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大功率MDD肖特基二极管参数讲解
MDD二极管桥堆
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发表于2021-12-28 15:13:17 | 只看该作者
1# 电梯直达

   肖特基二极管瞬态浪涌电流IFSM(A):

   当电器刚接通电的瞬间,由于电容对交流或脉冲的内阻很小,在刚接通电的瞬间相当于电容加上脉冲电压,产生很大的电流,或者输入电压突变,也会产生很大的电流,瞬态浪涌电流就是这一瞬间所能承受的最大电流,超过最大IFSM,管子就会击穿失效。

   正向压降VF MAX (V):

   肖特基二极管(SBD),它属一种低功耗、超高速半导体器件。最显著的特点为反向恢复时间极短(可以小到几纳秒),正向导通压降仅0.4V左右。这里的正向压降指根据二极管的伏安特性曲线,正向电压很低时,正向电流很小,几乎为零,可视为未导通。使肖特基二极管能够导通的正向最低电压则称为二极管的正向压降。


大功率肖特基二极管规格书下载:SS52B-THRU-SS5200B.pdf 


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