• 提升SRAM性能的传统方法
• 随着诸如医疗电子和无线传感节点等应用的兴起,低功耗芯片受到了越来越广泛的关注.这类芯片对性能和功耗要求苛刻.静态随机存储器(SRAM)作为芯片的重要组成部分,大程度上影响着芯片的面积和功耗,因此其功耗的优化成了芯片功耗优化的关键所在.本篇文章由专注于销售代理SRAM、MRAM、PSRAM等存储芯片供应商宇芯电子介绍如何利用传统方法提升SRAM性能。SRAM单元的数据保持功能是通过背靠背的反相器实现的,因此为了使单元能最稳定地保持数据,每个反相器都要工作在最优的噪声容限下.使单个反相器获得最优噪声容限的传统做法是,先把NMOS和PMOS的沟道长度固定为最小沟道长度，再调整NMOS和PMOS的宽...
• 所属专栏： 技术交流 标签： SRAM,存储器,SRAM存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-11-25 16:48:00

• 传统存储器和新兴存储器应用
• 旧版存储不再是使用寿命短的低端设备，因为主要供应商都将精力集中在最新和最重要的产品上。随着越来越多的智能设备和融合了AI的边缘计算以及呈指数增长的物联网，“持久”可能是这些根深蒂固的记忆的更好标签。过去的DRAM不再用于较小的系统，因为它们需要DRAM控制器。SRAM进入了内存需求小的系统。DRAM进入更大的存储器，并伴随着用于更大存储器的控制器。传统存储器供应商提供可预测的价格和长期客户支持很重要，因为新设计仍然使用较旧的存储器。例如早期的DDR，SRAM和NOR闪存已用于医疗，工业和智能家居应用中。对于非智能手机和平板电脑设计（例如医疗设备和工业平台），对DDR3内存的需求正在增长。在S...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 传统存储器,新兴存储器,SRAM,FRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-11-23 16:42:00

• 新兴存储器铁电RAM嵌入式应用
• 存储器IC市场一直是动态的，但是随着边缘计算，人工智能（AI），5G和自动驾驶的兴起，对存储器技术的需求正在不断扩大和发展。由于持续的大流行，使工作和商业领域发生了巨大变化，而存储器行业比以往任何时候都面临着更多的挑战，无法一次解决。着眼于多样化内存技术的发展以及推动其发展的因素。内存技术的进步反映了数据的爆炸性增长，并且越来越需要将处理移向数据。内存和存储技术处于并行轨道，更多的工作负载在内存中处理。新兴存储器是铁电RAM（FRAM），它使用铁电代替介电层来实现非易失性。虽然制造步骤类似于DRAM，但FRAM功能更像闪存。FRAM存储器可以说是最成功的新兴存储器，因为它已在嵌入式应用程序中...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 铁电RAM,新兴存储器,MRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-11-20 14:03:00

• 读取优先和SRAM-MRAM混合结构
• MRAM因具有许多优点,有取代SRAM和DRAM的潜能。用MTJ存储单元构建的MRAM存储器可以用作高速缓存。然而MRAM写入操作的长延时和较高的功耗成为其瓶颈，阻碍了其性能的进一步提高。读取优先的写缓存器和SRAM-MRAM混合结构这两种策略可以提高MRAM的性能及降低其功耗。读取优先和SRAM-MRAM混合结构直接用MRAM代替SRAM可能导致性能下降。因此提出了用两种策略来缓解这个矛盾:一是引入读取优先的写入缓冲器;二是引入SRAM-MRAM混合结构。二者可以结合起来以改善MRAM高速缓存的性能。读取优先的写入缓冲器因为L2高速缓存从上一级存储器和写入缓冲器获取命令，必须有一个优先权策...
• 所属专栏： 技术交流 标签： SRAM,MRAM,存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-11-10 14:24:00

• MRAM高速缓存的组成
• 磁阻式随机存储器(MRAM)是一种新型存储器,其优点有读取速度快和集成度高及非挥发性等。目前许多研究主要是致力于将MRAM存储器运用于计算机存储系统中。MRAM因具有许多优点,有取代SRAM和DRAM的潜能。用MTJ存储单元构建的MRAM存储器可以用作高速缓存。高速缓存可以用与SRAM几乎相同的方式来组建。MRAM与SRAM具有相似的电路结构(见图1)。它们都由字线来选择目标操作单元,由位线来传输数据。SRAM两种不同的位线连接到每一个单元,而MRAM只有一条位线,可以简单的把位线与源线的结合看做替代。因为基于sram芯片的读出放大器不能直接用于MRAM存储器,故MRAM需要一个参考信号，通...
• 所属专栏： 技术交流 标签： MRAM,SRAM,存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-11-06 14:32:00

