用途：碳化硅SiC作为第三代半导体材料,是制造高温、高频、大功率半导体器件的理想衬底材料，综合性能较硅材料可提升上千倍。碳化硅材料具有高禁带宽度、高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等特点，其器件具有高频、大功率、低损耗、耐高压、耐高温、抗辐射能力强等优势。被誉为固态光源、电力电子、微波射频器件的“核芯”，是光电子和微电子等产业的“新发动机”。SiC碳化硅器件已经在5G移动通信、智能电网、电动汽车、轨道交通、新能源并网、开关电源、工业电机以及家用电器等领域得到应用，并展现出良好的发展前景。

特点：萨科微slkor的研发团队来至国内外著名高校,和IR、英飞凌、ROHM等电力电子设计公司，掌握了国际上最先进的工艺并且拥有自主知识产权。SiC碳化硅器件的优势主要表现在：（1）导通电阻是硅器件的近千分之一（在相同的电压/电流等级），可以大大降低器件的导通损耗；（2）开关频率是硅器件的20倍，可以大大减小电路中储能元件的体积，从而成倍地减小设备体积，减少贵重金属等材料的消耗；（3）理论上可以在600 ℃以上的高温环境下工作，并有抗辐射的优势，可以大大提高系统的可靠性，在能源转换领域具有巨大的技术优势和应用价值。

产品已经在比亚迪汽车、国电南瑞等公司小规模使用，品质接近国外同类型产品，个别的指标甚至更好。为核心的电子元器件的国产化做出了积极的贡献！

萨科微可替代的国际品牌产品：

SL36N120A   替代    cree科锐  C2M0080120D     ROHM罗姆   SCT2080KE

SL50N120A   替代    cree科锐  C2M0040120D     ROHM罗姆   SCT3040KL

SL6510B     替代    cree科锐  C3D06065A，      ROHM罗姆   SCS310AHG

SL6520B     替代    cree科锐  C3D16065A        ROHM罗姆   SCS320AHG