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电梯直达
描述 CS45N06A4是硅N沟道增强型VDMOSFET，通过高密度沟槽技术获得，可降低传导损耗、提高开关性能和增强雪崩能量。该设备适合用作负载开关和PWM应用。包装形式为TO-252，符合RoHS标准。 特点 快速切换 低导通电阻（Rdson≤16米Ω) 低栅极电荷 低反向转移电容 100%单脉冲雪崩能量测试 应用 适配器和充电器的电源开关电路 LED背光驱动器 同步校正 |
发表于2022-11-26 14:51:09
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