FP5207 是非同步升压控制 IC，透过 EXT Pin 控制外部 NMOS，输入低启动电压 2.8V 与宽工作电压 5V~24V，单节锂电池 3V~4.2V 应用，将 Vout 接到 HVDD Pin；精准的反馈电压 1.2V，内置软启动，工作频率由外部电阻调整；过电流保护，检测电感峰值电流，检测电阻 Rcs 接在开关 NMOS Source 端与地之间。

特色

➢ 启动电压 2.8V

➢ 工作电压范围 5V~24V

➢ 反馈电压 1.2V (±2%)

➢ 关机耗电流小于 3μA

➢ 可调工作频率 100kHz~1000kHz

➢ 内置软启动➢ 输入低电压保护(UVP)

➢ 可调过电流保护(OCP)

➢ 过温保护(OTP)

➢ 封装 SOP-8L(EP)

应用范围

➢ 蓝牙音响

➢ 充电器

➢ 移动电源

➢ 携带式产品

PIN 脚描述SOP-8L (EP)

特性曲线(环境温度 25°C)应用电路图

应用电路图

应用元件

➢ C1、C7：输入与输出稳压电容。

➢ C2、C6、C8：高频噪声滤波电容。

➢ C3：输入电源接 HVDD 经过内部稳压管到 VDS 产生 8V，此电压会提供内部电路与 EXT Pin驱动外部 Q2 的闸极，需要加稳压电容。

➢ C4、C5、C13、R1、R5：系统的补偿回路，关系到系统的稳定度。

➢ L1：电感具有储能与滤波功用，感值越大电感涟波越小，相对感值越小涟波越大。选用电感需注意电感是否适合高频操作，及电感额定饱和电流值。

➢ D1：当 Q2 截止时，D1 萧特基管导通提供电感放电回路。

➢ Q2：使用内阻低的 NMOS，Drain 端高电压等于输出 19V，耐压选用 19V 的 1.5 倍。

➢ R3：Vin 与 EN 之间接 200kΩ，自动启动 IC。

➢ R6：调整工作频率电阻。

➢ R11、R12：分压电阻设定输出电压。

➢ R8：预留作为 EMI 对策。

➢ Rcs：电感峰值电流检测与过电流保护电阻。

功能说明

a. 软启动

IC 启动时，利用软启动限制 PWM 占空比，让占空比慢慢打开，避免瞬间输入涌浪电流过大。

b. EN 开关控制

如下分压电阻 R3、R4 连接 Vin 与 EN，可以调整 FP5207 开启与关闭电压，当 EN 超过 1.5V 开启，EN 低于 1.3V 关闭，迟滞电压 0.2V 可以避免 IC 反覆开关；EN 低于 1.3V 时 EXT PWM 讯号、VDS 电压都会被关闭，HVDD 耗电流小于 3μA；不设定开启与关闭电压，R3 接 200kΩ、 R4 不接，EN 内部拑位电路限制VEN<5.5V，此外 EN Pin 不能空接(悬空)。HVDD 电压低于 5V， 不能使用 R3、R4 控制 EN 开关，例如单节锂电池3V~4.2V，输出端接到 HVDD，当 Vin 降低 EN 关闭，输出不升压，HVDD 趋近 Vin，就会低于 5V。

c. 工作频率

RT Pin 与地之间接电阻调整工作频率，频率范围 100kHz ~ 1000kHz，对应电阻 220kΩ ~ 17kΩ；当 RT Pin不接电阻(悬空)，FP5207 内部预设频率 150kHz，以下是电阻值对应工作频率图与计算公式。

d. 过电流保护

过电流检测电阻 RCS 连接 Q2 Source 端与地之间，Q2 打开电感电流通过 RCS 产生 VCS，CS检测 VCS 峰值电压，以下公式计算 RCS，0.085V 是 CS 检测电压下限值，ILP 是电感峰值电流，常数 1.3 是提供 30%的误差范围，避免 RCS,电感,频率误差，而误触发过电流保护。当触发过电流保护，EXT 占空比会缩小，限制电感电流，避免 Q2 损伤。

