• 读取优先和SRAM-MRAM混合结构
• MRAM因具有许多优点,有取代SRAM和DRAM的潜能。用MTJ存储单元构建的MRAM存储器可以用作高速缓存。然而MRAM写入操作的长延时和较高的功耗成为其瓶颈，阻碍了其性能的进一步提高。读取优先的写缓存器和SRAM-MRAM混合结构这两种策略可以提高MRAM的性能及降低其功耗。读取优先和SRAM-MRAM混合结构直接用MRAM代替SRAM可能导致性能下降。因此提出了用两种策略来缓解这个矛盾:一是引入读取优先的写入缓冲器;二是引入SRAM-MRAM混合结构。二者可以结合起来以改善MRAM高速缓存的性能。读取优先的写入缓冲器因为L2高速缓存从上一级存储器和写入缓冲器获取命令，必须有一个优先权策...
• 所属专栏： 技术交流 标签： SRAM,MRAM,存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-11-10 14:24:00

• MRAM高速缓存的组成
• 磁阻式随机存储器(MRAM)是一种新型存储器,其优点有读取速度快和集成度高及非挥发性等。目前许多研究主要是致力于将MRAM存储器运用于计算机存储系统中。MRAM因具有许多优点,有取代SRAM和DRAM的潜能。用MTJ存储单元构建的MRAM存储器可以用作高速缓存。高速缓存可以用与SRAM几乎相同的方式来组建。MRAM与SRAM具有相似的电路结构(见图1)。它们都由字线来选择目标操作单元,由位线来传输数据。SRAM两种不同的位线连接到每一个单元,而MRAM只有一条位线,可以简单的把位线与源线的结合看做替代。因为基于sram芯片的读出放大器不能直接用于MRAM存储器,故MRAM需要一个参考信号，通...
• 所属专栏： 技术交流 标签： MRAM,SRAM,存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-11-06 14:32:00

• 铁电随机存储器FRAM和磁性随机存储器MRAM
• 新型的存储器既具有RAM的优点，又有非失易失性特征，同时克服了非易失性写入速度慢且写入次数有限等缺点。铁电随机存储器（FRAM)FRAM的核心技术是铁电晶体材料。这一特殊材料使得铁电存储产品同时拥有随机存取存储器(RAM)和非易失性存储产品的特性。当一个电场被加到铁电晶体时，中心原子顺着电场的方向在晶体里移动。当原子移动时，它通过一个能量壁垒，从而引起电荷击穿。内部电路感应到电荷击穿并设置存储器。移去电场后，中心原子保持不动，存储器的状态也得以保存FRAM存储器不需要定时刷新，掉电后数据立即保存，它速度很快，且不容易写坏。FRAM存储器技术和标准的CMOS制造工艺相兼容。铁电薄膜被放宇CMO...
• 所属专栏： 技术交流 标签： MRAM,非易失性存储器,铁电随机存储器,磁性随机存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-10-29 14:24:00

• SRAM是什么存储器
• 静态数据随机存储器存储器（SRAM）是随机存储器存储器的一种。说白了的“静态数据”，就是指这类存储器要是维持接电源，里边存储的数据信息就可以恒常维持。相对性下，动态性随机存储器存储器（DRAM）里边所存储的数据信息就必须周期性地升级。殊不知，当能源供应终止时，SRAM存储的数据信息依然会消退，这与在关闭电源后还能存储材料的ROM或闪存芯片是不一样的。SRAM不用更新电源电路即能储存它內部储存的数据信息。而DRAM每过一段时间，要更新电池充电一次，不然內部的数据信息即会消退，因而SRAM具备较高的特性，可是SRAM也是有它的缺陷，即它的处理速度较低，功能损耗较DRAM大，同样容积的DRAM运行...
• 所属专栏： 技术交流 标签： SRAM,SRAM存储器,静态随机存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-08-10 16:46:00

• MRAM独特功能替换现有内存
• 在所有常年兴起的记忆中，MRAM似乎最有可能濒临大规模，广泛采用。这是否会很快发生取决于制造的进步和支持分立和嵌入式MRAM器件技术的生态系统。MRAM以及PCRAM和ReRAM已经达到了一个临界点，在更多应用中它比以往任何时候都有意义。然而，从工艺和材料角度来看，它的确面临着一系列制造挑战，因为它使用的材料和工艺与传统CMOS制造不同。目前MRAM是在单独的工厂中作为[线的后端]（BEOL）工艺制造的。需要传统的CMOS制造中不使用的新设备，例如离子束蚀刻和新的溅射靶。为了降低嵌入式MRAM产品的成本，制造需要进入CMOS晶圆厂，并成为常规设备制造的一部分。除了将MRAM进一步整合到制造链...
• 所属专栏： 技术交流 标签： MRAM,Everspin MRAM,SRAM,内存,存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-07-30 15:40:00

