• VK1629ASOP32三线串行接口128点阵LED数显驱动IC
• 产品型号：VK1629A产品品牌：VINKA/永嘉微电/永嘉微封装形式：SOP32产品年份：新年份概述VK1629A是LED（发光二极管显示器）驱动控制专用电路，内部集成有MCU数字接口、数据锁存器、LED高压驱动等电路。主要应用于冰箱、空调、家庭影院等产品的高段位显示屏驱动。功能特点：•采用功率CMOS工艺•显示模式16段×8位•辉度调节电路（占空比8级可调）•串行接口（CLK，STB，DIO）•振荡方式：RC振荡•内置上电复位电路•采用SOP32封装VKD223EB---工作电压/电流：2.0V-5.5V/5uA-3V感应通道数：1通讯接口最长响应时间快速模式60mS，低功耗模式220m...
• 所属专栏： 技术交流 标签： VK1629A SOP32 三线串行接口 128点阵 发帖人：芒果DB 发帖时间：2022-04-08 11:44:00

• 铁电RAM为何比串行SRAM更好
• 对于特定的产品设计，关于铁电RAM为何比串行SRAM更好，有几个原因值得一提。以下各节将介绍其中的一些注意事项。优越的频率和带宽传统和ULEFRAM都比串行SRAM支持更高的SPI时钟频率。ULEFRAM支持DDR模式，从而充分利用了低引脚输出MCU。ULEFRAM的带宽是当前可用串行SRAM的五倍。ECC数据保护所有FRAM阵列均受ECC保护，并提供了附加的控制寄存器来监视ECC错误。SRAM没有此功能。结果SRAM可能会遭受损坏事件，而FRAM会检测到并纠正这些事件。降低功率在所有工作条件下，传统和ULE的FRAM都比串行SRAM消耗更少的有功功率。如果产品以内存的有功功率为主导，则FR...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 铁电RAM,串行SRAM,SRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-10-19 16:37:00

• 铁电RAM与串行SRAM替换时需要考虑的因素
• 尽管静态RAM和铁电RAM可以有完全不同的用途，但是随着SPI等标准接口的出现，这些技术在功能上有很大的重叠。本篇详细介绍了用FRAM替换SRAM时需要考虑的因素FRAM注意事项FRAM与SRAM互相代替时，需要提及一些细微之处。本篇文章介绍这些细微差别，并重点介绍可以采取的缓解措施。当采取这些预防措施时，重要的是要了解所使用的FRAM版本。传统的FRAM部件仅实现单个位SPI接口，而ULEFRAM具有许多可以使用的不同操作模式。注册访问串行SRAM具有单个状态寄存器，如下表所示：应该注意的是，状态寄存器很少使用SRAM-它在运行时不包含任何值信息。对该寄存器的访问与任一版本的FRAM不兼容...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 铁电RAM,串行SRAM,SRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-10-16 15:12:00

• 串行MRAM消耗的能量
• MR25H256是一个串行MRAM，具有使用串行外围设备接口的芯片选择（CS），串行输入（SI），串行输出（SO）和串行时钟（SCK）的四针接口在逻辑上组织为32Kx8的存储器阵列。SPI）总线。串行MRAM实现了当今SPIEEPROM和闪存组件通用的命令子集，从而允许MRAM替换同一插槽中的这些组件并在共享SPI总线上进行互操作。与可用的串行存储器替代方案相比，串行MRAM具有卓越的写入速度，无限的耐用性，低待机和运行能力以及更可靠的数据保留。对于MRAM，基于EverspinTechnologies的256kb串行SPIMRAMMR25H256进行评估。表3显示，当使用去耦电容器的所有能...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 串行MRAM,MRAM,非易失性存储器,串行SPI MRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-09-04 14:01:00

• MR10Q010-1Mb四路输出高速串行SPIMRAM
• 1Mb串行MRAM具有四个串行I/O路径，旨在提高读/写速度并减少时钟周期。EverspinTechnologies的具有QuadSPI接口的MR10Q010提供高达104MHz的时钟速度和52MB/s的读/写带宽。MRAM专为需要对数据进行高频写入的应用而设计，可提供与并行I/OMRAM相当的读取/写入带宽。它还允许就地执行（XIP）操作。Everspin代理商宇芯电子可提供技术支持及产品应用解决方案等产品服务。EverspinMRAM这款高性能设备可以以104MHz的速度读取和写入数据，而不会在其他非易失性技术（例如NORFlash）中遇到写入延迟。结合无限的写周期耐久性，MR10Q01...
• 所属专栏： 新品推荐活动 标签： 串行SPI MRAM,​1Mb串行MRAM,Everspin MRAM,MR10Q010 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-08-06 16:36:00

