• EverspinMRAM内存技术如何工作
• EverspinTechnologies总部位于亚利桑那州钱德勒，主要是设计和制造MRAM、STT-MRAM的全球领导者，Everspin所生产的MRAM产品包括40nm，28nm及更高工艺在内的先进技术，在节点上进行了全包交钥匙的300mm大批量平面内和垂直MTJST-MRAM生产。其产品包装和测试业务遍及中国，台湾和其他亚洲国家。那EverspinMRAM内存技术是如何工作的？Everspin代理下面将解析关于MRAM内存技术工作原理。EverspinMRAM与标准CMOS处理集成EverspinMRAM基于与CMOS处理集成的磁存储元件。每个存储元件都将一个磁性隧道结（MTJ）器件用于...
• 所属专栏： 技术交流 标签： Everspin MRAM,MRAM,MRAM内存技术 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-08-31 14:25:00

• 什么是STT-MRAM？
• 随着有希望的非易失性存储器架构的可用性不断增加，以增加并潜在地替代传统的易失性存储器，新的SoC级存储器测试和修复挑战正在出现。通过将自旋转移扭矩MRAM（STT-MRAM）作为嵌入式MRAM技术的领先趋势来增强动力.什么是STT-MRAM？嵌入式存储器IP选项包括STT-MRAM，相变存储器（PCM），电阻RAM（ReRAM）和铁电RAM（FRAM）。每种新兴的内存技术都不同，适合特定的应用，但STT-MRAM似乎已成为主流。STT-MRAM是一种电阻存储技术，其中材料中电子的磁性自旋变化会产生可测量的电阻率变化。从概念上讲，每个单元由两个磁体组成：一个是固定的，另一个是可以翻转的。当磁体...
• 所属专栏： 技术交流 标签： STT-MRAM,MRAM,everspin代理,Everspin MRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-08-04 17:31:00

• EverspinMRAM通过合作伙伴关系不断发展其生态系统
• Everspin在磁存储器设计，制造和交付到相关应用中的知识和经验在半导体行业中是独一无二的。Everspin拥有600多项有效专利和申请的知识产权，在平面和垂直磁隧道结（MTJ）STT-MRAM位单元的开发方面均处于市场领先地位。Everspin代理宇芯电子为客户提供应用解决方案等技术支持。Everspin与GlobalFoundries有合作的历史，并且通过不断地调整配方，在工厂中进行微调制造已有十多年了。能够迅速增加知识并将其转移到GlobalFoundries。在生产中有两种类型的MRAM-触发MRAM和STTMRAM，后者确实需要启用控制器或FPGA。Everspin将继续发展生态...
• 所属专栏： 技术交流 标签： MRAM,Everspin MRAM,MRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-07-31 15:03:00

• 当前MRAM市场以及专用MRAM设备测试的重要性
• Everspin专注于制造MRAM和STT-MRAM的翘楚，其市场和应用领域涉及数据持久性和完整性，低延迟和安全性至关重要。为云存储，能源，工业，汽车和运输市场提供了上亿只MRAM和STT-MRAM存储器芯片。Everspin总代理宇芯电子可提供技术支持和产品解决方案。MRAM可能是当今最有前途的下一代非易失性存储技术。ToggleMRAM和STT-MRAM已经进入市场，在许多应用中获得了市场份额。下一代MRAM技术（例如SOT-MRAM）甚至可以以更高的密度替换最快的SRAM应用。图1内存制造过程由于器件架构相对复杂，因此EverspinMRAM的生产过程分为多个阶段，在CMOS背板的顶部...
• 所属专栏： 技术交流 标签： MRAM,MRAM技术,STT-MRAM,Everspin MRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-07-13 11:34:00

• EverspinMRAM技术的可靠性
• 与大多数其他半导体存储技术不同，数据存储为磁性状态而不是电荷，并通过测量电阻来感测而不干扰磁性状态。使用磁性状态进行存储有两个主要好处。首先磁极化不会像电荷一样随时间泄漏，因此即使关闭电源，信息也会被存储。其次在两种状态之间切换磁极化不涉及电子或原子的实际运动，因此不存在已知的磨损机制。EverspinMRAM器件旨在结合非易失性存储器和RAM的最佳功能，为越来越多的电子系统提供“即时接通”功能和断电保护。EverspinMRAM技术产品组合Everspin切换MRAM技术EverspinMRAM与标准CMOS处理集成EverspinMRAM基于与CMOS处理集成的磁存储元件。每个存储元件都...
• 所属专栏： 技术交流 标签： Everspin MRAM.MRAM技术,MRAM, 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-06-02 15:34:00