• 静态随机存储器SRAM面临两大问题挑战
• SRAM是可在任何CMOS工艺中“免费获得”的存储器。自CMOS诞生以来，SRAM一直是任何新CMOS工艺的开发和生产制造的技术驱动力。利用最新的所谓的“深度学习领域专用域结构”（DSA），每个芯片上的SRAM数量已达到数百兆位。这导致了两个具体挑战。接下来由专注于代理销售SRAM、SDRAM、MRAM、Flash等存储芯片的宇芯电子介绍关于SRAM两大问题挑战。第一个挑战是使用FinFET晶体管的最新CMOS技术使单元尺寸的效率越来越低。在图1中可以看到这一点，其中SRAM单元大小是CMOS技术节点的函数。图1：过去30年中6晶体管SRAM单元尺寸的缩小趋势。一旦FinFET晶体管成为CM...
• 所属专栏： 技术交流 标签： SRAM,静态随机存储器,SRAM存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-07-28 16:22:00

• 研究人员开发一种新的MRAM单元结构
• MRAM存储芯片可以抵抗高辐射，可以在极端温度条件下运行，并且可以防篡改。这使得MRAM适用于汽车和工业，军事及太空应用，这些对于MRAM存储芯片开发人员来说是重要的部分。东京工业大学的研究人员开发了一种新的MRAM单元结构，该结构依赖于单向自旋霍尔磁阻（USMR）。新的单元结构只有两层。这可能导致成本更低的MRAM器件。自旋霍尔效应导致电子在材料的侧面以一定的自旋积累。通过将拓扑绝缘体与铁磁半导体相结合，研究人员设法制造出具有巨型USMR的器件。MRAM存储芯片是一种使用电子自旋来存储信息的存储技术。MRAM存储芯片具有成为通用存储器的潜力-能够将存储存储器的密度与SRAM的速度结合在一起...
• 所属专栏： 技术交流 标签： MRAM,MRAM存储芯片,汽车MRAM,存储技术 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-04-20 14:37:00

• everspin非易失性存储器MR4A16B
• Everspin科技公司表示：“Everspin将持续快速扩展MRAM产品组合，以协助更多客户实现产品差异化的目标。根据产品的发展蓝图，我们将不断提高MRAM产品的容量，并以极具成本效益的方式保持MRAM的独有特性。磁性随机存储器(MRAM)和集成磁(IntegratedMagnetic)产品的领导厂商everspin科技公司16MbMRAM，进一步强化了该公司在MRAM领域的领导地位。现在所有需要无电数据保持以及SRAM性能的应用都可使用具有非挥发性、高性能、以及高可靠性优势的MRAM技术。MR4A16B是一款3.3V、并行I/O非挥发RAM，其超快的存取周期仅为35ns，并允许无限制的读...
• 所属专栏： 技术交流 标签： Everspin,mram芯片,磁性随机存储器 发帖人：英尚微电子 发帖时间：2020-01-17 17:33:00

• 基于90nmCMOS技术的功能齐全的64MbDDR3STT-MRAM
• 自旋转矩磁阻随机存取存储器（ST-MRAM）有望成为一种快速，高密度的非易失性存储器，可以增强各种应用程序的性能，特别是在用作数据存储中的非易失性缓冲器时设备和系统。为此，everspin开发了基于90nmCMOS技术的全功能64MbDDR3STT-MRAM。存储器以8个存储区的配置进行组织，可支持1.6GigaTransfers/s（DDR3-1600）。已经在800MHz的全64Mb上运行了标准的内存测试，例如March6N模式，其中0失败超过105个周期。还验证了从0°C到70°C的完整功能，性能没有明显变化。这些位是具有MgO隧道势垒的磁性隧道结（MTJ）和由CoFeB基合金制成的具...
• 所属专栏： 新品推荐活动 标签： ​自旋转矩磁阻随机存取存储器,everspin 发帖人：英尚微电子 发帖时间：2020-01-07 16:28:00

• 汽车工业中的everspin随机存取存储器MRAM
• 汽车动力总成模块使用闪存技术在断电（保持活动内存（KAM）和非易失性内存（NVM））期间保留重要的控制和诊断信息。复杂的软件必须设计为最大化这些设备的生命周期，因为它们的写入周期数量有限。MRAM（磁阻式随机存取存储器）具有消除这种复杂性的潜力，并使KAM和NVM的管理过程更轻松，更强大。板载MRAM器件与下一代动力总成微处理器一起使用。创建了集成了最新动力总成微控制器，everspinMRAMMRA16A（2个x16位）和MR2xH50（@SCK40MHz）芯片的原型板。汽车工业正在引入新的非易失性存储器，例如mram芯片，相控存储器（PCRAM）和RRAM。这些新的存储器在汽车改变状态条...
• 所属专栏： 技术交流 标签： everspin,随机存取存储器MRAM,汽车专用SRAM 发帖人：英尚微电子 发帖时间：2019-12-27 17:17:00