• 用于汽车事件数据记录器中的Cypress非易失性FRAM
• CYPRESS串行非易失性存储器为关键任务数据捕获提供卓越的性能和可靠性。Excelon铁电存储器FRAM系列提供高速非易失性数据记录功能，即使在极端温度下在恶劣的汽车和工业操作环境中也可防止数据丢失。ExcelonAuto系列提供2Mb至4Mb的汽车级密度，而ExcelonUltra系列则提供4Mb至8Mb的工业级密度。这两款产品均提供低引脚数的小封装选项，使其非常适合广泛的高级汽车和工业应用。ExcelonAuto系列提供AEC-Q100扩展温度选项且符合功能安全。ExcelonUltra系列提供108MHz四通道串行外围设备接口（SPI）性能，性能优于传统存储器。Excelon系列固有...
• 所属专栏： 技术交流 标签： Cypress,非易失性FRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2021-01-05 16:10:00

• ​FRAM技术简介
• 成熟的半导体存储技术分为两类：1.RAM是随机存取存储器，具有对称的读写访问时间。2.非易失性存储器，传统上一直是ROM（只读存储器），直到浮栅技术出现。浮栅技术产生了电可擦除存储器，例如闪存和EEPROM。这些产品允许进行系统内编程，但读写访问时间不同。实际上，写访问时间可能比读访问时间大几个数量级。铁电随机存取存储器或FRAM是真正的非易失性RAM，因为它结合了RAM和非易失性存储器的优点。相对于闪存/EEPROM的写入优势和非易失性使其非常适合在没有电源的情况下存储数据。铁电性能铁电特性是一类现象锆钛酸铅（PZT）等材料。PZT具有钙钛矿晶体结构，如图1所示。中心的阳离子具有两个相等且...
• 所属专栏： 技术交流 标签： ​FRAM,非易失性RAM,非易失性存储器,铁电RAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-12-24 14:26:00

• 非易失性存储器EEPROM
• 非易失性存储器主要是用来存放固定数据、固件程序等一般不需要经常改动的数据。目前主流非易失性存储器主要有EEPROM、MRAM、FLASH、FRAM。EEPROM的存储原理EEPROM即电可擦可编程只读存储器。EEPROM可以在线擦除和重新编程，一般用在即插即用。EEPROM的擦除不需要借助于其它设备，它是通过高于普通电压的作用来擦除和重编程;且可以Byte为最小修改单位，不必将资料全部洗掉才能写入。但由于EEPROM的存储容量一般不大，因此主要应用在小存储数据的场合，比如电脑的BIOSROM芯片和配置信息存储等。EEPROM选型EEPROM特点EEPROM解决了传统ROM/OTP只能出厂前或...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 非易失性存储器,EEPROM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-12-11 15:10:00

• 非易失性MRAM及其单元结构
• MRAM的优异性能使它能较快取代目前广泛采用的DRAM内存及EEPROM闪存，作为新一代计算机的内存。MRAM目前是新一代计算机内存的最佳候选者，但不是唯一的，与它同期并存的还有FRAM(铁电随机存取存储器）和OUM(Ovshinsky电统一随机存取存储器)，三者科技内涵各有所长,市场预测尚难预料。本篇文章EverspinMRAM代理商宇芯电子要介绍的是关于非易失性MRAM的单元结构。MRAM器件的结构一个二维MRAM存储阵列如图1所示,可见MRAM器件是由相互正交的字线和位线组成删格,每个MRAM单元位于字线和位线的交叉点(即格点）处。通过每条字线和每条位线的编码可对器件中某个特定的MRA...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 非易失性MRAM,MRAM,非易失性MRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-10-20 14:43:00

• FRAM低功耗设计使写非易失性数据操作消耗更少的功耗
• FRAM器件消耗的工作电流大约是EEPROM的1/3，而FRAM的待机/睡眠电流规格与EEPROM的待机/睡眠电流规格差不多。有功电流中的差异对功耗产生巨大影响，特别是当应用程（如:智能电子式电表）频繁的记录数据而使写密集时。除了EEPROM中有功电流不足，EEPROM还产生额外页编写延迟，这样导致器件在较长时间内保持活跃模式。它会使功耗增加。使用以下的公式1和公式2计算出写入FRAM和EEPROM中所需的能量值。FRAM和EEPROM中的能耗在表1中进行比较，并显示在图1中。此比较演示了相对的能耗;使用EEPROM在长时间内保持活跃状态，因为它消耗的有功电流比FRAM的大两倍。注意：在写/...
• 所属专栏： 技术交流 标签： FRAM,EEPROM,SRAM,非易失性存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-10-09 14:39:00

