• 带有ECC的异步SRAM存储器适用于各种应用
• 赛普拉斯凭借可服务于各种高可靠性工业，通信，数据处理，医疗，消费和军事应用的性能，快速SRAM器件可提供片上ECC。这些器件具有与老一代异步SRAM兼容的外形匹配功能。这使您无需投资PCB重新设计即可提高系统可靠性。高可靠性：软错误率<0.1FIT/MbitERR引脚指示单位错误密度选项：4Mbit，8Mbit，16Mbit快速访问时间：10ns（FAST）超低待机电流：8.7μA（4MbitMoBL®）总线宽度配置：x8，x16和x32宽工作电压范围：1.8-5.0V工业和汽车温度等级带有ECC的异步SRAM适用于各种要求最高可靠性和性能标准的工业，医疗，商业，汽车和军事应用。快速S...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 异步SRAM,SRAM存储器,快速SRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2021-01-14 14:22:00

• Cypress存取时间为10纳秒的异步SRAM
• Cypress16兆字节快速异步SRAM﹐其存取时间小于10ns。异步SRAM内含l亿多个晶体管﹐采用6个晶体管存储单元﹐是该公司4兆字节快速异步SRAM的后续产品.Cypress负责这种新SRAM设计流程中﹐从概念设计到交付生产的每一个阶段。第一块硅片已初步定型﹐最初结果显示存取时间将远低于10ns.该设计是用0.16微米CMOS工艺实现的﹐芯片的面积超过120000平方密耳。尽管该公司早先的异步SRAM设计是使用高电压晶体管实现的﹐但是新的SRAM采用双电压晶体管和双栅氧化物工艺﹐因而只使用低压晶体管﹔所以降低了芯片成本。然而该器件仍能承受高电压。在双栅氧化物实现过程中﹐芯片的一部分留给...
• 所属专栏： 技术交流 标签： Cypress,异步SRAM,SRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-11-13 16:28:00

• ISSI汽车异步SRAM
• ISSI自1999年以来，就一直为汽车市场提供支持。并在2001年ISSI成立了汽车业务部门，开始扩大对市场的支持。该业务部门的目的是在ISSI中提供跨职能部门的支持，以从产品规划阶段到新产品生产阶段不断增强汽车基础设施。通过SRAM芯片，DRAM和Flash产品系列来实现这一目标。从开始到生产，汽车市场的设计周期可能为3-4年。然后生产将再运行5-6年。后期支持的需求已经存在了数年。ISSI致力于为客户提供汽车生产计划阶段所需的长期支持。ISSI与客户合作以支持三种不同等级的汽车异步SRAM产品。它们是-40C至+85C，-40C至+105C和-40C至+125C。ISSI设计的产品可以在...
• 所属专栏： 新品推荐活动 标签： ISSI,汽车异步SRAM,SRAM,异步SRAM,ISSI代理商 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-08-20 17:12:00

• 高可靠性的cypress异步SRAM
• Cypress半导体公司生产高性能SRAM产品，用于数据传输、远程通讯、PC和军用系统。异步快速存储器芯片简称为：AsyncSRAM，速度一般在8/10/15ns,电压范围在1.65V~5V，可以满足大部分应用的电压设计。Cypress代理宇芯电子本篇文章将介绍具有高可靠性的cypress异步SRAM产品。凭借可满足各种高可靠性工业，通信，数据处理，医疗，消费和军事应用的性能，快速和微功耗，SRAM器件可提供片上ECC。这些器件具有与上一代异步SRAM兼容的外形匹配功能。这使您无需投资PCB重新设计就可以提高系统可靠性。具有ECC框图的快速SRAM高可靠性：软错误率<0.1FIT/Mb...
• 所属专栏： 技术交流 标签： cypress,异步SRAM,SRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-08-19 14:16:00

• 为应用选择合适的同步高速SRAM
• 正确的同步静态随机存取存储器（SRAM）的选择对于带宽要求更高，系统性能更好的网络应用至关重要。系统设计人员需要了解不同同步SRAM技术的特性和优势，以便为其应用选择正确的存储器。决定正确的同步SRAM选择的一些关键因素是密度，等待时间，速度，读/写比和功率。通过了解这些因素如何影响性能，可靠性和成本，设计人员可以为其应用选择最佳的同步SRAM。宇芯电子专注代理销售SRAM，异步SRAM，同步SRAM,PSRAM等存储芯片，提供技术支持及解决方案。同步高速SRAM有多种形式，具有不同的性能特征和优势。标准同步SRAM通常用于工业电子，仪器仪表和军事应用。这些设备通常用作数据缓冲区（临时存储）...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 同步高速SRAM,SRAM,同步SRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-08-03 14:48:00

