反向恢复时间

快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管（5us以下），工艺上多采用掺金措施，结构上有采用PN结型结构，有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管（1-2V），反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，后者则在100纳秒以下。肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管，称肖特基二极管(Schottky Barrier Diode），具有正向压降低（0.4--0.5V）、反向恢复时间很短（10-40纳秒），而且反向漏电流较大，耐压低，一般低于150V，多用于低电压场合。

击穿电压

肖特基二极管反向击穿电压大多不高于60V，最高仅约100V，限制其使用，快恢复二极管反向峰值可以到几百到几千伏，因此像在开关电源变压器次级用100V以上的高频整流二极管等只有使用快速恢复（UFRD）。

正向导通压

快恢复二极管有0.8-1.1V的正向导通压降，35-85nS的反向恢复时间，在导通和截止之间迅速转换，提高了器件的使用频率并改善了波形。快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件.

肖特基正向导通压降仅0.4V左，快回复二级馆0.6伏， 总的来说，由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响仅为RC时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。并且，MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。

快恢复二极管规格书下载：ES5AC THRU ES5JC SMC 210315.pdf