• SoC上的内存
• SoC有基于应用程序的内存。这些存储器是用于计算的半导体存储器块。半导体存储器通常是指在单个硅片上制造的金属氧化物半导体存储器单元。内存类型包括:易失性存储器:断电后会丢失数据的存储器。它们需要恒定的电源来保存信息。易失性存储器更快、更便宜，这也是被大众所接受的原因。RAM是一种易失性存储器。最常用的RAM是SRAM和DRAM。SRAM由1、3或6个晶体管组成的存储单元组成。相反DRAM只有一个MOSFET和一个根据FET状态进行充放电的电容。然而DRAM容易受到电容泄漏电流的影响。DRAM的一个显著优点是它比SRAM便宜。如果一个SoC有一个缓存层次结构，SRAM被用于缓存，DRAM被用于...
• 所属专栏： 技术交流 标签： SRAM,MRAM,EEPROM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2021-01-07 15:11:00

• 嵌入式STT-MRAM效应与流致反转
• 最初的MRAM都是用微电磁线圈产生电磁场，使自由层的磁矩方向反转来进行0、1数据的读写。这种复杂的结构大大地制约了MRAM存贮单元的微型化进程，因此当时MRAM的存贮密度远远不及DRAM和SRAM。后来科学家们想出了用自旋极化的电子流脉冲取代微电磁线圈的突破方案。穿过微磁粒的自旋极化电子流脉冲具有确定的磁场方向，它的磁矩在这里被称为“自旋转移力矩”或简称“自旋转矩”，即前面提到的STT。自旋极化电子流可以代替电磁线圈使微磁粒的磁场方向发生反转，因此这种方式也被称为流致反转。STT可视为相反于巨磁阻的效应，显示的是电流通过多层膜结构后改变多层膜的磁化特性。当具高密度的自旋极化电流通过铁磁金属，...
• 所属专栏： 技术交流 标签： STT-MRAM,MRAM,SRAM,DRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-12-03 14:37:00

• 读取优先和SRAM-MRAM混合结构
• MRAM因具有许多优点,有取代SRAM和DRAM的潜能。用MTJ存储单元构建的MRAM存储器可以用作高速缓存。然而MRAM写入操作的长延时和较高的功耗成为其瓶颈，阻碍了其性能的进一步提高。读取优先的写缓存器和SRAM-MRAM混合结构这两种策略可以提高MRAM的性能及降低其功耗。读取优先和SRAM-MRAM混合结构直接用MRAM代替SRAM可能导致性能下降。因此提出了用两种策略来缓解这个矛盾:一是引入读取优先的写入缓冲器;二是引入SRAM-MRAM混合结构。二者可以结合起来以改善MRAM高速缓存的性能。读取优先的写入缓冲器因为L2高速缓存从上一级存储器和写入缓冲器获取命令，必须有一个优先权策...
• 所属专栏： 技术交流 标签： SRAM,MRAM,存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-11-10 14:24:00

• MRAM高速缓存的组成
• 磁阻式随机存储器(MRAM)是一种新型存储器,其优点有读取速度快和集成度高及非挥发性等。目前许多研究主要是致力于将MRAM存储器运用于计算机存储系统中。MRAM因具有许多优点,有取代SRAM和DRAM的潜能。用MTJ存储单元构建的MRAM存储器可以用作高速缓存。高速缓存可以用与SRAM几乎相同的方式来组建。MRAM与SRAM具有相似的电路结构(见图1)。它们都由字线来选择目标操作单元,由位线来传输数据。SRAM两种不同的位线连接到每一个单元,而MRAM只有一条位线,可以简单的把位线与源线的结合看做替代。因为基于sram芯片的读出放大器不能直接用于MRAM存储器,故MRAM需要一个参考信号，通...
• 所属专栏： 技术交流 标签： MRAM,SRAM,存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-11-06 14:32:00

• EverspinMRAM内存技术如何工作
• EverspinTechnologies总部位于亚利桑那州钱德勒，主要是设计和制造MRAM、STT-MRAM的全球领导者，Everspin所生产的MRAM产品包括40nm，28nm及更高工艺在内的先进技术，在节点上进行了全包交钥匙的300mm大批量平面内和垂直MTJST-MRAM生产。其产品包装和测试业务遍及中国，台湾和其他亚洲国家。那EverspinMRAM内存技术是如何工作的？Everspin代理下面将解析关于MRAM内存技术工作原理。EverspinMRAM与标准CMOS处理集成EverspinMRAM基于与CMOS处理集成的磁存储元件。每个存储元件都将一个磁性隧道结（MTJ）器件用于...
• 所属专栏： 技术交流 标签： Everspin MRAM,MRAM,MRAM内存技术 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-08-31 14:25:00

