基本构造块是SRAM存储单元。通过升高字线的电平触发存储单元，再通过位线对所触发的存储单元进行读出或写入。在静态CMOS存储器中，存储单元阵列将会占去整个存储器芯片面积的一半以上，在一些大容量的SRAM中，这个比例还要更大一些。因而减小存储单元的面积变得尤为重要。在存储器中有大量的存储元，把它们按相同的位划分为组，组内所有的存储元同时进行读出或写入操作，这样的一组存储元称为一个存储单元。一个存储单元通常可以存放一个字节；存储单元是CPU访问存储器的基本单位.从结构上分，CMOSSRAM存储单元有电阻-晶体管结构（4T-2R存储单元）和静态六管全互补结构（6T存储单元）。图14T-...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 静态RAM,SRAM,CMOS SRAM,存储单元 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-04-30 16:59:00

• 静态随机存储SRAM工艺
• 基于传统六晶体管(6T)存储单元的静态RAM存储器块一直是许多嵌入式设计中使用ASIC/SoC实现的开发人员所采用的利器，因为这种存储器结构非常适合主流的CMOS工艺流程，不需要增添任何额外的工艺步骤。如图1a中所示的那样，基本交织耦合锁存器和有源负载单元组成了6T存储单元，这种单元可以用于容量从数位到几兆位的存储器阵列。经过精心设计的这种存储器阵列可以满足许多不同的性能要求，具体要求取决于设计师是否选用针对高性能或低功率优化过的CMOS工艺。高性能工艺生产的SRAM块的存取时间在130nm工艺时可以轻松低于5ns，而低功率工艺生产的存储器块的存取时间一-般要大于10ns。存储单元的静态特性...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 静态随机存储SRAM,SRAM,SRAM工艺 发帖人：英尚微电子 发帖时间：2020-03-02 16:26:00

• LDO4-40V输入adj300mA输出低静态
• LDO4-40V输入adj300mA输出低静态型号：SY6345AAC品牌：矽力杰silergy购买链接：http://www.szlcsc.com/product/details_99328.html数据手册链接：http://www.szlcsc.com/product/pdf/A_500CBBBA061B8261.PDF
• 所属专栏： 方案应用展 标签： LDO 4-40V输入 adj 300mA输出 低静态 发帖人：Auhiac 发帖时间：2017-07-25 16:44:00