• FRAM的应用场景
• FRAM由于其寿命长、读写速度快等优势，因此主要应用于RFID、便携式的医疗设备、可穿戴设备、IOT设备以及车载设备等。1.汽车：汽车行业对FRAM的需求正在快速增长。随着车用微控制器和传感器的广泛使用，汽车电子系统对数据存储的需求快速上升。智能安全气囊和先进的记忆系统已在高端汽车中应用，随着时间推移会慢慢进入大众市场。FRAM现在已应用于智能气囊、自动驾驶辅助系统（ADAS）、导航和信息娱乐系统、发动机控制单元（ECU）、事件数据记录器（EDR）、动力总成系统和电池管理系统（BMS）。2.计量：FRAM是电力计量系统中使用的主要存储器，由于具有高耐用性、快速写入和低能耗等优点，FRAM在此...
• 所属专栏： 技术交流 标签： FRAM,铁电存储器芯片 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2021-05-12 16:30:00

• FRAM作为代码存储器应用中的单芯片解决方案
• 通常将采用存储器技术的应用分为可执行代码和数据任务。可执行代码要求使用非易失性存储器，并在所有条件下都能够保留存储器中的代码。数据任务则要求能够对存储器进行快速、简易且无限次数的读/写访问。会根据应用程序来决定执行数据任务的存储器是易失性的还是非易失性的。通常可执行代码的存储器采用基于ROM的技术，而数据任务的存储器则采用基于RAM的技术。作为赛普拉斯中的一款非易失性RAM产品，FRAM提供了独特的优点—它能够将可执行代码和数据组合在一个单存储器中。本篇文章介绍的是代码存储对存储器的要求.代码存储对存储器的要求◆非易失性◆相应的容量◆读取访问时间◆防止意外写入的能力◆在某部分或某段代码中的现...
• 所属专栏： 技术交流 标签： FRAM,存储器,Nand Flash 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-12-23 16:07:00

• 如何使FRAMMCU速度更快所需功耗最低
• 采用FRAM的MCU为何就能具有诸多优势呢?举例说明:TI做了一个实验，如果要写13Kbps的数据到DRAM里需要花1秒时间，大约要用2200uA的功耗去做写的功能，但如果用FRAM来做只要10ms、9uA就可以把数据写完。通过比较可以看到，如果要写很多数据到Flash等传统存储器里，FRAM速度会更快而所需功耗却最低。从擦写数据次数来看，一般存储器写一万来次就到了极限，可FRAM可以在写了10次方后仍可继续进行擦写操作。由于FRAM速度和SDRAM写的速度差不多相同，在整个MCU架构里，TI做了整体化的类选，就是说放16个FRAM在1个MCU里，这时候FRAM可以当SDRAM使用，也可以充...
• 所属专栏： 技术交流 标签： FRAM,MCU,存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-11-30 17:26:00

• 传统存储器和新兴存储器应用
• 旧版存储不再是使用寿命短的低端设备，因为主要供应商都将精力集中在最新和最重要的产品上。随着越来越多的智能设备和融合了AI的边缘计算以及呈指数增长的物联网，“持久”可能是这些根深蒂固的记忆的更好标签。过去的DRAM不再用于较小的系统，因为它们需要DRAM控制器。SRAM进入了内存需求小的系统。DRAM进入更大的存储器，并伴随着用于更大存储器的控制器。传统存储器供应商提供可预测的价格和长期客户支持很重要，因为新设计仍然使用较旧的存储器。例如早期的DDR，SRAM和NOR闪存已用于医疗，工业和智能家居应用中。对于非智能手机和平板电脑设计（例如医疗设备和工业平台），对DDR3内存的需求正在增长。在S...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 传统存储器,新兴存储器,SRAM,FRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-11-23 16:42:00

• 实例说明写入FRAM的零时钟周期延迟的影响
• 写入FRAM的零时钟周期延迟一个典型的EEPROM需要5毫秒的写周期时间，以将其页面数据转移到非易失性EEPROM内。当需要写入几千字节的数据时，会导致写入时间较长。相比之下的FRAM不会使这种写操作变慢;所有写操作按总线速率进行，并非基于存储器延迟。下面两个实例和图1说明写延迟的影响。实例1:需要2毫秒将256字节的页面数据通过1MHz1C总线从控制器传输到EEPROM页面内。然后需要5毫秒将数据写入到EEPROM内。具有密度为1Mbit和页面大小为256个字节的1MHzCEEPROM需要28毫秒来备份1Kb数据（4x2ms+4x5ms）。然而使用FRAM时，只要8毫秒（4x2ms）便可以...
• 所属专栏： 技术交流 标签： FRAM,铁电存储器,EEPROM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-09-28 14:56:00