• IS61WV10248EDBLL高速异步SRAM
• 美国ISSI存储器公司的主要产品是高速低功耗SRAM芯片和中低密度DRAM芯片。该公司还设计和销售NOR闪存存储器产品以及高性能模拟和混合信号集成电路。近年来对复杂半导体存储器的需求已从个人计算机市场扩展到了汽车，通信和数字消费以及工业和医疗市场。这些存储产品需要增加内存内容，以帮助处理大量数据。ISSI代理商宇芯电子为广大用户提供解决方案及技术方面支持。接下来介绍一款ISSI具有ECC的1Mx8高速异步SRAM的一些特征方面知识.ISSIIS61/64WV10248EDBLL是非常高速，低功耗的1M字乘8位高速异步SRAM。IS61/64WV10248EDBLL采用ISSI的高性能CMOS...
• 所属专栏： 新品推荐活动 标签： IS61WV10248EDBLL,异步SRAM,SRAM,ISSI代理商 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-07-08 16:08:00

• 按用途分类的SRAM
• 嵌入式静态随机存取存储器（SRAM）是现代SoC中的重要组成部分；伴随着工艺前进的脚步，对于SRAM的研究也从未终止过。其中双端口SRAM可以为系统提供更高的通信效率和并行性，随着系统吞吐率的提升应用也越来越广泛。从用途来看SRAM可以分为独立式SRAM和嵌入式SRAM（e-SRAM），其中独立式SRAM主要应用在板级电路中，而集成到芯片中的则称为嵌入式SRAM；上述中的Cache便属于嵌入式SRAM。从读写端口的个数看，SRAM主要可分为单端口SRAM、两端口SRAM（2P-SRAM）和双端口SRAM等，后两者是基于稳定性和带宽的要求发展起来的。另外从输入信号有无时钟来看，SRAM可分为同...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 嵌入式SRAM,SRAM,异步SRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-07-07 14:05:00

• 双端口SRAM如何提高系统的整体性能
• SRAM以其高速、静态的优点广泛应用于各种数字设备中，多被用作不同部件之间的缓冲，尤其在计算机体系架构中扮演着重要的角色，即嵌入到CPU内部的高速缓存（Cache）。计算机的处理速度在高速增长，为了提供足够的数据缓存能力，随着集成电路制造工艺的发展，嵌入式SRAM的存储单元的面积也在以约0.5倍每代的速度减小，在45nm工艺节点嵌入式SRAM的密度已可以达到150Mb/cm2。双端口SRAM（Dual-PortSRAM,DP-SRAM）凭借其两个端口可以同时进行读写的能力在SRAM领域占有重要的一席之地，尤其在多核、实时信号处理系统中有着广泛的应用。由于功耗的限制，片上系统（Systemon...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 双端口SRAM,SRAM,单端口SRAM,嵌入式SRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-07-06 16:31:00

• 带有ECC的256Kx16高速异步SRAM
• ISSIIS61WV25616EDALL是高速，低功耗4M位SRAM，组织为256K字乘16位。它使用ISSI的高性能CMOS技术制造，并实现了ECC功能以提高可靠性。当CS＃为高电平（取消选择）时，器件将进入待机模式，在该模式下，可以通过CMOS输入电平降低功耗。使用芯片使能和输出使能输入可轻松扩展存储器。激活的LOWWriteEnable（WE＃）控制存储器的写入和读取。数据字节允许访问高字节（UB＃）和低字节（LB＃）。IS61WV25616EDALL封装在JEDEC标准的48引脚微型BGA（6mmx8mm）和44引脚TSOP（TYPEII）中。主要特点–高速访问时间：20ns–单电源...
• 所属专栏： 新品推荐活动 标签： 高速异步SRAM,异步SRAM,SRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-05-18 17:52:00

• 高性能异步SRAM技术角度
• 当前有两个不同系列的异步SRAM：快速SRAM(支持高速存取)和低功耗SRAM(低功耗)。从技术角度看来，这种权衡是合理的。在低功耗SRAM中，通过采用特殊栅诱导漏极泄漏(GIDL)控制技术控制待机电流来控制待机功耗。这些技术需要在上拉或下拉路径中添加额外的晶体管，因此会加剧存取延迟，而且在此过程中会延长存取时间。在快速SRAM中，存取时间占首要地位，因此不能使用这些技术。此外要减少传播延迟，需要增大芯片尺寸。芯片尺寸增大会增大漏电流，从而增加整体待机功耗。微控制器很久以前就有了深度睡眠工作模式。这种工作模式有助于为大部分时间都处于待机状态下的应用省电。该控制器可在正常工作中全速运行，但事后...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 异步SRAM,SRAM,SRAM技术 发帖人：英尚微电子 发帖时间：2020-02-28 15:44:00