• 非易失性存储器Flash和EEPROM之间的差异与优缺点
• 在嵌入式系统中，Flash和EEPROM能够存储可用于通信或执行某些功能的数据。它们可以通过多种不同的串行协议（包括SPI或串行外围设备接口）来连接存储设备。在单片机中也集成了多种不同类型的SPI存储设备，包括Flash和EEPROM。一、Flash和EEPROM之间的差异Flash和EEPROM均被视为非易失性存储器。非易失性存储器意味着该设备能够保存数据且无需持续供电，即使关闭电源也能保存数据信息。它们都是电子可写和可擦除存储器，用以存储单片机的应用程序及数据信息。这些数据可在芯片上或芯片外存储信息。尽管Flash和EEPROM设备都可以存储嵌入式设备中使用的信息，但是它们的体系结构和用...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 非易失性存储器,Flash,EEPROM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2021-01-29 14:38:00

• ​FRAM技术简介
• 成熟的半导体存储技术分为两类：1.RAM是随机存取存储器，具有对称的读写访问时间。2.非易失性存储器，传统上一直是ROM（只读存储器），直到浮栅技术出现。浮栅技术产生了电可擦除存储器，例如闪存和EEPROM。这些产品允许进行系统内编程，但读写访问时间不同。实际上，写访问时间可能比读访问时间大几个数量级。铁电随机存取存储器或FRAM是真正的非易失性RAM，因为它结合了RAM和非易失性存储器的优点。相对于闪存/EEPROM的写入优势和非易失性使其非常适合在没有电源的情况下存储数据。铁电性能铁电特性是一类现象锆钛酸铅（PZT）等材料。PZT具有钙钛矿晶体结构，如图1所示。中心的阳离子具有两个相等且...
• 所属专栏： 技术交流 标签： ​FRAM,非易失性RAM,非易失性存储器,铁电RAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-12-24 14:26:00

• 非易失性存储器NV-SRAM的关键属性
• NV-SRAM具有以下优点，可以满足理想SRAM器件的要求，该器件适用于游戏应用中的非易失性缓存实施。快速访问：系统性能与所使用的高速缓存的访问速度直接相关。如果管理不当，则连接到快速控制器的慢速缓存会大大降低系统性能。因此高速缓存管理成为这种系统设计的重要方面。NV-SRAM是业界最快的非易失性RAM，对于所有读取和写入操作，提供高达20ns的访问速度。使用NV-SRAM代替慢速SRAM可以最大程度地减少缓存管理工作。可靠性：NV-SRAM中使用的SONOS技术提供了无与伦比的可靠性。在目前的非易失性RAM技术中，工业温度范围在85ºC下可保存20年的数据是最高的之一。这使NV-SRAM成...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 非易失性存储器,NV-SRAM,SRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-12-18 15:07:00

• 非易失性存储器EEPROM
• 非易失性存储器主要是用来存放固定数据、固件程序等一般不需要经常改动的数据。目前主流非易失性存储器主要有EEPROM、MRAM、FLASH、FRAM。EEPROM的存储原理EEPROM即电可擦可编程只读存储器。EEPROM可以在线擦除和重新编程，一般用在即插即用。EEPROM的擦除不需要借助于其它设备，它是通过高于普通电压的作用来擦除和重编程;且可以Byte为最小修改单位，不必将资料全部洗掉才能写入。但由于EEPROM的存储容量一般不大，因此主要应用在小存储数据的场合，比如电脑的BIOSROM芯片和配置信息存储等。EEPROM选型EEPROM特点EEPROM解决了传统ROM/OTP只能出厂前或...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 非易失性存储器,EEPROM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-12-11 15:10:00

• 几种非易失性存储器的比较
• SRAM为数据访问和存储提供了一个快速且可靠的手段。由系统电源或其他备用电源（如电池）供电时，他们就具有非易失性。表1给出了几种给定的非易失性存储器存储技术的优缺点。表1非易失性存储器比较NVSRAM中的电池对于数据保存来说至关重要。电池的不良接触会极大地影响电池寿命。其他因素，如震动、湿度以及内置的电池切换电路都会缩短电池的使用寿命，同时也会影响系统的整体可靠性。这些问题带来的最直接的后果是∶终端客户更换电池的时间间隔更短了，例如每年就需要更换一次，而不是5~10年一次。NV-SRAM模块不仅可以快速且可靠的存储数据，而且在封装技术方面也很有竞争力。这些器件适用于需要安全数据存储以及几乎不...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 非易失性存储器,SRAM,NV-SRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-10-23 14:40:00

