• Flash存储芯片：NORFlash、NANDFlash、UFS和eMMC的比较与解析
•   前言  在数字化时代的今天，数据的存储和管理变得越来越重要。各种各样的存储技术应运而生，以满足不同的使用场景和需求。其中，Flash存储芯片以其非易失性、可擦写性和可编程性等优势，占据了重要地位。本博客将详细介绍Flash存储芯片中的NORFlash、NANDFlash、UFS和eMMC，分析它们的用途、优缺点，并对其进行比较。  1.NorFlash  1.1用途特性  NORFlash是可编程存储器的一种，因其具有直接运行应用程序的能力而广受欢迎，由于存储容量较小，一般只有几MB~几十MB，因此适合存储较小的程序和数据。由于其读取速度快且可靠性高，NORFlash在嵌入式系统和单片机...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 存储芯片 NOR Flash NAND Flash UFS eMMC 发帖人：雷龙发展 发帖时间：2024-04-03 11:55:00

• 非易失性存储器Flash和EEPROM之间的差异与优缺点
• 在嵌入式系统中，Flash和EEPROM能够存储可用于通信或执行某些功能的数据。它们可以通过多种不同的串行协议（包括SPI或串行外围设备接口）来连接存储设备。在单片机中也集成了多种不同类型的SPI存储设备，包括Flash和EEPROM。一、Flash和EEPROM之间的差异Flash和EEPROM均被视为非易失性存储器。非易失性存储器意味着该设备能够保存数据且无需持续供电，即使关闭电源也能保存数据信息。它们都是电子可写和可擦除存储器，用以存储单片机的应用程序及数据信息。这些数据可在芯片上或芯片外存储信息。尽管Flash和EEPROM设备都可以存储嵌入式设备中使用的信息，但是它们的体系结构和用...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 非易失性存储器,Flash,EEPROM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2021-01-29 14:38:00

• FRAM作为代码存储器应用中的单芯片解决方案
• 通常将采用存储器技术的应用分为可执行代码和数据任务。可执行代码要求使用非易失性存储器，并在所有条件下都能够保留存储器中的代码。数据任务则要求能够对存储器进行快速、简易且无限次数的读/写访问。会根据应用程序来决定执行数据任务的存储器是易失性的还是非易失性的。通常可执行代码的存储器采用基于ROM的技术，而数据任务的存储器则采用基于RAM的技术。作为赛普拉斯中的一款非易失性RAM产品，FRAM提供了独特的优点—它能够将可执行代码和数据组合在一个单存储器中。本篇文章介绍的是代码存储对存储器的要求.代码存储对存储器的要求◆非易失性◆相应的容量◆读取访问时间◆防止意外写入的能力◆在某部分或某段代码中的现...
• 所属专栏： 技术交流 标签： FRAM,存储器,Nand Flash 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-12-23 16:07:00

• NANDFLASH系统的权衡利弊
• NANDFLASH是一种大众化的非易失性存储器，主要是因为小型和低功耗且坚固耐用。尽管此技术适合现代存储，但在将其列入较大系统的一部分时，需要考虑许多重要特性。这些特性适用于所有类型的存储，包括耐用性，密度和性能，每千兆字节价格，错误概率和数据保留。在设计使用NANDFLASH的系统时，选择适当的特性平衡非常重要。闪存控制器还必须足够灵活，以进行适当的权衡。选择正确的闪存控制器对于确保闪存满足产品要求至关重要。闪存概述闪存单元由修改的场效应晶体管（FET）组成，在控制栅极和通道之间的绝缘层中具有额外的“浮置”栅极。通过施加高压将电荷注入到浮栅上（或从浮栅上去除）。这会改变打开晶体管所需的栅极...
• 所属专栏： 技术交流 标签： NAND FLASH,FLASH,SRAM,存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-12-10 14:19:00

• NandFlash结构及错误机制
• NandFlash是一种非易失性存储器,具有读写速度快.功耗低.存储密度高等优点,目前被广泛应用于电子产品中,如固态硬盘(SSD)、手机、数码相机等。进入21世纪以来,随着CPU主频以及IO频率的不断提高,传统硬盘由于读写速度慢等原因已经成为PC、服务器存储等领域发展的瓶颈。由于基于NandFlash的存储相比于传统硬盘存储具有体积小、读写速度快.抗震动强、温湿度适应范围宽等优点,NandFlash的市场份额正在迅速扩大,逐步取代传统硬盘。尤其在航天航空、国防军事等特殊的应用环境领域中,NandFlash已经成为存储设备的首选。NandFlash存储器内部是由存储单元“浮置栅晶体管”阵列排布...
• 所属专栏： 技术交流 标签： Nand Flash,Flash存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-11-26 15:02:00

