Everspin Technologies总部位于亚利桑那州钱德勒，主要是设计和制造MRAM、STT-MRAM的全球领导者，Everspin所生产的MRAM产品包括40nm，28nm及更高工艺在内的先进技术，在节点上进行了全包交钥匙的300mm大批量平面内和垂直MTJ ST-MRAM生产。其产品包装和测试业务遍及中国，台湾和其他亚洲国家。

那Everspin MRAM内存技术是如何工作的？Everspin代理下面将解析关于MRAM内存技术工作原理。

Everspin MRAM与标准CMOS处理集成

Everspin MRAM基于与CMOS处理集成的磁存储元件。每个存储元件都将一个磁性隧道结（MTJ）器件用于存储单元。

磁性隧道结存储元件

磁性隧道结（MTJ）存储元件由固定磁性层，薄介电隧道势垒和自由磁性层组成。当对MTJ施加偏压时，被磁性层自旋极化的电子将通过称为隧穿的过程穿过介质阻挡层。

当自由层的磁矩平行于固定层时，MTJ器件具有低电阻，而当自由层磁矩与固定层矩反平行时，MTJ器件具有高电阻。电阻随设备磁性状态的变化是一种被称为磁阻的效应，因此被称为“磁阻” RAM。

Everspin MRAM技术可靠

与大多数其他半导体存储技术不同，数据存储为磁性状态而不是电荷，并通过测量电阻来感测而不干扰磁性状态。使用磁性状态进行存储有两个主要好处。首先，磁极化不会像电荷一样随时间流逝而消失，因此即使关闭电源，信息也会被存储。其次，在两种状态之间切换磁极化不涉及电子或原子的实际运动，因此不存在已知的磨损机制。

Everspin MRAM特点

•消除备用电池和电容器

•非易失性工作存储器

•实时数据收集和备份

•AEC-Q100合格选件

•停电时保留数据

•延长系统寿命和可靠性

Everspin MRAM特点

•消除备用电池和电容器

•非易失性工作存储器

•实时数据收集和备份

•AEC-Q100合格选件

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