• 请问下PMOS开关电烧毁的原因
• 输入电压25.2V（5A电流）然后通过PMOS管进行开关，使用的时候不接负载不会损坏，接负载mos管就坏了，S和D短路。原理图如下请问下原因大概是什么？
• 所属专栏： 技术交流 标签： mos 发帖人：Abird 发帖时间：2023-12-14 12:02:00

• MOS的参数选择以及导通速度的计算
• MOS的参数选择以及导通速度的计算根据MOS的Td（on）+Td（off）推算出MOS的导通速度，这个方法对不对？有没有相近的NMOS推荐！VDS≥60V，ID≥15A，导通内阻≤20mΩ，VGS≤10V，导通速度≤20ns，也就是≥50M，封装TO252，需要数量10pcs，研发验证阶段，用在医疗器械治产品。预计用量10K/月。张生，704320742选择更高要求的MOS是为了满足信号传输的要求的同时提高效率，降低温升
• 所属专栏： 技术交流 标签： MOS 发帖人：站在巨人的肩膀上借鉴 发帖时间：2023-06-03 10:12:00

• MOS管为啥爱发热？四方面原因不容忽视
• 做电源设计，或者做驱动方面的电路，难免要用到场效应管，也就是人们常说的MOS管。MOS管有很多种类，也有很多作用。做电源或者驱动的使用，当然就是用它的开关作用。接下来我们来了解MOS管发热五大关键技术。1、芯片发热本次内容主要针对内置电源调制器的高压驱动芯片。假如芯片消耗的电流为2mA，300V的电压加在芯片上面，芯片的功耗为0.6W，当然会引起芯片的发热。驱动芯片的最大电流来自于驱动功率MOS管的消耗，简单的计算公式为I=cvf(考虑充电的电阻效益，实际I=2cvf，其中c为功率MOS管的cgs电容，v为功率管导通时的gate电压，所以为了降低芯片的功耗，必须想办法降低c、v和f.如果c、...
• 所属专栏： 技术交流 标签： MOS管 发帖人：VBsemi 发帖时间：2020-12-16 14:19:00

• LED灯驱动板MOS100VMOS管10N10A10ATO-252场效应管晶体管
• Ø惠海半导体专业从事30-150V中低压MOS管的设计、研发、生产与销售，性价比高，量产稳定成熟，提供方案及技术支持。Ø惠海半导体MOS管采用SGT工艺，性能优越，品质好，具有高频率、大电流、低开启电压、低内阻、结电容小、低消耗、低温升、高转换效率、过电流大、抗冲击能力强、开关损耗小等的优点。惠海半导体中低压场效率管（MOSFET）MOS管型号：HC160N10LS丝印：HC510参数：100V5A（5N10）内阻：145mR（VGS=10V）结电容：405pF类型：沟槽型NMOS开启电压：1.8V封装：SOT23-3应用领域：LED驱动电源，舞台灯、帕灯、车灯等LED照明应用；无线充、快充...
• 所属专栏： 方案应用展 标签： 100V mos 100V贴片mos 100V耐压mos 发帖人：用芯出发3 发帖时间：2020-11-12 10:12:00

• LED去纹波去频闪MOS管100V
• 惠海直销30V60V100Vmos管3A5A10A15A25A30A50A贴片mos管【惠海半导体直销】惠海直销30V60V100Vmos管SOT23封装TO-252SOP-8DFN3*3封装mos管【惠海半导体直销】惠海直销30V60V100Vmos管SOT23封装TO-252SOP-8DFN3*3封装mos管【低开启低结电容】惠海半导体--中低压场效率管（MOSFET）MOS管型号：HC021N10L-AMOS管参数：100V35A内阻：22mR（VGS=4.5V）结电容：1880pF类型：SGT工艺NMOS开启电压：1.8V封装：TO-252惠海HC021N10L-A特点：高频率、大电...
• 所属专栏： 方案应用展 标签： 100V mos 100V贴片mos 100V耐压mos 发帖人：用芯出发3 发帖时间：2020-11-12 09:58:00

• 100V贴片MOS100V4ASOT-23雾化器MOS
• H3600X1是100V雾化器MOS,可以运用在雾化器中，100V，N沟道，大电流，小封装MOSH3600X1实际电压可以达到100V，可以满足LED电源，充电器，小家电等需要低压，大电流，小封装的要求。H3600X1参数：100V5ASOT-23N沟道MOS管/场效应管品牌：惠海半导体型号：H3600X1VDS：100VIDS：5A封装：SOT-23沟道：N沟道H3600X1广泛运用于LED电源，充电器，小家电，电源，香薰机,美容仪加湿器,雾化器,混色LED灯等电子产品。100VMOS管H3600X1替代：HC5N10，Si2318CDS，Si2392ADS，Si2324DS，Si2328...
• 所属专栏： 方案应用展 标签： 100V mos 100V贴片mos 100V耐压mos 发帖人：用芯出发3 发帖时间：2020-11-11 15:28:00

• 100V贴片mos30V60Vmos管低开启电压低内阻【MOS管原厂】
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• 所属专栏： 方案应用展 标签： 100V贴片mos 100V mos 100V耐压mos 发帖人：用芯出发3 发帖时间：2020-11-11 14:47:00

• 100V耐压mos30V25A手机无线充专用mos管PDFN3333封装
• 型号HC3600MDPDFN3333封装Rdson（Vgs=10V）13.5mΩRdson（Vgs=4.5V）23mΩ耐压30V25A结电容455pF开启电压1.9V+1.9V应用领域：手机无线充逆变系统蓝牙音响电子烟电脑主板【100V40A(40N10)TO-252封装】型号：HC160N10LSN沟道100V5A(5N10)SOT23-3封装，可用于加湿器、雾化器、香薰机、美容仪【100V6A(6N10)SOT23-3封装】【100V4A(4N10)SOT23-3封装】【100V3A(3N10)SOT23-3封装】型号：HC240N15LN沟道150V8A（8N15）TO-252封装，可...
• 所属专栏： 方案应用展 标签： 100V耐压mos 100V mos 100V贴片mos 发帖人：用芯出发3 发帖时间：2020-11-11 14:16:00

• SGT工艺100V5AN沟道MOS管HC510场效应管
• 东莞市惠海半导体有限公司【中低压MOS管厂家】，供应中低压压N沟道场效应管NMOS管厂家直销，质优价廉大量现货量大价优欢迎选购，低内阻，结电容小，采用沟槽工艺东莞市惠海半导体有限公司专业20-150V系列中低压NMOS管场效应管封装制造、研发、生产、销售主营SOT23-3、TO-252、SOP-8、TO-220、TO-263、DNF3*3等封装产品型号：HG160N10LS参数：100V10A，类型：N沟道场效应管，内阻115mR，低结电容201pF，封装：贴片（TO-252），低开启电压1.5V，低内阻，结电容小,低开启电压，温升低，转换效率高，过电流大，抗冲击能力强，低内阻，低结电容，特...
• 所属专栏： 方案应用展 标签： MOS管 发帖人：用芯出发 发帖时间：2020-07-13 19:04:00

• 立创商城中的mos管36A与36A(TC)有什么区别吗
• mos管里面的tc是指的是在特定温度下的那个tc吗
• 所属专栏： 电子入门基础知识 标签： mos管 发帖人：技术小白2020 发帖时间：2020-03-05 20:35:00