• FRAM的应用场景
• FRAM由于其寿命长、读写速度快等优势，因此主要应用于RFID、便携式的医疗设备、可穿戴设备、IOT设备以及车载设备等。1.汽车：汽车行业对FRAM的需求正在快速增长。随着车用微控制器和传感器的广泛使用，汽车电子系统对数据存储的需求快速上升。智能安全气囊和先进的记忆系统已在高端汽车中应用，随着时间推移会慢慢进入大众市场。FRAM现在已应用于智能气囊、自动驾驶辅助系统（ADAS）、导航和信息娱乐系统、发动机控制单元（ECU）、事件数据记录器（EDR）、动力总成系统和电池管理系统（BMS）。2.计量：FRAM是电力计量系统中使用的主要存储器，由于具有高耐用性、快速写入和低能耗等优点，FRAM在此...
• 所属专栏： 技术交流 标签： FRAM,铁电存储器芯片 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2021-05-12 16:30:00

• 如何使FRAMMCU速度更快所需功耗最低
• 采用FRAM的MCU为何就能具有诸多优势呢?举例说明:TI做了一个实验，如果要写13Kbps的数据到DRAM里需要花1秒时间，大约要用2200uA的功耗去做写的功能，但如果用FRAM来做只要10ms、9uA就可以把数据写完。通过比较可以看到，如果要写很多数据到Flash等传统存储器里，FRAM速度会更快而所需功耗却最低。从擦写数据次数来看，一般存储器写一万来次就到了极限，可FRAM可以在写了10次方后仍可继续进行擦写操作。由于FRAM速度和SDRAM写的速度差不多相同，在整个MCU架构里，TI做了整体化的类选，就是说放16个FRAM在1个MCU里，这时候FRAM可以当SDRAM使用，也可以充...
• 所属专栏： 技术交流 标签： FRAM,MCU,存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-11-30 17:26:00

• 实例说明写入FRAM的零时钟周期延迟的影响
• 写入FRAM的零时钟周期延迟一个典型的EEPROM需要5毫秒的写周期时间，以将其页面数据转移到非易失性EEPROM内。当需要写入几千字节的数据时，会导致写入时间较长。相比之下的FRAM不会使这种写操作变慢;所有写操作按总线速率进行，并非基于存储器延迟。下面两个实例和图1说明写延迟的影响。实例1:需要2毫秒将256字节的页面数据通过1MHz1C总线从控制器传输到EEPROM页面内。然后需要5毫秒将数据写入到EEPROM内。具有密度为1Mbit和页面大小为256个字节的1MHzCEEPROM需要28毫秒来备份1Kb数据（4x2ms+4x5ms）。然而使用FRAM时，只要8毫秒（4x2ms）便可以...
• 所属专栏： 技术交流 标签： FRAM,铁电存储器,EEPROM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-09-28 14:56:00

• 针对汽车市场的FRAM
• 这些年来，汽车产品对电子产品的依赖性日益增强。从前的机械系统转移到电子控制单元（ECU）。针对汽车产品安全和用户娱乐目的的新系统所面对的问题是高度复杂性和大量资源的要求。汽车电子子系统概述汽车电子子系统被划分为即独立又互相连接的子系统。每个子系统负责处理一项特定的任务，其范围和复杂程度可能不同，但是都从一个简单的射频控制接口到一个复杂的避免冲突的系统。然而这些子系统共享了一些基本的结构，例如微控制器单元（MCU）、CAN、OBD2和以太网形式的系统总线接口、输入传感器和输出控制逻辑。此外多个子系统需要及时和持续地存储数据，因此需要提高性能和耐久性设计，在这种情况下的CypressFRAM既为...
• 所属专栏： 技术交流 标签： FRAM,铁电存储器,Cypress 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-09-24 16:15:00

• FRAM的未来是更高的密度
• 最近出现的许多内存问题都以3DXpoint的形式出现在ReRAM，MRAM和PCRAM上。但是铁电RAM（FRAM）在小型利基设备中得到了成功。去年对新兴内存年报，吹捧的ReRAM，MRAM和PCRAM的三个关键新兴的记忆保持在眼睛上。但它也指出，FRAM已在诸如大众运输卡，游戏系统和功率计之类的特定市场证明了自己，其主要吸引力在于执行写入操作时的低功耗。FRAM产品已经存在很长时间了，主要是作为缓冲应用程序的专用缓存。甚至还有一些灵活的FRAM器件，“但对于利基应用，它们的密度相对较低。实际上，FRAM已经存在了35年。它的非易失性和低功耗是它继续受到关注的原因，因为它对许多应用程序都至关...
• 所属专栏： 技术交流 标签： FRAM,铁电RAM,铁电存储器,非易失性存储器,高密度FRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-07-24 15:26:00