• Flash存储器的故障特征
• Flash存储器是一种基于浮栅技术的非挥发性半导体存储器，一般有NOR、NAND、DINOR和AND等几种类型。作为一类非易失性存储器,Flash存储器具有自己独特的优点:不需要特殊的外部高电压即可进行电可擦除和重复编程,成本低及密度大,因而广泛用于嵌入式系统中。与RAM不同的是,Flash存储器除了具有一些典型的存储器故障类型外,还会出现一些其它的故障类型，例如NOR类型的Flash还会出现以下主要故障类型:(1)栅极编程干扰(GPD)和栅极擦除干扰(GED)，对一个存储单元的编程操作引起同一字线上的另外单元发生错误的编程或擦除操作。(2)漏极编程干扰和漏极擦除干扰:对一个存储单元的编程操...
• 所属专栏： 技术交流 标签： Flash存储器,Flash,存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-11-16 14:54:00

• EEPROM与内存Flash消耗能量计算
• 本篇文章存储芯片供应商宇芯电子要介绍的是非易失性存储器EEPROM与内存Flash消耗能量计算。首先，我们来看看非易失性存储器在典型的3.3VEEPROM写入过程中所消耗的能量待机电流为1μA，写入时间为5ms，写入电流为3毫安（表1）。我们假设：一旦VDD上升到工作限制内（上电时间），EEPROM就准备开始工作零）。•写入的数据量适合一页，并且使用块写入功能进行写入。•EEPROM的写入时间仅是执行EEPROM的写入操作所需的时间，因此我们忽略MCU和SPI接口的任何处理和通信时间。（这个假设是相反的用于MRAM的；MRAM只需要通信时间，因为写入时间很短，因此它可以被视为零。）•EEPR...
• 所属专栏： 技术交流 标签： EEPROM,内存Flash,非易失性存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-09-08 15:15:00

• Flash存储器现货行情
• 据多名从业者反映，目前存储芯片交货的几乎都是年前的订单，因为疫情影响没有新的订单需求。对于行业内的行情，业者多持看好的态度，相信今年的订单需求会随着疫情的好转慢慢转为强劲，下半年也可能出现供不应求的情况。NANDFlash：因为SSD的缺货，导致大容量NandFlash近期询盘增多，但是因为大容量Nandflash单价高，流通度低，代理商很少会备货库存持续下降，供给也较为保守。受5G需求，加上各类产品搭载SSD比重与容量显著提升，终端都积极备货，均成为NandFlash需求增温的动能，今年NAND价格走势预计稳健向上，下半年也可能面临供给短缺情况。我司英尚微电子代理Cypress品牌Flas...
• 所属专栏： 谈天说地 标签： Flash存储器,Flash内存,flash行情,Cypress 发帖人：英尚微电子 发帖时间：2020-03-11 15:27:00

• flash存储器原理及作用是什么?
• flash存储器的工作原理  flash存储器又称闪存（快闪存储器），是一种电可擦可编程只读存储器的形式，是可以在操作中被多次擦或写，EEPROM与高速RAM成为当前最常用且发展最快的两种存储技术。计算机的BIOS、数字照相机等的存储卡中都使用闪存。flash存储器的主要特点是在不掉电的情况下能长期保持存储的信息。就其本质而言flash存储器属于EEPROM（电擦除可编程只读存储器）类型。它既有ROM的特点，又有很高的存取速度，而且易于擦除和重写，功耗很低。目前其集成度已达4MB，同时价格也有所下降。由于flash存储器的独有优点，如在一些较新的主板上采用FlashROMBIOS，会使得BI...
• 所属专栏： 技术交流 标签： flash存储器 flash 发帖人：英尚微电子 发帖时间：2019-12-16 17:39:00

• SST25VF040B-50-4C-S2AF与SST25VF040B-75-4I-S2AF的区别
• SST25VF040B-50-4C-S2AF与SST25VF040B-75-4I-S2AF的区别是什么可以用前者替代后者不
• 所属专栏： 器件替换 标签： FLASH存储器 发帖人：未来星辰 发帖时间：2018-04-27 09:36:00