• 非易失性存储器MRAM技术介绍
• MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器。所谓“非易失性”是指掉电后﹐仍可以保持存储内容完整,此功能与Flash闪存相同;而“随机存取”是指处理器读取资料时,不定要从头开始,随时都可用相同的速率,从内存的任何位置读写信息。MRAM芯片中的存储单元采用磁隧道结(MTJ)结构来进行数据存储。MTJ由固定磁层﹑薄绝缘隧道隔离层和自由磁层组成。当向MTJ施加偏压时，被磁层极化的电子会通过一个称为“穿遂”的过程，穿透绝缘隔离层。当自由层的磁矩与固定层平行时，MTJ结构具有低电阻;而当自由层的磁矩方向与固定层反向平行(anti-parallel)时，则具有高电阻。随着设备磁性状态的改变,电阻也会变化，这种...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 非易失性存储器,MRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-09-21 13:52:00

• 非易失性NV-SRAM简介
• 尽管闪存和其他非易失性存储技术已广泛用于实现嵌入式文件系统，但对于某些嵌入式应用程序来说可能太复杂了。在许多情况下的内存可以最有效地用作已预先初始化的数据结构。这种方法需要对数据完整性进行某种管理。本文存储芯片供应商宇芯电子先带大家认识一下非易失性NV-SRAM。NV-SRAM简介在现代计算机系统中，存在大量内存。其中大多数是名称不合时宜的随机存取存储器（RAM）。这个名称意义不大，因为当今所有内存都是随机访问的。当工程师谈论RAM时，它们的意思是易失性半导体存储器，只要加电，就可以无限期地对其进行读写操作。并非总是这样。在计算机的早期，程序/数据存储的最常见形式是“核心内存”。按照现代标准...
• 所属专栏： 技术交流 标签： NV-SRAM,RAM,NVRAM,非易失性存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-09-09 16:00:00

• 非易失性FRAM中的预充电操作
• 铁电存储器（FRAM）是一种随机存取存储器，是一种特殊工艺的非易失性的存储器，它将DRAM的快速读取和写入访问,它是个人电脑存储中最常用的类型，与在电源关掉后保留数据能力（就像其他稳定的存储设备一样，如只读存储器和闪存）结合起来。接下来宇芯电子介绍关于非易失性FRAM中的预充电操作。预充电是FRAM的内部条件，在该条件下，存储器被调适以进行新的访问。FRAM设备中的预充电操作在以下任何条件下启动：1.驱动芯片使能信号/CE至高电平2.更改高位地址位（例如，设备FM28V100的A16-A3）FRAM中的读取操作具有破坏性，因为它需要切换极化状态才能感知其状态。在初始读取之后，读取操作必须将极...
• 所属专栏： 技术交流 标签： FRAM,铁电RAM,非易失性存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-08-18 15:28:00

• FRAM的未来是更高的密度
• 最近出现的许多内存问题都以3DXpoint的形式出现在ReRAM，MRAM和PCRAM上。但是铁电RAM（FRAM）在小型利基设备中得到了成功。去年对新兴内存年报，吹捧的ReRAM，MRAM和PCRAM的三个关键新兴的记忆保持在眼睛上。但它也指出，FRAM已在诸如大众运输卡，游戏系统和功率计之类的特定市场证明了自己，其主要吸引力在于执行写入操作时的低功耗。FRAM产品已经存在很长时间了，主要是作为缓冲应用程序的专用缓存。甚至还有一些灵活的FRAM器件，“但对于利基应用，它们的密度相对较低。实际上，FRAM已经存在了35年。它的非易失性和低功耗是它继续受到关注的原因，因为它对许多应用程序都至关...
• 所属专栏： 技术交流 标签： FRAM,铁电RAM,铁电存储器,非易失性存储器,高密度FRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-07-24 15:26:00

• STT-MRAM存储器技术结构图
• 目前有数家芯片制造商,正致力于开发创新出名为STT-MRAM的新一代存储器技术,然而这项技术仍存在其制造和测试等面向存在着诸多挑战.STT-MRAM（又称自旋转移转矩MRAM技术）具有在单一元件中,结合数种常规存储器的特性而获得市场的高度重视.在多年来的发展中发现,STT-MRAM具备了SRAM的速度与快闪存储器的稳定性与耐久性.STT-MRAM是透过电子自旋的磁性特性,在芯片中提供非挥发性储存的功能.STT-MRAM深受市场关注尽管,STT-MRAM这项技术看起来虽然有其优势,却也高度复杂,这就是为什么它的发展历程远比预期的时间还更长.包括三星、台积电、英特尔、GlobalFoundrie...
• 所属专栏： 技术交流 标签： STT-MRAM,非易失性MRAM,Everspin,非易失性存储技术 发帖人：英尚微电子 发帖时间：2019-12-10 16:33:00