• 新型存储器与传统存储器介质特性对比
• 目前新型存储器上受到广泛关注的新型存储器主要有相变存储器(PCM)，其中有以英特尔与美光联合研发的3DXpoint为代表;MRAM以美国Everspin公司推出的STT-MRAM为代表;阻变存储器ReRAM，目前暂无商用产品，其代表公司是美国的Crossbar。上述新型存储器已被研究了近数十年，只是相对于早已产业化的随机存储sram、DRAM存储器、和NANDFlash，还未能大规模商用。存储器产业未来的技术发展方向仍是未知数。在非易失性MRAM存储器方面，EverspinMRAM已经有产品应用于航空航天等特定领域，并于2019年开始与格芯合作，试生产28nm制程的1GbST-MRAM产品。...
• 所属专栏： 新品推荐活动 标签： MRAM,Everspin,Everspin MRAM,Everspin STT-MRAM 1Gb 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-04-24 16:21:00

• STT-MRAM存在的两个弊端
• 随着自旋转移矩效应的发现以及材料和结构的优化，基于自旋转移矩效应的STT-MRAM器件应运而生。自从自旋转移矩效应被证实以来，一方面研究人员通过大量的努力尝试降低磁化反转的临界电流，增加热稳定性；另一方面Sony、Hitachi、Renesas、Crocus、Toshiba、Samsung、Hynix、IBM等多家公司也在积极研发STT-MRAM。早期的磁隧道结采用面内磁各向异性（In-PlaneMagneticAnisotropy）。它存在如下两个弊端：1）随着工艺减小，热稳定性恶化。采用面内磁各向异性磁隧道结的存储寿命取决于热稳定性势垒和磁各向异性场，面内磁各向异性的来源是薄膜平面较大的...
• 所属专栏： 技术交流 标签： STT-MRAM,EVERSPIN,MRMA,MRAM技术 发帖人：英尚微电子 发帖时间：2020-01-15 14:49:00

• 各大原厂看好MRAM发展
• MRAM是一种以电阻为存储方式结合非易失性及随机访问两种特性，可以兼做内存和硬盘的新型存储介质。写入速度可达NAND闪存的数千倍，此外，其制作工艺要求低，良品率高，可以很好的控制成本。在寿命方面，由于MRAM特殊的存储方式，产品的寿命耐久性也远超传统RAM。大规模普及仍面临挑战毫无疑问，MRAM因其独特的存储方式在非易失性，写入速度，寿命等各方面均有优势，然而能否被广泛采用仍面临一系列挑战。一般来讲，MRAM通常由三大部分组成：半导体基底，磁自旋隧穿结（MagneticTunnelJunction，MTJ）和磁发生器。产业调研报告《EmergingMemoriesRampUp》显示，MRAM...
• 所属专栏： 技术交流 标签： MRAM,EVERSPIN 发帖人：英尚微电子 发帖时间：2020-01-10 17:07:00

• 案例研究RAID控制器应用程序中的everspinmram
• everspinMRAM是为LSICorporation（现在的AvagoTechnologies）RAID控制器卡上的日志存储器选择的存储器，该RAID卡具有6Gb/s和12Gb/sSAS存储连接。EverspinMRAM在其RAID磁盘阵列中执行写日志或数据日志功能。MRAM实时捕获事务信息，以便在发生系统故障时可以恢复数据。写入MRAM的数据日志还可以捕获系统状况和状态，以进行远程诊断和修复。MRAM芯片也包含在LSI公司针对第三方RAID卡和主板RAID（ROMB）解决方案的参考设计中。RAID控制器应用程序中的MRAMEverspinMRAM快速写入，能够实时存储数据，并且在整个工...
• 所属专栏： 技术交流 标签： everspin,mram 发帖人：英尚微电子 发帖时间：2020-01-07 16:32:00

• 航空航天专用Everspin非易失性MRAM存储器
• TAMU是由瑞典乌普萨拉的Ångström航空航天公司（ÅAC）开发的高级磁力计子系统。TAMU的目的是提供地球磁场的磁力计数据，以便与子画面观测相关。实验性TAMU由使用领先技术制造的四种类型的设备组成：3轴地磁传感器，通过3D封装系统技术制造的MPU芯片，制造的4MbitMRAM（磁性随机存取存储器）芯片由EverspinTechnologies和IMU（惯性测量单元）芯片组成。ÅACMicrotec在其Tohoku-ÅACMEMS单元（TAMU）（磁力计子系统）中使用了Everspin扩展的温度范围4MbitMRAM。everspin的4MbitMRAM器件取代了闪存和电池供电的SRA...
• 所属专栏： 技术交流 标签： mram芯片,everspin,Everspin,MRAM技术 发帖人：英尚微电子 发帖时间：2019-12-26 17:19:00