• 非易失性存储器Flash和EEPROM之间的差异与优缺点
• 在嵌入式系统中，Flash和EEPROM能够存储可用于通信或执行某些功能的数据。它们可以通过多种不同的串行协议（包括SPI或串行外围设备接口）来连接存储设备。在单片机中也集成了多种不同类型的SPI存储设备，包括Flash和EEPROM。一、Flash和EEPROM之间的差异Flash和EEPROM均被视为非易失性存储器。非易失性存储器意味着该设备能够保存数据且无需持续供电，即使关闭电源也能保存数据信息。它们都是电子可写和可擦除存储器，用以存储单片机的应用程序及数据信息。这些数据可在芯片上或芯片外存储信息。尽管Flash和EEPROM设备都可以存储嵌入式设备中使用的信息，但是它们的体系结构和用...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 非易失性存储器,Flash,EEPROM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2021-01-29 14:38:00

• SoC上的内存
• SoC有基于应用程序的内存。这些存储器是用于计算的半导体存储器块。半导体存储器通常是指在单个硅片上制造的金属氧化物半导体存储器单元。内存类型包括:易失性存储器:断电后会丢失数据的存储器。它们需要恒定的电源来保存信息。易失性存储器更快、更便宜，这也是被大众所接受的原因。RAM是一种易失性存储器。最常用的RAM是SRAM和DRAM。SRAM由1、3或6个晶体管组成的存储单元组成。相反DRAM只有一个MOSFET和一个根据FET状态进行充放电的电容。然而DRAM容易受到电容泄漏电流的影响。DRAM的一个显著优点是它比SRAM便宜。如果一个SoC有一个缓存层次结构，SRAM被用于缓存，DRAM被用于...
• 所属专栏： 技术交流 标签： SRAM,MRAM,EEPROM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2021-01-07 15:11:00

• EEPROM和FLASH在大多数应用场合中无法替代SRAM
• 随着半导体技术的飞速发展,各种存储器相继推出,性能不断提高。众所周知,普通SRAM在电源掉电后,其中的数据随即消失,再次加电后，存储器中的数据为随机数。这对于需要保存大量现场数据及各种系统参数的应用系统来说无疑是不允许的。虽然EPROM的数据不会因掉电而丢失，但EPROM只能用专用的写入器写入数据,无法替代相应的SRAM。SRAM不存在刷新的问题。一个SRAM基本存储单元融个晶体管和两个电阻器构成,它并不利用电容器来存储数据，而是通过切换晶体管的状态来实现的，如同CPU中的晶体管通过切换不同的状态也能够分别代表0和这两个状态正是因为这种结构,所以SRAM的读取过程并不会造成SRAM内存储的的...
• 所属专栏： 技术交流 标签： SRAM,FLASH,EEPROM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2021-01-06 14:36:00

• NANDFLASH系统的权衡利弊
• NANDFLASH是一种大众化的非易失性存储器，主要是因为小型和低功耗且坚固耐用。尽管此技术适合现代存储，但在将其列入较大系统的一部分时，需要考虑许多重要特性。这些特性适用于所有类型的存储，包括耐用性，密度和性能，每千兆字节价格，错误概率和数据保留。在设计使用NANDFLASH的系统时，选择适当的特性平衡非常重要。闪存控制器还必须足够灵活，以进行适当的权衡。选择正确的闪存控制器对于确保闪存满足产品要求至关重要。闪存概述闪存单元由修改的场效应晶体管（FET）组成，在控制栅极和通道之间的绝缘层中具有额外的“浮置”栅极。通过施加高压将电荷注入到浮栅上（或从浮栅上去除）。这会改变打开晶体管所需的栅极...
• 所属专栏： 技术交流 标签： NAND FLASH,FLASH,SRAM,存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-12-10 14:19:00

