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Everspin MRAM技术的可靠性
是酒窝啊
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发表于2020-06-02 15:34:33 | 显示全部楼层
1# 电梯直达

与大多数其他半导体存储技术不同,数据存储为磁性状态而不是电荷,并通过测量电阻来感测而不干扰磁性状态。使用磁性状态进行存储有两个主要好处。首先磁极化不会像电荷一样随时间泄漏,因此即使关闭电源,信息也会被存储。其次在两种状态之间切换磁极化不涉及电子或原子的实际运动,因此不存在已知的磨损机制。


Everspin MRAM器件旨在结合非易失性存储器和RAM的最佳功能,为越来越多的电子系统提供“即时接通”功能和断电保护。


Everspin MRAM技术产品组合

 

Everspin切换MRAM技术


 


Everspin MRAM与标准CMOS处理集成Everspin MRAM基于与CMOS处理集成的磁存储元件。每个存储元件都将一个磁性隧道结(MTJ)器件用于存储单元。


 

磁性隧道结存储元件

磁性隧道结(MTJ)存储元件由固定磁性层,薄介电隧道势垒和自由磁性层组成。当对MTJ施加偏压时,被磁性层自旋极化的电子将通过称为隧穿的过程穿过介质阻挡层。


当自由层的磁矩平行于固定层时,MTJ器件具有低电阻,而当自由层磁矩与固定层矩反平行时,MTJ器件具有高电阻。电阻随设备磁性状态的变化是一种被称为磁阻的效应,因此被称为“磁阻” RAM。


 

宇芯电子主要产品线有静态随机存储器SRAM,非易发性存储器MRAM,伪静态存储器PSRAM等多种类型随机记忆体及微控制器MCU等半导体产品,189-2655-4009
是酒窝啊
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发表于2020-06-02 15:35:45   |  显示全部楼层
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Everspin MRAM与标准CMOS处理集成Everspin MRAM基于与CMOS处理集成的磁存储元件。每个存储元件都将一个磁性隧道结(MTJ)器件用于存储单元。
宇芯电子主要产品线有静态随机存储器SRAM,非易发性存储器MRAM,伪静态存储器PSRAM等多种类型随机记忆体及微控制器MCU等半导体产品,189-2655-4009

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