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Everspin MRAM小尺寸MR4A16B存储器

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发表于2020-04-23 15:59:12 | 显示全部楼层
1# 电梯直达

Everspin的MRAM技术具高可靠性、快速读/写、即时开启、非挥发性、和无限次擦除等特性。Everspin的产品组合包括提供BGA和TSOP两种可选封装、容量从256Kb到16Mb的8位和16位并行I/O产品,以及采用DFN封装、容量从256Kb到1Mb的串行I/O产品。


MR4A16B是一款3.3V、并行I/O非挥发RAM,其超快的存取周期仅为35ns,并允许无限制的读/写循环。在每次写入后,资料能持续保存超过20年。与其它存储器不同,MRAM还可免除因宇宙射线所产生的软错误率(SER, soft error rate)。这款16Mb MRAM由位宽为16的1,048,576个字组成。引脚和功能可与异步SRAM兼容。MR4A16B目标应用为工业自动化、机器人、网络和数据储存、多功能打印机、以及其它许多传统受限于需采用SRAM设计的系统。


MR4A16B提供小尺寸48引脚球栅阵列(BGA)封装和54引脚的薄形小尺寸(TSOPII)封装两种形式。这些封装均能与相似的低功率sram产品和其它非挥发RAM产品兼容。16Mb MRAM系列包括商业级(0℃至+70℃)和工业级(-40℃至+85℃)两种温度范围。



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发表于2020-04-23 16:00:43   |  显示全部楼层
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MR4A16B提供小尺寸48引脚球栅阵列(BGA)封装和54引脚的薄形小尺寸(TSOPII)封装两种形式。这些封装均能与相似的低功率sram产品和其它非挥发RAM产品兼容。

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发表于2020-04-23 16:00:43   |  显示全部楼层
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MR4A16B提供小尺寸48引脚球栅阵列(BGA)封装和54引脚的薄形小尺寸(TSOPII)封装两种形式。这些封装均能与相似的低功率sram产品和其它非挥发RAM产品兼容。

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