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C3D02065E 兼容品 Basic B1D02065E 碳化硅肖特基二极管 性能更优 ...

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发表于2021-10-27 15:48:46 | 显示全部楼层
1# 电梯直达

碳化硅作为一种宽禁带半导体材料,与传统的硅基器件相比,具有更优越的性能。碳化硅的宽禁带(3.26eV)、高临界场(3×106V/cm)和高导热系数(4.9W/cm·K)使得功率半导体器件效率更高,运行速度更快,并且在设备的成本、体积、重量等方面都得到了降低。基本半导体碳化硅肖特基二极管,具有优越的性能和极高的工作效率。

B1D02065E 是一款 650V2A6.8nC碳化硅肖特基二极管可兼容 C3D02065E 更优越的性能,零开关损耗,提高效率,降低解决方案成本,功率密度增加,实现更高的开关频率,减少对散热器的需求,减少电磁干扰。

产品特性: 

 1. 极低反向电流 

2. 无反向恢复电流  

3. 温度无关开关   

4. VF上的正温度系数

5. 卓越的浪涌电流能力  

6. 低电容电荷


产品应用:

新能源、电动汽车、智能电网、轨道交通、工业控制等领域。


 



附上B1D02065E,B1D04065E,B2D04065V, B1D06065E 等多个型号650V,1200V系列最全型号参数选型表:



 


 




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