• ​FRAM技术简介
• 成熟的半导体存储技术分为两类：1.RAM是随机存取存储器，具有对称的读写访问时间。2.非易失性存储器，传统上一直是ROM（只读存储器），直到浮栅技术出现。浮栅技术产生了电可擦除存储器，例如闪存和EEPROM。这些产品允许进行系统内编程，但读写访问时间不同。实际上，写访问时间可能比读访问时间大几个数量级。铁电随机存取存储器或FRAM是真正的非易失性RAM，因为它结合了RAM和非易失性存储器的优点。相对于闪存/EEPROM的写入优势和非易失性使其非常适合在没有电源的情况下存储数据。铁电性能铁电特性是一类现象锆钛酸铅（PZT）等材料。PZT具有钙钛矿晶体结构，如图1所示。中心的阳离子具有两个相等且...
• 所属专栏： 技术交流 标签： ​FRAM,非易失性RAM,非易失性存储器,铁电RAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-12-24 14:26:00

• 非易失性存储器NV-SRAM的关键属性
• NV-SRAM具有以下优点，可以满足理想SRAM器件的要求，该器件适用于游戏应用中的非易失性缓存实施。快速访问：系统性能与所使用的高速缓存的访问速度直接相关。如果管理不当，则连接到快速控制器的慢速缓存会大大降低系统性能。因此高速缓存管理成为这种系统设计的重要方面。NV-SRAM是业界最快的非易失性RAM，对于所有读取和写入操作，提供高达20ns的访问速度。使用NV-SRAM代替慢速SRAM可以最大程度地减少缓存管理工作。可靠性：NV-SRAM中使用的SONOS技术提供了无与伦比的可靠性。在目前的非易失性RAM技术中，工业温度范围在85ºC下可保存20年的数据是最高的之一。这使NV-SRAM成...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 非易失性存储器,NV-SRAM,SRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-12-18 15:07:00

• 非易失性NV-SRAM的应用
• NV-SRAM模块不仅可以快速且可靠的存储数据，而且在封装技术方面也很有竞争力。这些器件适用于需要安全数据存储以及几乎不需要现场维护的场合。因此将比较它需要多长时间来擦除64Kb数据及写入新数据。最后必须知道制造商提到功耗时并不是使用一致的标准。某些设备可能指定在Vcc=1.8V下工作，但其资料表提供的却是Vcc=2.5V。此处所用的数值是资料表中规定的最差情况数值。串行数据闪存擦除页/扇区时，需要耗用大量的能量，因为这些操作耗时较长。EEPROM与闪存使用轮询(polling)技术而不是等待一段最差情况所需的时间来完成操作，从而减少了两者的能量要求。资料表没有清楚显示当写入/擦除完成时，写...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 非易失性NV-SRAM,NV-SRAM,SRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-10-26 16:19:00

• 几种非易失性存储器的比较
• SRAM为数据访问和存储提供了一个快速且可靠的手段。由系统电源或其他备用电源（如电池）供电时，他们就具有非易失性。表1给出了几种给定的非易失性存储器存储技术的优缺点。表1非易失性存储器比较NVSRAM中的电池对于数据保存来说至关重要。电池的不良接触会极大地影响电池寿命。其他因素，如震动、湿度以及内置的电池切换电路都会缩短电池的使用寿命，同时也会影响系统的整体可靠性。这些问题带来的最直接的后果是∶终端客户更换电池的时间间隔更短了，例如每年就需要更换一次，而不是5~10年一次。NV-SRAM模块不仅可以快速且可靠的存储数据，而且在封装技术方面也很有竞争力。这些器件适用于需要安全数据存储以及几乎不...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 非易失性存储器,SRAM,NV-SRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-10-23 14:40:00

• 使用NVRAM的简单解决方案
• 许多供应商提供专为NVRAM使用的现成文件系统软件。除非要求某些专门功能，否则开发人员自行设计在经济上会所产生的问题。数据结构的存储主要是针对特定应用程序的，因此将进一步解决。本文芯片存储器供应商宇芯电子介绍关于使用NVRAM的简单解决方案。非易失性使用普通的易失RAM很简单。上电时必须将其初始化为一个已知值，然后可以根据需要对其进行写入和读取。借助NV-SRAM，面临两个新挑战：•开机时，软件需要识别NVRAM是否已初始化，如果尚未初始化，请执行该初始化。•数据的完整性，尤其是断电一段时间后，需要进行验证。NVRAM初始化首次启动NVRAM时，就像普通RAM一样，它包含不确定的数据，需要初...
• 所属专栏： 技术交流 标签： NVRAM,非易失性存储器,NV-SRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-09-14 16:08:00