• 针对汽车市场的FRAM
• 这些年来，汽车产品对电子产品的依赖性日益增强。从前的机械系统转移到电子控制单元（ECU）。针对汽车产品安全和用户娱乐目的的新系统所面对的问题是高度复杂性和大量资源的要求。汽车电子子系统概述汽车电子子系统被划分为即独立又互相连接的子系统。每个子系统负责处理一项特定的任务，其范围和复杂程度可能不同，但是都从一个简单的射频控制接口到一个复杂的避免冲突的系统。然而这些子系统共享了一些基本的结构，例如微控制器单元（MCU）、CAN、OBD2和以太网形式的系统总线接口、输入传感器和输出控制逻辑。此外多个子系统需要及时和持续地存储数据，因此需要提高性能和耐久性设计，在这种情况下的CypressFRAM既为...
• 所属专栏： 技术交流 标签： FRAM,铁电存储器,Cypress 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-09-24 16:15:00

• 将FRAM存储器芯片集成到汽车EDR设计中
• 本篇文章宇芯电子主要介绍用FRAM替换闪存或EEPROM的情况，以及如果将FRAM器件成功集成到新的汽车EDR设计中将需要满足的要求。EDR要求：高速和高可靠性车辆EDR的基本功能要求是捕获所有指定的数据输入，从可见光和红外摄像头，雷达和LiDAR传感器等传感设备以及油门，制动踏板和方向盘等输入设备捕获。它应该在安全事件（例如与另一辆车发生碰撞）之前和期间捕获这些输入，从而使事故调查人员在发生事故之前能全面了解车辆的运动情况。这种数据捕获功能需要具有故障安全性，以确保在任何情况下都可以存储数据，包括车辆电源系统故障。数据存储功能还应该能够承受对其他车辆子系统甚至EDR本身的机械损坏。传统ED...
• 所属专栏： 技术交流 标签： FRAM,FRAM存储器芯片,汽车EDR 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-08-12 16:33:00

• FRAM铁电存储器在汽车应用方面的优势
• 相比于其他市场，汽车市场更为关注技术成熟度。目前FRAM在汽车行业的销售数量已超过8亿台，技术已相当成熟，汽车行业的客户完全可以对此放心无忧为什么要在汽车中使用“FRAM”?与EEPROM和FLASH非易失性内存相比，FRAM在EDR应用上有三大关键优势。对于那些有精确时间要求的应用来说，FRAM会立即具备非易失性。这些应用在系统发生故障时，最重要的数据，如数据记录器通常会面临风险。FRAM擦写周期为10E+14，而EEROM为10E+6，FLASH为10E+5，。因此FRAM是数据记录器的理想选择，其数据可持续写入。FRAM的读写操作功耗低，对于具有独立有限电源如电池或电容的应用来说，尤其...
• 所属专栏： 技术交流 标签： FRAM,铁电存储器,FRAM铁电存储器,汽车应用FRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-05-22 16:04:00

• 铁电存储器FRAM的结构及特长
• 铁电存储器FRAM是一种随机存取存储器，它将动态随机存取存储器DRAM的快速读取和写入访问——它是个人电脑存储中最常用的类型——与在电源关掉后保留数据能力（就像其他稳定的存储设备一样，如只读存储器和闪存）结合起来。铁电存储器是一种特殊工艺的非易失性的存储器，是采用人工合成的铅锆钛(PZT)材料形成存储器结晶体。FRAM的结构FRAM记忆元件使用了铁电膜（Ferroelectricfilm）。富士通的FRAM里使用了PZT（锆钛酸铅）的铁电物质，其结晶结构如下图所示。图1铁电存储器的结晶结构方格中的Zr（锆）或Ti（钛）离子有两个稳定点，其性质是在外部电场作用下会改变位置（铁电性）。定位于任一...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 铁电存储器,FRAM,FRAM结构 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-05-07 16:13:00

• 每秒54Mb速度传输数据的富士通FRAM
• FRAM铁电随机存储器是一种融合了在断电的情况下也能保留数据的非易失性、随机存取两个特长的铁电存储器。FRAM能保持数据，不仅不需要备用电池，而且在写入、读写耐久性和功耗性能方面具有相当优越性。FRAM产品可分为两个系列。分别是以SOP/SON等封装产品形式提供的“独立存储器”和FRAM内置的RFID用LSI以及验证LSI等的“FRAM内置LSI”。根据客户要求开发和供应最大限度发挥应用优势及性能的FRAM内置定制LSI。富士通开发出了能够以54Mbyte/秒的速度传输数据。在QuadSPI接口非易失性RAM市场里最大容量的MB85RQ4ML4MbitFRAM。速度传输数据对比MB85RQ4...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 富士通FRAM,FRAM,FRAM铁电随机存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-04-15 14:42:00