e. 过温保护

当 IC 内部芯片温度达到 150℃时，会将 IC 关闭，等温度降低到 120℃再恢复升压。

应用说明

a. 输入低电压应用输入电压低于 5V，象是单节锂电池应用，将 HVDD Pin 接到 Vout，如果 Vout=5V~8.5V，可以将 VDS Pin接 Vout；双节锂电池 6V~8.4V，HVDD 接输入，也可以将 VDS 接输入，提高 EXT 驱动 MOS Gate 电压，会提升转换效率；输入高于 8.5V，HVDD 接输入，VDS 不接输入。

b. 电感计算

c. 电容与萧特基选用

MLCC 陶瓷电容选用 X5R,X7R 材质，不建议使用 Y5V 材质(内阻高，电容值随温度变化大)；萧特基选用低导通电压，平均电流大于输入与电感峰值电流，耐压大于输出电压的 1.5 倍。

d. 输出电压设定输出端到 FB 接 R11，FB 到地接 R12，输出电压计算公式如下，1.2V 是 FB 反馈电压。

e. 布板说明

➢ 大电流路径走线要粗，铺铜走线最佳。

➢ 开关切换连接点 L1、Q2 的 Drain 端与 D1，走线要短与粗，铺铜走线最佳。

➢ 输入电容 C6 靠近 HVDD 与 GND Pin，达到稳压与滤波功效。

➢ 分压电阻 R11/R12 靠近 FB 与 GND Pin。

➢ FB Pin 远离开关切换点 L1、Q2 的 Drain 与 D1，避免受到干扰。

➢ 输入电容 C1/C2 的地、输出电容 C7/C8 与 Rcs 的地，铺铜走线，上下层地多打洞连接。

➢ 输出电容 C7/C8 的地一定要靠近 Rcs 的地，可以降低开关切换突波，降低输出高频噪声。

➢ Rcs 靠近 CS 与 GND pin。

➢ 板子多余空间建议铺地。

f. EMI 对策

R8 磁珠规格如下，R9 与 C9 两者靠近，且要靠近 Q2 的 Drain 与 Source；R10 与 C10 两者靠近，且要靠近D1；输出 L2 磁珠规格如下；输出电容 C8 的地靠近 Rcs 地。测试条件 Vin=9V、Vout=19V、Iout=3A，如下测试结果垂直低标 7.33dB、水平低标 15.33dB。

磁珠 FI321611U601

常见问题

a. 输出电压不准确

输出电压设定值与应用板测试值差异大，分压电阻 R11,R12 要靠近 FP5207 的 FB 与 GND Pin，GND Pin 在底部散热片，单层板走线需要特别注意，且要远离 L1,Q2 的 Drain 与 D1 开关切换点。

b. 过电流保护误动作

设定过电流保护值与应用板测试值差异大，侦测电阻 RCS 要靠近 FP5207 的 CS 与 GND Pin，GND Pin 在底部散热片，单层板走线需要特别注意。

c. HVDD 电压低于 5V，不能使用 R3、R4 控制 EN 开关

HVDD 电压低于 5V，不能使用 R3、R4 分压电阻连接 Vin 与 EN，设定 EN 开启与关闭电压，例如单节锂电池输入 3V~4.2V，HVDD 是接输出电压，当 Vin 降低 EN 关闭，输出不升压，HVDD趋近 Vin，就会低于 5V。

大瓦数应用范例

a. 应用板

b. 应用电路

c. 量测数值

Vin=12V、Vout=33V、Iout=6.1A、输出功率 200W (环温 25℃)

工作频率 :115kHz

转换效率 :95.8%

输出纹波 :250mV

元件温度 :L1=71℃、Q1=69℃、Q2=75℃、D1=82℃、D2=78℃、Rcs/Rcs1=81℃

d. PCB Layout

以上资料样品测试与技术支持由 李生（VX13691661579），可拿样品测试交流。

FP5207V062-G1.pdf 

百度了一下该芯片的使用和看了下数据手册，还是有些不解的地方

能否请问一下楼主几个问题

1.使用此芯片输出19v时是不是最大电流只有3a？

2.若想输出28v，则外围电路该如何设计？

3.能否分享一下计算软件。

十分感谢！