• 提升SRAM性能的传统方法
• 随着诸如医疗电子和无线传感节点等应用的兴起,低功耗芯片受到了越来越广泛的关注.这类芯片对性能和功耗要求苛刻.静态随机存储器(SRAM)作为芯片的重要组成部分,大程度上影响着芯片的面积和功耗,因此其功耗的优化成了芯片功耗优化的关键所在.本篇文章由专注于销售代理SRAM、MRAM、PSRAM等存储芯片供应商宇芯电子介绍如何利用传统方法提升SRAM性能。SRAM单元的数据保持功能是通过背靠背的反相器实现的,因此为了使单元能最稳定地保持数据,每个反相器都要工作在最优的噪声容限下.使单个反相器获得最优噪声容限的传统做法是,先把NMOS和PMOS的沟道长度固定为最小沟道长度，再调整NMOS和PMOS的宽...
• 所属专栏： 技术交流 标签： SRAM,存储器,SRAM存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-11-25 16:48:00

• SRAM的基础模块存有三种情况
• SRAM是随机存取存储器的一种。“静态”是指这种存储器只要保持通电，里面储存的数据就可以恒常保持。SRAM不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。SRAM功耗取决于它的访问频率。如果用高频率访问SRAM，其功耗比DRAM大得多。有的SRAM在全带宽时功耗达到几个瓦特量级。另一方面，SRAM如果用于温和的时钟频率的微处理器，其功耗将非常小，在空闲状态时功耗可以忽略不计—几个微瓦特级别。本篇内容要介绍的是关于SRAM的基础模块存有三种情况：standby（空余），read（读）和write（写）。第一种情况：standby假如WL沒有选为上拉电阻，那么M5和M62个做为操纵用的晶体三极管处在短路...
• 所属专栏： 技术交流 标签： SRAM,SRAM存储器,芯片,存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-09-02 13:39:00

• 从三个层面认识SRAM存储器
• 大家都了解，CPU是负责计算和处理的，而存储器则是负责互换数据信息的。有些人是那么形容的，说CPU便是技术工程师自己，运行内存就好像操作台，必须妥善处理的物品必须先取得工作中台子上才便捷解决。那么硬盘是什么呢？电脑硬盘如同木柜，储放电子元器件仪器设备用的库房，存物品。下面专注于代理销售SRAM、MRAM、Flash等存储芯片供应商宇芯电子从三个层次介绍SRAM。存储器有两个基础的组成模块，充足了解SRAM和DRAM这两个定义及其电路原理，针对学习工具CPU架构及其DDR十分有效。DRAM便是动态随机存储器，SRAM是静态数据随机存储器。这一动一静的实质是什么呢？先说静态数据随机存储器，它是运...
• 所属专栏： 技术交流 标签： SRAM,SRAM存储器,芯片,存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-09-01 15:59:00

• SRAM存储器芯片地址引脚线短路检测方法
• SRAM是控制器电路中重要的元器件，控制器硬件出厂时，要对所有元器件进行检测。对SRAM某个地址读写，可以判断SRAM芯片是否损坏，以及数据线是否虚焊。为解决现有技术中不能对SRAM芯片地址引脚线短路故障进行快速精确检测定位的问题；提供一种SRAM芯片地址引脚线短路检测方法，包括以下步骤：一、根据芯片地址引脚的排列特性，列出地址引脚间可能短路的待检引脚组；二、获得sram芯片的起始地址，并确定所有与待检引脚组相对应的相关地址；三、依次向所有相关地址中写入与起始地址中数据不同的校验数据，比较校验数据写入前后起始地址中的数据，若起始地址中的数据发生变化则与该对应相关地址的待检引脚组中引脚间具有短...
• 所属专栏： 技术交流 标签： SRAM存储器芯片,SRAM存储器,SRAM,SRAM检测 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-06-16 14:03:00

• SRAM数据存储原理
• 静态RAM的基本构造块是SRAM存储单元。通过升高字线的电平触发存储单元，再通过位线对所触发的存储单元进行读出或写入。在静态CMOS存储器中，存储单元阵列将会占去整个存储器芯片面积的一半以上，在一些大容量的SRAM中，这个比例还要更大一些。因而减小存储单元的面积变得尤为重要。一方面我们希望单元面积越小越好；而另一方面随着存储单元面积的减小，单元的稳定性又会逐渐变差。那么所谓的存储器它是靠什么原理来存储数据的呢？宇芯电子来解答。图1（a）存储单元偏置在转折电压图1（b）存储单元工作在稳态我们可以在同一坐标系中做出两个反相器的电压传输特性曲线，如图1所示。两条曲线共有三个交点：A、B与C，其中A...
• 所属专栏： 技术交流 标签： SRAM,SRAM数据存储,SRAM存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-06-05 15:24:00

