武汉新芯一家领先的非易失性存储供应商，宣布其采用50nm Floating Gate工艺SPI Nor Flash宽电压产品系列XM25QWxxC全线量产，产品容量覆盖16Mb到256Mb。该系列支持低功耗宽电压工作，为物联网、可穿戴设备和其它功耗敏感应用提供灵活的设计方案。

XM25QWxxC产品系列除了支持SOP8和USON8小尺寸封装，在中高容量产品也将针对可穿戴设备等尺寸受限的应用推出WLCSP封装，协助客户将空间利用发挥到极致。全线产品支持KGD解决方案，并为客户提供RDL服务，满足客户定制化的SiP需求。

XM25QWxxC系列产品在1.65V至3.6V电压范围内读取速度可达133MHz（在所有单/双/四通道和QPI模式下均支持），工作温度范围可达-40℃到105℃。在电源电压下降后，时钟速度没有任何减慢，其传输速率可以胜过8位和16位并行闪存。在连续读取模式下能实现高效的存储器访问，仅需8个时钟的指令周期即可读取24位地址，从而实现真正的XIP操作。

XM25QWxxC系列产品采用业界先进的50nm FloaTIng Gate工艺，在性能和成本方面进一步提高了竞争力。针对快速发展的IoT和5G市场，武汉新芯将持续投入研发自有品牌的闪存产品，不断拓展产品线，为客户带来更多高性价比的产品与解决方案。