• 国产NS32F103CBT6软硬件通用STM32F103CBT6
• ■内核：ARM32位Cortex™-M3内核−最高72MHz工作频率，在存储器的0等待周期访问时可达1.25DMips/MHz(Dhrystone2.1)−单周期乘法和硬件除法■存储器−64KB或128KB程序Flash−20KBSRAM■时钟、复位和电源管理−2.0～3.6V供电和I/O引脚−上电/断电复位(POR/PDR)、可编程电压监测器(PVD)−4～16MHz晶体振荡器−内嵌经出厂调校的8MHz的高速RC振荡器−内嵌带校准的40kHz的低速RC振荡器−产生CPU时钟的PLL−带校准功能的32kHzRTC振荡器■2个12位ADC，1μs转换时间(多达16个输入通道)−转换范围：0至3...
• 所属专栏： 器件替换 标签： MCU ST 发帖人：Vasse 发帖时间：2022-05-07 19:24:00

• STM32L单片机有没有国产替代？
• 请问STM32L151单片机VET6有没有国产替代？谢谢。
• 所属专栏： 单片机开发 标签： STM32L151VET6 ST GD MCU 发帖人：得圣科技 发帖时间：2022-03-16 13:43:00

• STM32F429ZIT6稀缺物料
• STM32F429ZIT6稀缺物料21+原厂渠道可含税出
• 所属专栏： 技术交流 标签： ST单片机 发帖人：电源芯片韩工 发帖时间：2021-11-30 19:43:00

• 国产MCUDP32G003替代STM32单片机
• 近两年，因为各种影响，进口的许多物料一直都在缺货与涨价的边缘徘徊。这种发展的趋势，也推动了许多工程更愿意去研发国内的替代方案，做备选或者代替。从而也加快国产产品的发展速度。今天小编要给大家推荐新产品是一款国产单片机DP32G003。DP32G003芯片提供多种低功耗模式满足客户的不同需求。DP32G003内嵌ARMCortexM0内核，最高工作频率可达48MHz，内置高速存储器，丰富的增强型IO端口和外设连接到总线。本产品包括16路IO、1个（9通道）12位的ADC、2个16位的高级定时器，具有输入捕获和周期脉冲输出等功能、1个32位的IWDT、3路独立的基本PWM波形发生器、3路独立高级P...
• 所属专栏： 技术交流 标签： MCU STM32 ST 单片机 GD 发帖人：小嗡嗡嗡 发帖时间：2021-09-10 16:19:00

• ST品牌部分器件移出基础库
• 以下ST的型号将会移出基础库，抱歉给大家带来不便。
• 所属专栏： SMT贴片 标签： ST 基础库 发帖人：熊大 发帖时间：2021-05-17 15:07:00

• 国内首次实现晶圆级亚百纳米ST-MRAM存储器件制备
• 近日中科院微电子所集成电路先导工艺研发中心在STT-MRAM器件与集成技术研究领域取得了阶段性进展。什么是STT-MRAM？STT代表旋转传递扭矩。在STT-MRAM器件中，电子的自旋使用自旋极化电流翻转。这种效果是在磁性隧道结（MTJ）或自旋阀中实现的，ST-MRAM设备使用STT隧道结（STT-MTJ）。通过使电流流过薄磁性层来产生自旋极化电流。然后该电流被引导到一个较薄的磁性层中，该磁性层将角动量传递到改变其自旋的薄层中。中科院微电子联合北京航空航天大学赵巍胜教授团队以及江苏鲁汶仪器有限公司，基于8英寸CMOS先导工艺研发线，自主研发原子层级磁性薄膜沉积、深紫外曝光、原子层级隧道结刻蚀...
• 所属专栏： 新品推荐活动 标签： ST-MRAM,ST-MRAM存储器,STT-MRAM,非易失性存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-06-23 16:27:00

• MRAM缓存可行性比SRAM更高
• 随着制程迈向5nm甚至3nm，半导体工艺复杂性剧增导致高密度SRAM在先进技术节点处的缩小变得更为有限。为减少面积和能耗，STT-MRAM存储器已成为替代基于SRAM的最后一级高速缓存存储器的有希望的候选者。STT-MRAM器件的核心元件是磁隧道结，其中薄介电层夹在磁固定层和磁自由层之间。通过利用注入磁隧道结的电流切换自由磁层的磁化来执行存储单元的写入。与合作伙伴如GlobalFoundries、华为、美光、高通、索尼半导体解决方案、台积电和西部数据合作，Imec通过两步骤分析5nm技术节点上为高性能计算领域引入STT-MRAM的可行性。Imec在会议上展示了在5nm节点上SRAM和STT-...
• 所属专栏： 技术交流 标签： MRAM缓存,SRAM,ST-MRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-05-22 16:01:00

• 超低功耗ST-MRAM内存架构
• ST-MRAM有潜力成为领先的存储技术，因为它是一种高性能存储器（可以挑战DRAM和SRAM），可扩展至10nm以下，并挑战了闪存的低成本。STT代表旋转传递扭矩。在ST-MRAM器件中，电子的自旋使用自旋极化电流翻转。目前有研究人员开发了一种新的超低功耗ST-MRAM架构，称为SuperLatticeST-MRAM或SL-ST-MRAM。研究人员说，SL-ST-MARM同时实现了超高MR比，高速开关和低RA。SLSTTMRAM结构SL-ST-MRAM基于SL-ST-MTJ，它使用超晶格势垒代替了传统STT-MTJ中的单晶（MgO）势垒。超晶格屏障由交替的金属层和绝缘层组成，其中在绝缘层中仅...
• 所属专栏： 技术交流 标签： ST-MRAM,低功耗ST-MRAM,Everspin,MRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-03-27 16:34:00

• ST的片子有这么贵吗
• 刚选型了一颗STM32L471VET6，结果某宝报价70不含税，是不是有点贵啊
• 所属专栏： 技术交流 标签： ST 单片机 发帖人：山东硬件 发帖时间：2018-08-15 08:41:00

• ST(意法半导体)/STM32F301C6T6超高性价比ARM
• STM32F301C6T6超高性价比ARMCortex-M4，电机、变频、逆变、机器人、电力、控制的首选。应用场合：电机、航模、飞控、变频、逆变、电源、机械人、仪表、电力上专用的芯片。购买衔接http://www.szlcsc.com/product/details_137474.html数据手册：STM32F301C6T6_PDF_C126194_2017-08-18(1).pdf制造商零件编号：STM32F301C6T6制造商：STMicroelectronics描述：ICMCU32BIT32KBFLASH48LQFP系列：STM32F3核心处理器：ARMCortex-M4核心尺寸：32...
• 所属专栏： 代售推荐 标签： st 发帖人：韦爵爷000 发帖时间：2017-08-26 14:18:00