• FRAM低功耗设计使写非易失性数据操作消耗更少的功耗
• FRAM器件消耗的工作电流大约是EEPROM的1/3，而FRAM的待机/睡眠电流规格与EEPROM的待机/睡眠电流规格差不多。有功电流中的差异对功耗产生巨大影响，特别是当应用程（如:智能电子式电表）频繁的记录数据而使写密集时。除了EEPROM中有功电流不足，EEPROM还产生额外页编写延迟，这样导致器件在较长时间内保持活跃模式。它会使功耗增加。使用以下的公式1和公式2计算出写入FRAM和EEPROM中所需的能量值。FRAM和EEPROM中的能耗在表1中进行比较，并显示在图1中。此比较演示了相对的能耗;使用EEPROM在长时间内保持活跃状态，因为它消耗的有功电流比FRAM的大两倍。注意：在写/...
• 所属专栏： 技术交流 标签： FRAM,EEPROM,SRAM,非易失性存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-10-09 14:39:00

• EEPROM与内存Flash消耗能量计算
• 本篇文章存储芯片供应商宇芯电子要介绍的是非易失性存储器EEPROM与内存Flash消耗能量计算。首先，我们来看看非易失性存储器在典型的3.3VEEPROM写入过程中所消耗的能量待机电流为1μA，写入时间为5ms，写入电流为3毫安（表1）。我们假设：一旦VDD上升到工作限制内（上电时间），EEPROM就准备开始工作零）。•写入的数据量适合一页，并且使用块写入功能进行写入。•EEPROM的写入时间仅是执行EEPROM的写入操作所需的时间，因此我们忽略MCU和SPI接口的任何处理和通信时间。（这个假设是相反的用于MRAM的；MRAM只需要通信时间，因为写入时间很短，因此它可以被视为零。）•EEPR...
• 所属专栏： 技术交流 标签： EEPROM,内存Flash,非易失性存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-09-08 15:15:00

• STC15f内部EEPROM
• 1.EEPROM我使用的时候查看了使用手册了解相关寄存器的使用（寄存器设置没看懂只是看着用）查看例程只用擦除扇区函数，读和写操作，（都是可用的函数拿来就可以用），关闭IAP寄存器操作函数，在进行操作的时候初始化一边即可多次调用读写函数我遇到的问题1.STC15F2K60S2只有2个扇区每个扇区512个字节，字节数1K，我当时不明白，在进行多个扇区读写失败用IAP字节读时EEPROM起始扇区首地址:0000h；用IAP字节读时EEPROM结束扇区末地址:03FFh2.不明白怎么调用读写函数写入函数调用voidIapProgramByte(扇区地址,写入的数据)读写函数调用unsignedcha...
• 所属专栏： 学学单片机 标签： EEPROM 发帖人：Argon 发帖时间：2018-12-29 13:37:00

• 小体积EEPROM存储器，价格只用0.23不到，可以试用一下。
• EEPROM存储器24C02小体积SOT23-5,价格只用0.23不到，可以试用一下。http://item.szlcsc.com/208512.html
• 所属专栏： 代售推荐 标签： EEPROM 24c02 发帖人：navyzhao 发帖时间：2018-04-08 13:44:00

• 样板贴的K24C02可用，SMT贴的M24C02为何不能用？
• 样板时在立创上买的是华虹NEC的K24C02，调试完毕后，下单做SMT时，立创可选的只有意法（ST）的M24C02，结果贴回来，都不能用，实在找不到原因，又手工换回了K24C02，换后就好了。看技术说明，这两个芯片应该是可以互换的，为何不行。IIC接口是使用软件模拟的，尝试这调整了延时时序也不行。有没有哪位高手给点意见？难道只有全部换了？
• 所属专栏： SMT贴片 标签： EEPROM 24C02 发帖人：wlhhust 发帖时间：2017-09-15 13:39:00

• 给大家推荐几款功耗较低的EEROM
• 为大家推荐美国微芯(收购了ATMEL)AT24C04D,AT24C08D,AT24C32E等功耗较低的EEPROM,大厂大品质,老厂老味道.工作电压:1.7-3.6VI2C接口:100KHz标准模式400KHz快速模式1MHz超快模式使用功耗:超低的活动电流不大于1mA超低的静态电流不大于0.8uA使用寿命:单点写通1000000次数据保存时间100年↓↓有图有真相↓↓↓↓有料有链接↓↓AT24C04DAT24C08DAT24C32E
• 所属专栏： 代售推荐 标签： EEPROM 发帖人：倚楼听风雨 发帖时间：2017-07-27 13:39:00