• SRAM电路工作原理
• 近年来，片上存储器发展迅速，根据国际半导体技术路线图（ITRS），随着超深亚微米制造工艺的成熟和纳米工艺的发展，晶体管特征尺寸进一步缩小，半导体存储器在片上存储器上所占的面积比例也越来越高。接下来宇芯电子介绍SRAM的工作原理以及工作过程。SRAM写操作。写操作就是把数据写入指定的SRAM存储单元中。首先片选信号CEBB置为低电平，读控制电路开始运作。10位写地址线AB0-AB9、16位数据输入DI0-DI15准备就绪，地址信号有效，系统开始译码、选择要写入的存储单元以及需要写入的数据。当时钟信号CKB高电平到来时，CKB信号控制译码电路完成最后的译码，行译码电路选中的那一行存储单元写字线W...
• 所属专栏： 技术交流 标签： SRAM,SRAM电路,SRAM工作原理,SRAM读操作,SRAM写操作 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-05-29 15:51:00

• SRAM市场与技术
• 相比于其他市场，汽车市场更为关注技术成熟度。目前FRAM在汽车行业的销售数量已超过8亿台，技术已相当成熟，汽车行业的客户完全可以对此放心无忧为什么要在汽车中使用“FRAM”?与EEPROM和FLASH非易失性内存相比，FRAM在EDR应用上有三大关键优势。对于那些有精确时间要求的应用来说，FRAM会立即具备非易失性。这些应用在系统发生故障时，最重要的数据，如数据记录器通常会面临风险。FRAM擦写周期为10E+14，而EEROM为10E+6，FLASH为10E+5，。因此FRAM是数据记录器的理想选择，其数据可持续写入。FRAM的读写操作功耗低，对于具有独立有限电源如电池或电容的应用来说，尤其...
• 所属专栏： 技术交流 标签： SRAM,SRAM市场，SRAM存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-05-25 16:20:00

• 如何减小SRAM读写操作时的串扰
• 静态存储器SRAM是一款不需要刷新电路即能保存它内部存储数据的存储器。在SRAM存储阵列的设计中，经常会出现串扰问题发生。那么要如何减小如何减小SRAM读写操作时的串扰，以及提高SRAM的可靠性呢，下面由宇芯电子来简单介绍。设计结果与仿真分析图1为脉冲产生电路通过analogEnvironment的仿真波形图。当地址产生变化，由于信号经过的延迟路径长短不同而产生了脉冲，当V1脉冲生成时，作为灵敏放大器输入端电位平衡的控制信号，缩短了预充时间，大大提高了读取速度。V2作为位线预充电路的控制信号，避免了数据读写时发生错误。V3和V4作为字线放电电路的控制信号，只有当V3和V4同时为低电平时，字线...
• 所属专栏： 技术交流 标签： SRAM读写操作,SRAM,SRAM串扰 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-05-20 15:30:00

• 关于如何提高SRAM存储器的新方法
• SRAM是当今处理器上最普遍的内存。当芯片制造商宣布他们已经成功地将更多的电路封装到芯片上时，通常是较小的晶体管引起了人们的注意。但是连接晶体管形成电路的互连也必须收缩。IMEC的研究人员提出了一个方案，可以使SRAM保持良好的性能，并最终能够将更多的晶体管封装到集成电路中。而且还能降低导线电阻和延迟，提高SRAM的执行速度。SRAM由6个晶体管组成，控制读写的两条连线被称为位线和字线，是两条较长的连线。长而窄的连线电阻更大，延时更长。字线和位线的电阻对SRAM运行速度的提高和工作电压的降低构成了限制。按照传统方法来实现集成电路需要先在在硅衬底上构建晶体管，然后再在硅衬底上添加互连层，将晶体...
• 所属专栏： 技术交流 标签： SRAM存储器,SRAM,SRAM单元 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-05-11 15:49:00

• SRAM存储单元读操作分析
• 一个典型的SRAM基本结构中，每个存储单元都通过字线和位线与它所在的行和列中的其它存储单元有电学连接关系。水平方向的连线把所有的存储单元连成一行构成字线，而垂直方向的连线是数据输入和数据输出存储单元的通路，称为位线。每一个存储单元都能通过选择适当的字线和位线被唯一地定位。宇芯有限公司介绍关于SRAM存储器的读操作分析。图1六管单元的读出操作SRAM存储单元读操作分析存储单元的读操作是指被寻址的存储单元将它存储的数据送到相应位线上的操作。图3.5表示的是进行读操作的一个SRAM单元，两条位线开始都是浮空为高电平。假设当前单元中存储的值为逻辑“1”，即节点A为高电平，节点B为低电平。读操作开始前...
• 所属专栏： 技术交流 标签： SRAM,SRAM存储器,SRAM芯片,SRAM读写操作 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-04-29 17:36:00