• 新兴记忆存储MRAM保持精度并降低功耗
• 尽管具有规模经济性，但其他类型的存储器仍具有AI应用程序的未来可能性。MRAM通过受外加电压控制的磁体的方向存储数据的每一位。如果电压低于翻转位所需的电压，则只有位翻转的可能性。这种随机性是不希望有的，因此可以用更高的电压驱动MRAM来防止这种情况。某些AI应用程序仍可以利用这种固有的随机性（可以将其视为随机选择或生成数据的过程）。实验已将其MRAM的随机性功能应用于Gyrfalcon的设备，该技术可将所有权重和激活的精度降低到1位。这用于大大减少远端应用程序的计算和功耗要求。可能需要进行精确的取舍，具体取决于重新培训网络的方式。尽管降低了精度，但仍可以使神经网络可靠地运行。二元神经网络的独...
• 所属专栏： 技术交流 标签： MRAM,SRAM,新兴记忆存储 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-10-09 14:41:00

• MRAM独特功能替换现有内存
• 在所有常年兴起的记忆中，MRAM似乎最有可能濒临大规模，广泛采用。这是否会很快发生取决于制造的进步和支持分立和嵌入式MRAM器件技术的生态系统。MRAM以及PCRAM和ReRAM已经达到了一个临界点，在更多应用中它比以往任何时候都有意义。然而，从工艺和材料角度来看，它的确面临着一系列制造挑战，因为它使用的材料和工艺与传统CMOS制造不同。目前MRAM是在单独的工厂中作为[线的后端]（BEOL）工艺制造的。需要传统的CMOS制造中不使用的新设备，例如离子束蚀刻和新的溅射靶。为了降低嵌入式MRAM产品的成本，制造需要进入CMOS晶圆厂，并成为常规设备制造的一部分。除了将MRAM进一步整合到制造链...
• 所属专栏： 技术交流 标签： MRAM,Everspin MRAM,SRAM,内存,存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-07-30 15:40:00

• 非易失性存储器MRAM的两大优点
• 新式存储器技术队伍包括MRAM、PCRAM和ReRAM，受惠技术、材料、设备等环节的关键突破，正迈向大规模量产的路上，眼前我们正处于见证存储器历史的转折点。新式存储器可分为独立型产品，以及嵌入于逻辑工艺，用于取代部分传统的嵌入式快闪存储器eFlash技术，而在嵌入式技术上，趋势已快速成熟中。但用于独立型存储器上，目前还有性能、成本的问题待克服。MRAM为磁性随机存取存储器，架构是在晶体管中的存储单元就在后端互联，甚至不占用“硅”的面积，可以做到直接嵌入到逻辑的电路里，因此可以做的非常小，一个晶体管一个存储单元。再者PCRAM就是相变随机存取存储器，以及ReRAM是叫电阻随机存取存储器，比MR...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 非易失性存储器,MRAM,SRAM,存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-06-30 16:27:00

• SRAM数据存储原理
• 静态RAM的基本构造块是SRAM存储单元。通过升高字线的电平触发存储单元，再通过位线对所触发的存储单元进行读出或写入。在静态CMOS存储器中，存储单元阵列将会占去整个存储器芯片面积的一半以上，在一些大容量的SRAM中，这个比例还要更大一些。因而减小存储单元的面积变得尤为重要。一方面我们希望单元面积越小越好；而另一方面随着存储单元面积的减小，单元的稳定性又会逐渐变差。那么所谓的存储器它是靠什么原理来存储数据的呢？宇芯电子来解答。图1（a）存储单元偏置在转折电压图1（b）存储单元工作在稳态我们可以在同一坐标系中做出两个反相器的电压传输特性曲线，如图1所示。两条曲线共有三个交点：A、B与C，其中A...
• 所属专栏： 技术交流 标签： SRAM,SRAM数据存储,SRAM存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-06-05 15:24:00

• MRAM缓存可行性比SRAM更高
• 随着制程迈向5nm甚至3nm，半导体工艺复杂性剧增导致高密度SRAM在先进技术节点处的缩小变得更为有限。为减少面积和能耗，STT-MRAM存储器已成为替代基于SRAM的最后一级高速缓存存储器的有希望的候选者。STT-MRAM器件的核心元件是磁隧道结，其中薄介电层夹在磁固定层和磁自由层之间。通过利用注入磁隧道结的电流切换自由磁层的磁化来执行存储单元的写入。与合作伙伴如GlobalFoundries、华为、美光、高通、索尼半导体解决方案、台积电和西部数据合作，Imec通过两步骤分析5nm技术节点上为高性能计算领域引入STT-MRAM的可行性。Imec在会议上展示了在5nm节点上SRAM和STT-...
• 所属专栏： 技术交流 标签： MRAM缓存,SRAM,ST-MRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-05-22 16:01:00