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IS61LV25616国产SRAM芯片替换
英尚微电子
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发表于2020-03-17 16:52:00 | 显示全部楼层
1# 电梯直达

一款针对IS61LV25616芯片进行兼容替换的SRAM国产芯片,型号,容量4Mbit (256K×16/512K×8) Asynchronous SRAM,工作电压采用宽电压 2.2 V to 3.6 V, 10/12 ns的高速读取速度,二个封装选项:48球FBGA和44管脚TSOP (II),客户可根据自身的应用需求来选择最适合的封装方案,EMI504WF16VA-10I结合先进工艺结合X免刷新专利技术,在大容量,高速性能和高可靠性方面完全可以匹敌同类SRAM,同时具有较低功耗和更低的成本,并且与所有同类型SRAM产品硬件完全兼容,满足各种应用系统对高性能和低成本的要求。


规格书下载:

2Mb_Fast SRAM_EMI.pdf 

4Mb Fast SRAM_EMI.pdf 

8Mb Fast SRAM_EMI.pdf 

16Mb Fast SRAM_EMI.pdf 


型号表

 

www.sramsun.com SRAM芯片/非易失性MRAM芯片/PSRAM伪静态存储芯片 TEL:13751192923 QQ3161422826
英尚微电子
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发表于2021-07-08 10:45:34   |  显示全部楼层
2#
可提供样品测试,有需要的话可以联系13751192923(微信同号)
www.sramsun.com SRAM芯片/非易失性MRAM芯片/PSRAM伪静态存储芯片 TEL:13751192923 QQ3161422826

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