• 如何选择非易失性SRAM
• 随着半导体技术的飞速发展,各种存储器相继推出,性能不断提高。目前存储器主要有以下几种类型:静态RAM(SRAM),动态RAM(DRAM)EPROM,EEPROM，FLASHMEMORY。这里讨论一种由普通SRAM、后备电池以及相应控制电路集成的新型存储器:非易失性SRAM(NVSRAM)。为解决SRAM的数据保存问题,国外著名半导体公司率先推出了可以完全替代SRAM的NV-SRAM系列产品,国内也有同类产品相继问世。面对众多的NVSRAM产品，广大用户如何选择质优价廉的产品呢?建议用户根据以下几个性能指标和价格进行选择:一、保护数据的可靠性:指系统上、掉电期间NVSRAM是否被误写,这是NV...
• 所属专栏： 技术交流 标签： SRAM,非易失性SRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2021-01-11 16:47:00

• 用于汽车事件数据记录器中的Cypress非易失性FRAM
• CYPRESS串行非易失性存储器为关键任务数据捕获提供卓越的性能和可靠性。Excelon铁电存储器FRAM系列提供高速非易失性数据记录功能，即使在极端温度下在恶劣的汽车和工业操作环境中也可防止数据丢失。ExcelonAuto系列提供2Mb至4Mb的汽车级密度，而ExcelonUltra系列则提供4Mb至8Mb的工业级密度。这两款产品均提供低引脚数的小封装选项，使其非常适合广泛的高级汽车和工业应用。ExcelonAuto系列提供AEC-Q100扩展温度选项且符合功能安全。ExcelonUltra系列提供108MHz四通道串行外围设备接口（SPI）性能，性能优于传统存储器。Excelon系列固有...
• 所属专栏： 技术交流 标签： Cypress,非易失性FRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2021-01-05 16:10:00

• ​FRAM技术简介
• 成熟的半导体存储技术分为两类：1.RAM是随机存取存储器，具有对称的读写访问时间。2.非易失性存储器，传统上一直是ROM（只读存储器），直到浮栅技术出现。浮栅技术产生了电可擦除存储器，例如闪存和EEPROM。这些产品允许进行系统内编程，但读写访问时间不同。实际上，写访问时间可能比读访问时间大几个数量级。铁电随机存取存储器或FRAM是真正的非易失性RAM，因为它结合了RAM和非易失性存储器的优点。相对于闪存/EEPROM的写入优势和非易失性使其非常适合在没有电源的情况下存储数据。铁电性能铁电特性是一类现象锆钛酸铅（PZT）等材料。PZT具有钙钛矿晶体结构，如图1所示。中心的阳离子具有两个相等且...
• 所属专栏： 技术交流 标签： ​FRAM,非易失性RAM,非易失性存储器,铁电RAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-12-24 14:26:00

• 非易失性MRAM及其单元结构
• MRAM的优异性能使它能较快取代目前广泛采用的DRAM内存及EEPROM闪存，作为新一代计算机的内存。MRAM目前是新一代计算机内存的最佳候选者，但不是唯一的，与它同期并存的还有FRAM(铁电随机存取存储器）和OUM(Ovshinsky电统一随机存取存储器)，三者科技内涵各有所长,市场预测尚难预料。本篇文章EverspinMRAM代理商宇芯电子要介绍的是关于非易失性MRAM的单元结构。MRAM器件的结构一个二维MRAM存储阵列如图1所示,可见MRAM器件是由相互正交的字线和位线组成删格,每个MRAM单元位于字线和位线的交叉点(即格点）处。通过每条字线和每条位线的编码可对器件中某个特定的MRA...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 非易失性MRAM,MRAM,非易失性MRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-10-20 14:43:00

• FRAM低功耗设计使写非易失性数据操作消耗更少的功耗
• FRAM器件消耗的工作电流大约是EEPROM的1/3，而FRAM的待机/睡眠电流规格与EEPROM的待机/睡眠电流规格差不多。有功电流中的差异对功耗产生巨大影响，特别是当应用程（如:智能电子式电表）频繁的记录数据而使写密集时。除了EEPROM中有功电流不足，EEPROM还产生额外页编写延迟，这样导致器件在较长时间内保持活跃模式。它会使功耗增加。使用以下的公式1和公式2计算出写入FRAM和EEPROM中所需的能量值。FRAM和EEPROM中的能耗在表1中进行比较，并显示在图1中。此比较演示了相对的能耗;使用EEPROM在长时间内保持活跃状态，因为它消耗的有功电流比FRAM的大两倍。注意：在写/...
• 所属专栏： 技术交流 标签： FRAM,EEPROM,SRAM,非易失性存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-10-09 14:39:00

