GlobalFoundries(格罗方德半导体有限公司)今年2月份宣布已在其22FDX平台上为物联网和汽车应用交付了首个可投入生产的eMRAM。并表示其先进的eMRAM为低功耗，非易失性代码和数据存储应用提供了一种经济高效的解决方案。

GF表示已进入生产阶段，并计划与多个客户合作，并计划在2020年实现多个生产磁带。GF的eMRAM旨在替代大容量嵌入式NOR闪存（eFLASH）。GF表示其eMRAM已通过了五项严格的实际焊锡回流测试，并在-40°C至125°C的温度范围内显示了100,000个循环的耐久性和10年的数据保留。FDXeMRAM解决方案支持AEC-Q100质量2级设计，并且正在开发中，以支持明年的AEC-Q100质量1级解决方案。

与当今广泛使用的eFlash相比，eMRAM具有许多优势，它不涉及电荷或电流，而是使用磁存储元件，并依赖于读取由薄势垒分隔的两个铁磁膜的磁各向异性。该方法在写入数据之前不需要擦除周期，这意味着更高的性能。此外可以使用现代工艺技术生产MRAM，并且具有很高的耐久性。

GF现在提供定制设计套件，其中包含经过嵌入式芯片验证的MRAM，范围从4到48兆位，并提供MRAM内置自测支持选项。GF正在其位于德国德累斯顿Fab1的300毫米生产线中支持eMRAM。GF的eMRAM技术已获得Everspin MRAM公司的许可。