• EverspinMRAM替换FRAM
• FRAM架构采用铁电材料作为存储器件，这些材料具有一个固有的电偶极子，该偶极子在外部电场的作用下转换为相反的极性。FRAM中的读取操作具有破坏性，因为它需要切换极化状态才能感知其状态。在初次读取后，读取操作必须将极化恢复到其原始状态，这会增加读取操作的周期时间。写周期需要一个初始的“预充电”时间，这可能会增加初始访问时间。环境温度高于85°C，由于自由电荷的积累导致FRAM磨损，从而导致影响10年的数据保留。EverspinMRAM将提供最具成本效益的非易失性RAM解决方案。MRAM使用更简单的1晶体管，1磁性隧道结单元构建。简单的EverspinMRAM单元可提高制造效率并提高可靠性.MR...
• 所属专栏： 技术交流 标签： FRAM,Everspin MRAM,MRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-09-29 17:13:00

• STT结构涡轮增压MRAM
• 新兴MRAM市场的主要参与者之一已经开发了专有技术，该技术表示将通过增加保持力并同时降低电流来增强任何MRAM阵列的性能。自旋转移技术（STT）的进动自旋电流（PSC）结构，它有潜力提高MRAM的密度和零泄漏能力。该结构可以应用于移动，数据中心CPU和存储，汽车，物联网和（IoT）以及人工智能等领域。PSC结构将使任何MRAM器件的自旋扭矩效率提高40％至70％。这意味着它不仅具有更高的数据保留能力，而且将消耗更少的电量。Pinarbasi说，增益转化为保留时间延长了10,000倍以上，因此一小时变成一年以上，但是写入电流却减少了。此外，随着垂直磁隧道结（pMTJ）变小，PSC的效率更高。开...
• 所属专栏： 技术交流 标签： MRAM,STT-MRAM,Everspin MRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-08-13 14:36:00

• 最大限度提高STT-MRAMIP的制造产量
• Everspin公司在磁存储器设计制造和交付到相关应用中的知识和经验在半导体行业中是独一无二的。Everspin拥有超过600多项有效专利和申请的知识产权，在平面和垂直磁隧道结（MTJ）STT-MRAM位单元的开发方面均处于市场领先地位。本篇文章everspin代理宇芯电子要介绍的是如何最大限度提高STT-MRAMIP的制造产量。铸造厂需要传统的CMOS制造中不使用的新设备，例如离子束蚀刻，同时提高MTJ位单元的可靠性，以支持某些应用所需的大（1Mbit〜256Mbit）存储器阵列密度。尽管STT-MRAM技术具有足够的耐久性和读/写等待时间，但对工艺变化的敏感性可能会导致可靠性问题。MTJ...
• 所属专栏： 技术交流 标签： STT-MRAM,MRAM,Everspin,everspin代理 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-08-05 14:58:00

• 什么是STT-MRAM？
• 随着有希望的非易失性存储器架构的可用性不断增加，以增加并潜在地替代传统的易失性存储器，新的SoC级存储器测试和修复挑战正在出现。通过将自旋转移扭矩MRAM（STT-MRAM）作为嵌入式MRAM技术的领先趋势来增强动力.什么是STT-MRAM？嵌入式存储器IP选项包括STT-MRAM，相变存储器（PCM），电阻RAM（ReRAM）和铁电RAM（FRAM）。每种新兴的内存技术都不同，适合特定的应用，但STT-MRAM似乎已成为主流。STT-MRAM是一种电阻存储技术，其中材料中电子的磁性自旋变化会产生可测量的电阻率变化。从概念上讲，每个单元由两个磁体组成：一个是固定的，另一个是可以翻转的。当磁体...
• 所属专栏： 技术交流 标签： STT-MRAM,MRAM,everspin代理,Everspin MRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-08-04 17:31:00

• EverspinMRAM通过合作伙伴关系不断发展其生态系统
• Everspin在磁存储器设计，制造和交付到相关应用中的知识和经验在半导体行业中是独一无二的。Everspin拥有600多项有效专利和申请的知识产权，在平面和垂直磁隧道结（MTJ）STT-MRAM位单元的开发方面均处于市场领先地位。Everspin代理宇芯电子为客户提供应用解决方案等技术支持。Everspin与GlobalFoundries有合作的历史，并且通过不断地调整配方，在工厂中进行微调制造已有十多年了。能够迅速增加知识并将其转移到GlobalFoundries。在生产中有两种类型的MRAM-触发MRAM和STTMRAM，后者确实需要启用控制器或FPGA。Everspin将继续发展生态...
• 所属专栏： 技术交流 标签： MRAM,Everspin MRAM,MRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-07-31 15:03:00