• 非易失性FRAM中的预充电操作
• 铁电存储器（FRAM）是一种随机存取存储器，是一种特殊工艺的非易失性的存储器，它将DRAM的快速读取和写入访问,它是个人电脑存储中最常用的类型，与在电源关掉后保留数据能力（就像其他稳定的存储设备一样，如只读存储器和闪存）结合起来。接下来宇芯电子介绍关于非易失性FRAM中的预充电操作。预充电是FRAM的内部条件，在该条件下，存储器被调适以进行新的访问。FRAM设备中的预充电操作在以下任何条件下启动：1.驱动芯片使能信号/CE至高电平2.更改高位地址位（例如，设备FM28V100的A16-A3）FRAM中的读取操作具有破坏性，因为它需要切换极化状态才能感知其状态。在初始读取之后，读取操作必须将极...
• 所属专栏： 技术交流 标签： FRAM,铁电RAM,非易失性存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-08-18 15:28:00

• 符合汽车安全和质量标准的CYPRESSFRAM
• 汽车设计人员在设计时必须考虑质量和安全性以及性能方面的考虑。汽车行业经验丰富的供应商通常会超出性能要求，赛普拉斯FRAM器件经过AEC-Q100认证，例如最高温度达到85°C或125°C-并且还拥有所有必要的认证，例如作为TS16949，支持PPAP流程，并与特定客户保持联合资格。还必须符合ISO262626功能安全标准，因此客户希望获得详细的可靠性报告和质量文件。对于Excelon-Auto设备，及时故障率（FIT）大大低于ISO26262规范在组件级别要求的阈值。嵌入式纠错码（ECC）可确保写入和读取操作中的软错误率接近零，也远优于闪存或EEPROM器件。赛普拉斯代理宇芯电子代理FRAM...
• 所属专栏： 技术交流 标签： CYPRESS FRAM,FRAM, 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-08-11 15:13:00

• 自动化控制器专用非易失性MRAMMR4A16BMA35
• Everspin了解工业市场客户的独特需求，自动化控制器在长期恶劣的工业环境中，诸如长期数据保留和极端温度支持之类的功能非常重要。通过避免使用其他非易失性存储技术所需的纠错码和损耗均衡方案，该技术的固有耐久性简化并加快了产品开发。Everspin的16兆位MR4A16BMA35MRAM专为要求极高数据可靠性和速度的应用而设计，它具有市场上最快的非易失性存储器，对称的读写性能和无限的耐用性，从而使系统设计人员受益。这些存储器功能可确保自动化设计人员每次断电时都可以确定性和安全地保留过程数据。除了性能之外，该技术还允许无电池的生态设计。EverspinMRAMMR4A16BMA3技术具高可靠性、...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 非易失性MRAM,MRAM,MR4A16BMA35 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-06-29 14:02:00

• STT-MRAM存储器技术结构图
• 目前有数家芯片制造商,正致力于开发创新出名为STT-MRAM的新一代存储器技术,然而这项技术仍存在其制造和测试等面向存在着诸多挑战.STT-MRAM（又称自旋转移转矩MRAM技术）具有在单一元件中,结合数种常规存储器的特性而获得市场的高度重视.在多年来的发展中发现,STT-MRAM具备了SRAM的速度与快闪存储器的稳定性与耐久性.STT-MRAM是透过电子自旋的磁性特性,在芯片中提供非挥发性储存的功能.STT-MRAM深受市场关注尽管,STT-MRAM这项技术看起来虽然有其优势,却也高度复杂,这就是为什么它的发展历程远比预期的时间还更长.包括三星、台积电、英特尔、GlobalFoundrie...
• 所属专栏： 技术交流 标签： STT-MRAM,非易失性MRAM,Everspin,非易失性存储技术 发帖人：英尚微电子 发帖时间：2019-12-10 16:33:00

• MRAM在哪方面适合物联网
• “事物”是指可以通过传感器读取或通过电子方式确定和控制其状态的任何事物。通过互联网，物联网将能够彼此通信并做出决策，而无需人工干预。物联网的概念意味着将对象或机器连接到互联网，以便可以收集，共享和完善数据以支持更高的人类生活质量。可以从云中存储和访问应用程序和数据。人，应用程序或其他机器做出的决策可以作为控制事物的命令发布。MRAM在哪里适合物联网？作为快速写入的非易失性存储器，MRAM可能具有许多支持物联网的应用程序。许多物联网应用程序将以间歇访问或批处理模式运行对于必须连续更新快速写入的工作存储器数据，但必须在批读取访问之间或断电时保留的情况下，MRAM是理想的选择。物联网应用，其中待机...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 非易失性MRAM,EVERSPIN,MRAM 发帖人：英尚微电子 发帖时间：2019-12-06 16:28:00