• EverspinMRAM通过合作伙伴关系不断发展其生态系统
• Everspin在磁存储器设计，制造和交付到相关应用中的知识和经验在半导体行业中是独一无二的。Everspin拥有600多项有效专利和申请的知识产权，在平面和垂直磁隧道结（MTJ）STT-MRAM位单元的开发方面均处于市场领先地位。Everspin代理宇芯电子为客户提供应用解决方案等技术支持。Everspin与GlobalFoundries有合作的历史，并且通过不断地调整配方，在工厂中进行微调制造已有十多年了。能够迅速增加知识并将其转移到GlobalFoundries。在生产中有两种类型的MRAM-触发MRAM和STTMRAM，后者确实需要启用控制器或FPGA。Everspin将继续发展生态...
• 所属专栏： 技术交流 标签： MRAM,Everspin MRAM,MRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-07-31 15:03:00

• EverspinMRAM串行SPIMR25H256ACDF
• 总览MR25H256是一个串行MRAM，具有使用串行外围设备接口的芯片选择（CS），串行输入（SI），串行输出（SO）和串行时钟（SCK）的四针接口在逻辑上将存储器阵列组织为32Kx8（SPI）总线。串行MRAM实现了当今SPIEEPROM和闪存组件通用的命令子集，从而允许MRAM替换同一插槽中的这些组件并在共享SPI总线上进行互操作。与可用的串行存储器替代方案相比，串行MRAM具有卓越的写入速度，无限的耐用性，低待机和运行能力以及更可靠的数据保留。MR25H256ACDF产品图片特征•无写入延迟•无限的写续航力•数据保留超过20年•断电时自动数据保护•阻止写保护•快速，简单的SPI接口，时...
• 所属专栏： 新品推荐活动 标签： Everspin MRAM,串行MRAM,MR25H256ACDF 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-04-27 14:38:00

• 新型存储器与传统存储器介质特性对比
• 目前新型存储器上受到广泛关注的新型存储器主要有相变存储器(PCM)，其中有以英特尔与美光联合研发的3DXpoint为代表;MRAM以美国Everspin公司推出的STT-MRAM为代表;阻变存储器ReRAM，目前暂无商用产品，其代表公司是美国的Crossbar。上述新型存储器已被研究了近数十年，只是相对于早已产业化的随机存储sram、DRAM存储器、和NANDFlash，还未能大规模商用。存储器产业未来的技术发展方向仍是未知数。在非易失性MRAM存储器方面，EverspinMRAM已经有产品应用于航空航天等特定领域，并于2019年开始与格芯合作，试生产28nm制程的1GbST-MRAM产品。...
• 所属专栏： 新品推荐活动 标签： MRAM,Everspin,Everspin MRAM,Everspin STT-MRAM 1Gb 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-04-24 16:21:00

• ​MicrochipSPI串行SRAM和NVSRAM器件
• Microchip的SRAM和NVSRAM系列（SPI串行SRAM和NVSRAM设备）提供了一种轻松添加外部RAM的方式，且具有以下特性功能特性低功耗CMOS技术：4μA最大待机电流标准4引脚SPI接口：芯片选择、数据输入、数据输出和时钟无限写入存储器、零写入时间提供备用电池（512Kb、1Mb）32字节页面高速SDI(2x)和SQI(4x)模式支持，高达80Mb/s工业温度范围：-40°C至+85°C小型8引线SOIC、TSSOP和PDIP封装Microchip的串行SRAM系列提供了一种几乎能在任何应用上添加外置RAM的方法，这种方法成本相对低廉、操作简单。相比传统并行SRAM，这些8引...
• 所属专栏： 技术交流 标签： ​Microchip,SPI串行SRAM,串行SRAM 发帖人：英尚微电子 发帖时间：2020-02-18 16:10:00

• Everspin串口串行mram演示软件分析
• Everspin在磁存储器设计，制造和交付给相关应用方面的知识和经验在半导体行业中是独一无二的。在平面内和垂直磁隧道结（MTJ）STT-MRAM位单元的开发方面处于市场领先地位。包括40nm，28nm及更高工艺在内的先进技术节点上进行了全包交钥匙的300mm大批量平面内和垂直MTJST-MRAM生产。生产基于180nm，130nm和90nm工艺技术节点的MRAM产品。下面要介绍关于everspin公司MRAM演示软件分析everspin公司MRAM演示软件分析MRAM低级驱动程序通过操作系统和调度程序集成到动力总成应用程序中。读写周期由系统时钟（300MHz）测量。图1＆2显示了针对动力总成...
• 所属专栏： 技术交流 标签： Everspin,串口串行mram,串行mram 发帖人：英尚微电子 发帖时间：2020-01-19 17:03:00