• GlobalFoundries生产eMRAM解决方案
• GlobalFoundries(格罗方德半导体有限公司)今年2月份宣布已在其22FDX平台上为物联网和汽车应用交付了首个可投入生产的eMRAM。并表示其先进的eMRAM为低功耗，非易失性代码和数据存储应用提供了一种经济高效的解决方案。GF表示已进入生产阶段，并计划与多个客户合作，并计划在2020年实现多个生产磁带。GF的eMRAM旨在替代大容量嵌入式NOR闪存（eFLASH）。GF表示其eMRAM已通过了五项严格的实际焊锡回流测试，并在-40°C至125°C的温度范围内显示了100,000个循环的耐久性和10年的数据保留。FDXeMRAM解决方案支持AEC-Q100质量2级设计，并且正在开发...
• 所属专栏： 技术交流 标签： eMRAM,MRAM,Everspin MRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-07-16 15:00:00

• 新型存储器与传统存储器介质特性对比
• 目前新型存储器上受到广泛关注的新型存储器主要有相变存储器(PCM)，其中有以英特尔与美光联合研发的3DXpoint为代表;MRAM以美国Everspin公司推出的STT-MRAM为代表;阻变存储器ReRAM，目前暂无商用产品，其代表公司是美国的Crossbar。上述新型存储器已被研究了近数十年，只是相对于早已产业化的随机存储sram、DRAM存储器、和NANDFlash，还未能大规模商用。存储器产业未来的技术发展方向仍是未知数。在非易失性MRAM存储器方面，EverspinMRAM已经有产品应用于航空航天等特定领域，并于2019年开始与格芯合作，试生产28nm制程的1GbST-MRAM产品。...
• 所属专栏： 新品推荐活动 标签： MRAM,Everspin,Everspin MRAM,Everspin STT-MRAM 1Gb 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-04-24 16:21:00

• everspin最新1Gb容量扩大MRAM吸引力
• everspin提供了8/16-bit的DDR4-1333MT/s（667MHz）接口，但与较旧的基于DDR3的MRAM组件一样，时序上的差异使得其难以成为DRAM（动态随机存取器）的直接替代品。最新的1Gb容量STT-MRAM扩大了MRAM的吸引力，但Everspin仍需努力追赶DRAM的存储密度。低容量的特性，使得MRAM组件更适用于嵌入式系统，其中SoC和ASIC可更容易地设计兼容的DDR控制器。目前行业内已通过MRAM来部分替代DRAM，比如IBM就在去年推出了FlashCore模块，以及希捷在FMS2017上展示的原型。当然我们并不指望mram专用存储设备可以迅速在市面上普及（SS...
• 所属专栏： 技术交流 标签： everspin,MRAM,1Gb MRAM 发帖人：英尚微电子 发帖时间：2020-02-19 15:38:00

• 各大原厂看好MRAM发展
• MRAM是一种以电阻为存储方式结合非易失性及随机访问两种特性，可以兼做内存和硬盘的新型存储介质。写入速度可达NAND闪存的数千倍，此外，其制作工艺要求低，良品率高，可以很好的控制成本。在寿命方面，由于MRAM特殊的存储方式，产品的寿命耐久性也远超传统RAM。大规模普及仍面临挑战毫无疑问，MRAM因其独特的存储方式在非易失性，写入速度，寿命等各方面均有优势，然而能否被广泛采用仍面临一系列挑战。一般来讲，MRAM通常由三大部分组成：半导体基底，磁自旋隧穿结（MagneticTunnelJunction，MTJ）和磁发生器。产业调研报告《EmergingMemoriesRampUp》显示，MRAM...
• 所属专栏： 技术交流 标签： MRAM,EVERSPIN 发帖人：英尚微电子 发帖时间：2020-01-10 17:07:00

• 案例研究RAID控制器应用程序中的everspinmram
• everspinMRAM是为LSICorporation（现在的AvagoTechnologies）RAID控制器卡上的日志存储器选择的存储器，该RAID卡具有6Gb/s和12Gb/sSAS存储连接。EverspinMRAM在其RAID磁盘阵列中执行写日志或数据日志功能。MRAM实时捕获事务信息，以便在发生系统故障时可以恢复数据。写入MRAM的数据日志还可以捕获系统状况和状态，以进行远程诊断和修复。MRAM芯片也包含在LSI公司针对第三方RAID卡和主板RAID（ROMB）解决方案的参考设计中。RAID控制器应用程序中的MRAMEverspinMRAM快速写入，能够实时存储数据，并且在整个工...
• 所属专栏： 技术交流 标签： everspin,mram 发帖人：英尚微电子 发帖时间：2020-01-07 16:32:00