• MRAM独特功能替换现有内存
• 在所有常年兴起的记忆中，MRAM似乎最有可能濒临大规模，广泛采用。这是否会很快发生取决于制造的进步和支持分立和嵌入式MRAM器件技术的生态系统。MRAM以及PCRAM和ReRAM已经达到了一个临界点，在更多应用中它比以往任何时候都有意义。然而，从工艺和材料角度来看，它的确面临着一系列制造挑战，因为它使用的材料和工艺与传统CMOS制造不同。目前MRAM是在单独的工厂中作为[线的后端]（BEOL）工艺制造的。需要传统的CMOS制造中不使用的新设备，例如离子束蚀刻和新的溅射靶。为了降低嵌入式MRAM产品的成本，制造需要进入CMOS晶圆厂，并成为常规设备制造的一部分。除了将MRAM进一步整合到制造链...
• 所属专栏： 技术交流 标签： MRAM,Everspin MRAM,SRAM,内存,存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-07-30 15:40:00

• 国内首次实现晶圆级亚百纳米ST-MRAM存储器件制备
• 近日中科院微电子所集成电路先导工艺研发中心在STT-MRAM器件与集成技术研究领域取得了阶段性进展。什么是STT-MRAM？STT代表旋转传递扭矩。在STT-MRAM器件中，电子的自旋使用自旋极化电流翻转。这种效果是在磁性隧道结（MTJ）或自旋阀中实现的，ST-MRAM设备使用STT隧道结（STT-MTJ）。通过使电流流过薄磁性层来产生自旋极化电流。然后该电流被引导到一个较薄的磁性层中，该磁性层将角动量传递到改变其自旋的薄层中。中科院微电子联合北京航空航天大学赵巍胜教授团队以及江苏鲁汶仪器有限公司，基于8英寸CMOS先导工艺研发线，自主研发原子层级磁性薄膜沉积、深紫外曝光、原子层级隧道结刻蚀...
• 所属专栏： 新品推荐活动 标签： ST-MRAM,ST-MRAM存储器,STT-MRAM,非易失性存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-06-23 16:27:00

• MRAM缓存可行性比SRAM更高
• 随着制程迈向5nm甚至3nm，半导体工艺复杂性剧增导致高密度SRAM在先进技术节点处的缩小变得更为有限。为减少面积和能耗，STT-MRAM存储器已成为替代基于SRAM的最后一级高速缓存存储器的有希望的候选者。STT-MRAM器件的核心元件是磁隧道结，其中薄介电层夹在磁固定层和磁自由层之间。通过利用注入磁隧道结的电流切换自由磁层的磁化来执行存储单元的写入。与合作伙伴如GlobalFoundries、华为、美光、高通、索尼半导体解决方案、台积电和西部数据合作，Imec通过两步骤分析5nm技术节点上为高性能计算领域引入STT-MRAM的可行性。Imec在会议上展示了在5nm节点上SRAM和STT-...
• 所属专栏： 技术交流 标签： MRAM缓存,SRAM,ST-MRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-05-22 16:01:00

• MRAM的优势与劣势
• MRAM是一种使用电子自旋来存储信息的存储技术（MRAM设备是Spintronics设备）。MRAM具有成为通用存储器的潜力-能够将存储存储器的密度与SRAM的速度结合在一起，同时始终保持非易失性和高能效。下面由宇芯电子介绍MRAM有哪些的优劣势.MRAM优势分析MRAM的核心面积只有SRAM的1/2-1/4，也就是说同面积下缓存容量是sram的2-4倍，可以大大降低成本。CPU的性能要想进一步提高，缓存容量也必须跟着提高才能容纳更多的数据和指令，而缓存占用的核心面积往往比核心更大（看看IntelCore处理器的架构图就知道了，NVIDIA也曾攻击Intel说他们的芯片其实在卖没技术含量的缓...
• 所属专栏： 技术交流 标签： MRAM，MRAM优势,MRAM劣势,MRAM存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-04-07 16:14:00

• 超低功耗ST-MRAM内存架构
• ST-MRAM有潜力成为领先的存储技术，因为它是一种高性能存储器（可以挑战DRAM和SRAM），可扩展至10nm以下，并挑战了闪存的低成本。STT代表旋转传递扭矩。在ST-MRAM器件中，电子的自旋使用自旋极化电流翻转。目前有研究人员开发了一种新的超低功耗ST-MRAM架构，称为SuperLatticeST-MRAM或SL-ST-MRAM。研究人员说，SL-ST-MARM同时实现了超高MR比，高速开关和低RA。SLSTTMRAM结构SL-ST-MRAM基于SL-ST-MTJ，它使用超晶格势垒代替了传统STT-MTJ中的单晶（MgO）势垒。超晶格屏障由交替的金属层和绝缘层组成，其中在绝缘层中仅...
• 所属专栏： 技术交流 标签： ST-MRAM,低功耗ST-MRAM,Everspin,MRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-03-27 16:34:00