• 汽车导航系统应用富士通FRAM铁电存储器MB85R2001
• MB85R2001是一种富士通FRAM芯片，由262,144字×8位非易失性存储单元组成，这些单元使用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术创建。能够保留数据，而无需使用SRAM所需的备用电池。MB85R2001中使用的存储单元可用于1010次读/写操作，与Flash存储器和E2PROM支持的读和写操作数量相比，有了显着改进。使用与常规异步SRAM兼容的伪SRAM接口。富士通的MB85R2001和MB85R2002具有非易失性存储器，具有高速数据写入，低功耗和提供大量写入周期的能力。框图MB85R2001和MB85R2002FRAM芯片是汽车导航系统，多功能打印机，测量仪器和其他高级应用的理想选择，...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 富士通FRAM,铁电存储器,MB85R2001,汽车导航FRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-06-28 16:19:00

• FRAM铁电存储器在汽车应用方面的优势
• 相比于其他市场，汽车市场更为关注技术成熟度。目前FRAM在汽车行业的销售数量已超过8亿台，技术已相当成熟，汽车行业的客户完全可以对此放心无忧为什么要在汽车中使用“FRAM”?与EEPROM和FLASH非易失性内存相比，FRAM在EDR应用上有三大关键优势。对于那些有精确时间要求的应用来说，FRAM会立即具备非易失性。这些应用在系统发生故障时，最重要的数据，如数据记录器通常会面临风险。FRAM擦写周期为10E+14，而EEROM为10E+6，FLASH为10E+5，。因此FRAM是数据记录器的理想选择，其数据可持续写入。FRAM的读写操作功耗低，对于具有独立有限电源如电池或电容的应用来说，尤其...
• 所属专栏： 技术交流 标签： FRAM,铁电存储器,FRAM铁电存储器,汽车应用FRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-05-22 16:04:00

• 铁电存储器FRAM的结构及特长
• 铁电存储器FRAM是一种随机存取存储器，它将动态随机存取存储器DRAM的快速读取和写入访问——它是个人电脑存储中最常用的类型——与在电源关掉后保留数据能力（就像其他稳定的存储设备一样，如只读存储器和闪存）结合起来。铁电存储器是一种特殊工艺的非易失性的存储器，是采用人工合成的铅锆钛(PZT)材料形成存储器结晶体。FRAM的结构FRAM记忆元件使用了铁电膜（Ferroelectricfilm）。富士通的FRAM里使用了PZT（锆钛酸铅）的铁电物质，其结晶结构如下图所示。图1铁电存储器的结晶结构方格中的Zr（锆）或Ti（钛）离子有两个稳定点，其性质是在外部电场作用下会改变位置（铁电性）。定位于任一...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 铁电存储器,FRAM,FRAM结构 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-05-07 16:13:00

• 每秒54Mb速度传输数据的富士通FRAM
• FRAM铁电随机存储器是一种融合了在断电的情况下也能保留数据的非易失性、随机存取两个特长的铁电存储器。FRAM能保持数据，不仅不需要备用电池，而且在写入、读写耐久性和功耗性能方面具有相当优越性。FRAM产品可分为两个系列。分别是以SOP/SON等封装产品形式提供的“独立存储器”和FRAM内置的RFID用LSI以及验证LSI等的“FRAM内置LSI”。根据客户要求开发和供应最大限度发挥应用优势及性能的FRAM内置定制LSI。富士通开发出了能够以54Mbyte/秒的速度传输数据。在QuadSPI接口非易失性RAM市场里最大容量的MB85RQ4ML4MbitFRAM。速度传输数据对比MB85RQ4...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 富士通FRAM,FRAM,FRAM铁电随机存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-04-15 14:42:00

• 富士通FRAM为无电池技术提供了解决方案
• 富士通半导体主要提供高质量、高可靠性的非易失性铁电存储器FRAM，迄今为止已具有17年以上的量产经验。FRAM应用于智能卡及IC卡等卡片领域、电力仪表及产业设备等产业领域，以及医疗设备及医疗RFID标签等医疗领域。近年来，还被应用于可穿戴设备和工业机器人以及无人机中。非易失性FRAM存储器芯片，无需保持数据的电池，所以保持数据时不产生能耗。而且写入时间较通用EEPROM及闪存要短，具有写入能耗低的优点。由于铁电存储器不像动态随机存取存储器DRAM和SRAM一样密集（即在同样的空间中不能存储像它们一样多的数据），它很可能不能取代这些技术。仅仅通过能量回收产生的微小电动势，就能将数据写入FRAM...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 富士通FRAM,FRAM,无电池技术FRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-04-15 14:40:00