• 非易失性存储器平衡方法
• 非易失性存储器在高级节点上变得越来越复杂，在高级节点上的价格和速度，功率和利用率正在成为一些非常特定于应用程序的折衷，以决定该存储器的放置位置。NVM可以嵌入到芯片中，也可以使用各种类型的互连技术将其移出芯片。但是这个决定比它最初看起来要复杂得多。它取决于过程节点和电压，NVM的类型以及其中存储的内容以及整个芯片或系统的预算。性能最高的处理器使用的工艺几何尺寸最小，这反过来将对NVM提出最高要求。NVM面临的一些挑战是在较小的几何尺寸上扩展容量的相对困难，以及需要实施更高的电压来对单元进行编程。在更精细的工艺几何尺寸下，可能需要更多的裸片面积来支持额外的处理核心所需的容量，并且可能需要额外的...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 非易失性存储器,SRAM,NVM,MCU 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-09-11 15:49:00

• 非易失性NV-SRAM简介
• 尽管闪存和其他非易失性存储技术已广泛用于实现嵌入式文件系统，但对于某些嵌入式应用程序来说可能太复杂了。在许多情况下的内存可以最有效地用作已预先初始化的数据结构。这种方法需要对数据完整性进行某种管理。本文存储芯片供应商宇芯电子先带大家认识一下非易失性NV-SRAM。NV-SRAM简介在现代计算机系统中，存在大量内存。其中大多数是名称不合时宜的随机存取存储器（RAM）。这个名称意义不大，因为当今所有内存都是随机访问的。当工程师谈论RAM时，它们的意思是易失性半导体存储器，只要加电，就可以无限期地对其进行读写操作。并非总是这样。在计算机的早期，程序/数据存储的最常见形式是“核心内存”。按照现代标准...
• 所属专栏： 技术交流 标签： NV-SRAM,RAM,NVRAM,非易失性存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-09-09 16:00:00

• 非易失性FRAM中的预充电操作
• 铁电存储器（FRAM）是一种随机存取存储器，是一种特殊工艺的非易失性的存储器，它将DRAM的快速读取和写入访问,它是个人电脑存储中最常用的类型，与在电源关掉后保留数据能力（就像其他稳定的存储设备一样，如只读存储器和闪存）结合起来。接下来宇芯电子介绍关于非易失性FRAM中的预充电操作。预充电是FRAM的内部条件，在该条件下，存储器被调适以进行新的访问。FRAM设备中的预充电操作在以下任何条件下启动：1.驱动芯片使能信号/CE至高电平2.更改高位地址位（例如，设备FM28V100的A16-A3）FRAM中的读取操作具有破坏性，因为它需要切换极化状态才能感知其状态。在初始读取之后，读取操作必须将极...
• 所属专栏： 技术交流 标签： FRAM,铁电RAM,非易失性存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-08-18 15:28:00

• 非易失性存储器MRAM的两大优点
• 新式存储器技术队伍包括MRAM、PCRAM和ReRAM，受惠技术、材料、设备等环节的关键突破，正迈向大规模量产的路上，眼前我们正处于见证存储器历史的转折点。新式存储器可分为独立型产品，以及嵌入于逻辑工艺，用于取代部分传统的嵌入式快闪存储器eFlash技术，而在嵌入式技术上，趋势已快速成熟中。但用于独立型存储器上，目前还有性能、成本的问题待克服。MRAM为磁性随机存取存储器，架构是在晶体管中的存储单元就在后端互联，甚至不占用“硅”的面积，可以做到直接嵌入到逻辑的电路里，因此可以做的非常小，一个晶体管一个存储单元。再者PCRAM就是相变随机存取存储器，以及ReRAM是叫电阻随机存取存储器，比MR...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 非易失性存储器,MRAM,SRAM,存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-06-30 16:27:00

• 不同类别存储器基本原理
• 存储器是用来存储程序和各种数据信息的记忆部件。存储器可分为主存储器(简称主存或内存)和辅助存储器(简称辅存或外存)两大类。和CPU直接交换信息的是主存。主存的工作方式是按存储单元的地址存放或读取各类信息，统称访问存储器。计算机的存储器可分成内存储器和外存储器。内存储器在程序执行期间被计算机频繁地使用，并且在一个指令周期期间是可直接访问的。外存储器要求计算机从一个外贮藏装置例如磁带或磁盘中读取信息。存储器分为易失性存储器和非易失性存储器。易失性存储器分SRAM和DRAM；非易失性存储器以Nor-flash和Nand-flash为典型代表。DRAMDRAMcell结构由1个MOS和1个电容组成，...
• 所属专栏： 技术交流 标签： SRAM,DRAM,Flash,非易失性存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-06-19 15:47:00