• FRAM低功耗设计使写非易失性数据操作消耗更少的功耗
• FRAM器件消耗的工作电流大约是EEPROM的1/3，而FRAM的待机/睡眠电流规格与EEPROM的待机/睡眠电流规格差不多。有功电流中的差异对功耗产生巨大影响，特别是当应用程（如:智能电子式电表）频繁的记录数据而使写密集时。除了EEPROM中有功电流不足，EEPROM还产生额外页编写延迟，这样导致器件在较长时间内保持活跃模式。它会使功耗增加。使用以下的公式1和公式2计算出写入FRAM和EEPROM中所需的能量值。FRAM和EEPROM中的能耗在表1中进行比较，并显示在图1中。此比较演示了相对的能耗;使用EEPROM在长时间内保持活跃状态，因为它消耗的有功电流比FRAM的大两倍。注意：在写/...
• 所属专栏： 技术交流 标签： FRAM,EEPROM,SRAM,非易失性存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-10-09 14:39:00

• EEPROM与内存Flash消耗能量计算
• 本篇文章存储芯片供应商宇芯电子要介绍的是非易失性存储器EEPROM与内存Flash消耗能量计算。首先，我们来看看非易失性存储器在典型的3.3VEEPROM写入过程中所消耗的能量待机电流为1μA，写入时间为5ms，写入电流为3毫安（表1）。我们假设：一旦VDD上升到工作限制内（上电时间），EEPROM就准备开始工作零）。•写入的数据量适合一页，并且使用块写入功能进行写入。•EEPROM的写入时间仅是执行EEPROM的写入操作所需的时间，因此我们忽略MCU和SPI接口的任何处理和通信时间。（这个假设是相反的用于MRAM的；MRAM只需要通信时间，因为写入时间很短，因此它可以被视为零。）•EEPR...
• 所属专栏： 技术交流 标签： EEPROM,内存Flash,非易失性存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-09-08 15:15:00

• MRAM与常用计算机内存的性能比较
• 新千年信息怎样储存?又需要如何传输?MRAM芯片是磁阻随机存取存储器。1989年巨磁阻现像的发现及随后几年巨磁阻材料的开发,直至巨磁阻磁头GMR的制成与应用都为MRAM存储器研究开发奠定了基础。1995年IBM、摩托罗拉及好莱坞等三家大企业提供基金进行高密、高速低耗MRAM芯片的开发,其技术指标及产品目标要求如下:技术指标:具有sram芯片的随机存取速率;具有DRAM芯片的大容量存储密度;具有EEPROM芯片存入数据的非易失性。产品目标:取代计算机的DRAM内存，取代手机的EEPROM闪存。表1列出MRAM芯片与目前常用的几种计算机内存SRAM、DRAM及闪存的性能比较。表1SRAM、DRA...
• 所属专栏： 技术交流 标签： MRAM,SRAM,EEPROM,计算机内存,非易失性存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-09-07 16:52:00

• 非易失性存储器MRAM的两大优点
• 新式存储器技术队伍包括MRAM、PCRAM和ReRAM，受惠技术、材料、设备等环节的关键突破，正迈向大规模量产的路上，眼前我们正处于见证存储器历史的转折点。新式存储器可分为独立型产品，以及嵌入于逻辑工艺，用于取代部分传统的嵌入式快闪存储器eFlash技术，而在嵌入式技术上，趋势已快速成熟中。但用于独立型存储器上，目前还有性能、成本的问题待克服。MRAM为磁性随机存取存储器，架构是在晶体管中的存储单元就在后端互联，甚至不占用“硅”的面积，可以做到直接嵌入到逻辑的电路里，因此可以做的非常小，一个晶体管一个存储单元。再者PCRAM就是相变随机存取存储器，以及ReRAM是叫电阻随机存取存储器，比MR...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 非易失性存储器,MRAM,SRAM,存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-06-30 16:27:00

• 不同类别存储器基本原理
• 存储器是用来存储程序和各种数据信息的记忆部件。存储器可分为主存储器(简称主存或内存)和辅助存储器(简称辅存或外存)两大类。和CPU直接交换信息的是主存。主存的工作方式是按存储单元的地址存放或读取各类信息，统称访问存储器。计算机的存储器可分成内存储器和外存储器。内存储器在程序执行期间被计算机频繁地使用，并且在一个指令周期期间是可直接访问的。外存储器要求计算机从一个外贮藏装置例如磁带或磁盘中读取信息。存储器分为易失性存储器和非易失性存储器。易失性存储器分SRAM和DRAM；非易失性存储器以Nor-flash和Nand-flash为典型代表。DRAMDRAMcell结构由1个MOS和1个电容组成，...
• 所属专栏： 技术交流 标签： SRAM,DRAM,Flash,非易失性存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-06-19 15:47:00