• 带有ECC的异步SRAM存储器适用于各种应用
• 赛普拉斯凭借可服务于各种高可靠性工业，通信，数据处理，医疗，消费和军事应用的性能，快速SRAM器件可提供片上ECC。这些器件具有与老一代异步SRAM兼容的外形匹配功能。这使您无需投资PCB重新设计即可提高系统可靠性。高可靠性：软错误率<0.1FIT/MbitERR引脚指示单位错误密度选项：4Mbit，8Mbit，16Mbit快速访问时间：10ns（FAST）超低待机电流：8.7μA（4MbitMoBL®）总线宽度配置：x8，x16和x32宽工作电压范围：1.8-5.0V工业和汽车温度等级带有ECC的异步SRAM适用于各种要求最高可靠性和性能标准的工业，医疗，商业，汽车和军事应用。快速S...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 异步SRAM,SRAM存储器,快速SRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2021-01-14 14:22:00

• 提升SRAM性能的传统方法
• 随着诸如医疗电子和无线传感节点等应用的兴起,低功耗芯片受到了越来越广泛的关注.这类芯片对性能和功耗要求苛刻.静态随机存储器(SRAM)作为芯片的重要组成部分,大程度上影响着芯片的面积和功耗,因此其功耗的优化成了芯片功耗优化的关键所在.本篇文章由专注于销售代理SRAM、MRAM、PSRAM等存储芯片供应商宇芯电子介绍如何利用传统方法提升SRAM性能。SRAM单元的数据保持功能是通过背靠背的反相器实现的,因此为了使单元能最稳定地保持数据,每个反相器都要工作在最优的噪声容限下.使单个反相器获得最优噪声容限的传统做法是,先把NMOS和PMOS的沟道长度固定为最小沟道长度，再调整NMOS和PMOS的宽...
• 所属专栏： 技术交流 标签： SRAM,存储器,SRAM存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-11-25 16:48:00

• Cypress存取时间为10纳秒的异步SRAM
• Cypress16兆字节快速异步SRAM﹐其存取时间小于10ns。异步SRAM内含l亿多个晶体管﹐采用6个晶体管存储单元﹐是该公司4兆字节快速异步SRAM的后续产品.Cypress负责这种新SRAM设计流程中﹐从概念设计到交付生产的每一个阶段。第一块硅片已初步定型﹐最初结果显示存取时间将远低于10ns.该设计是用0.16微米CMOS工艺实现的﹐芯片的面积超过120000平方密耳。尽管该公司早先的异步SRAM设计是使用高电压晶体管实现的﹐但是新的SRAM采用双电压晶体管和双栅氧化物工艺﹐因而只使用低压晶体管﹔所以降低了芯片成本。然而该器件仍能承受高电压。在双栅氧化物实现过程中﹐芯片的一部分留给...
• 所属专栏： 技术交流 标签： Cypress,异步SRAM,SRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-11-13 16:28:00

• 高可靠性的cypress异步SRAM
• Cypress半导体公司生产高性能SRAM产品，用于数据传输、远程通讯、PC和军用系统。异步快速存储器芯片简称为：AsyncSRAM，速度一般在8/10/15ns,电压范围在1.65V~5V，可以满足大部分应用的电压设计。Cypress代理宇芯电子本篇文章将介绍具有高可靠性的cypress异步SRAM产品。凭借可满足各种高可靠性工业，通信，数据处理，医疗，消费和军事应用的性能，快速和微功耗，SRAM器件可提供片上ECC。这些器件具有与上一代异步SRAM兼容的外形匹配功能。这使您无需投资PCB重新设计就可以提高系统可靠性。具有ECC框图的快速SRAM高可靠性：软错误率<0.1FIT/Mb...
• 所属专栏： 技术交流 标签： cypress,异步SRAM,SRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-08-19 14:16:00

• 网络通信与便携式应用驱动SRAM技术发展
• 数据通信和便携式系统成为当今SRAM的重要应用领域。某些SRAM由于能够提供实现较高带宽所需的性能(比如在网络系统中)或维持较长电池使用寿命所需的低功耗(比如在便携式设备中)而在许多应用中起着主导作用。这些架构指的是面向高性能应用的NoBL(无总线延迟)和QDR(四倍数据速率)以及针对低性能应用的MoBL(更长的电池使用寿命)。多年来工艺几何尺寸的不断压缩使得兼顾速度、功耗和密度的新型架构的推出成为可能。以CYPRESS为例。不断缩小的工艺几何尺寸使得各家公司能够在存储器技术上确立诸多优势，如实现更快的速度、更低的功耗、更高的存储密度和更有竞争力的制造成本。CYPRESS赛普拉斯代理商宇芯电...
• 所属专栏： 技术交流 标签： SRAM,同步快速SRAM,CYPRESS 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-08-07 14:14:00

• SRAM存储器芯片地址引脚线短路检测方法
• SRAM是控制器电路中重要的元器件，控制器硬件出厂时，要对所有元器件进行检测。对SRAM某个地址读写，可以判断SRAM芯片是否损坏，以及数据线是否虚焊。为解决现有技术中不能对SRAM芯片地址引脚线短路故障进行快速精确检测定位的问题；提供一种SRAM芯片地址引脚线短路检测方法，包括以下步骤：一、根据芯片地址引脚的排列特性，列出地址引脚间可能短路的待检引脚组；二、获得sram芯片的起始地址，并确定所有与待检引脚组相对应的相关地址；三、依次向所有相关地址中写入与起始地址中数据不同的校验数据，比较校验数据写入前后起始地址中的数据，若起始地址中的数据发生变化则与该对应相关地址的待检引脚组中引脚间具有短...
• 所属专栏： 技术交流 标签： SRAM存储器芯片,SRAM存储器,SRAM,SRAM检测 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-06-16 14:03:00

• SRAM数据存储原理
• 静态RAM的基本构造块是SRAM存储单元。通过升高字线的电平触发存储单元，再通过位线对所触发的存储单元进行读出或写入。在静态CMOS存储器中，存储单元阵列将会占去整个存储器芯片面积的一半以上，在一些大容量的SRAM中，这个比例还要更大一些。因而减小存储单元的面积变得尤为重要。一方面我们希望单元面积越小越好；而另一方面随着存储单元面积的减小，单元的稳定性又会逐渐变差。那么所谓的存储器它是靠什么原理来存储数据的呢？宇芯电子来解答。图1（a）存储单元偏置在转折电压图1（b）存储单元工作在稳态我们可以在同一坐标系中做出两个反相器的电压传输特性曲线，如图1所示。两条曲线共有三个交点：A、B与C，其中A...
• 所属专栏： 技术交流 标签： SRAM,SRAM数据存储,SRAM存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-06-05 15:24:00

• 带有ECC的256Kx16高速异步SRAM
• ISSIIS61WV25616EDALL是高速，低功耗4M位SRAM，组织为256K字乘16位。它使用ISSI的高性能CMOS技术制造，并实现了ECC功能以提高可靠性。当CS＃为高电平（取消选择）时，器件将进入待机模式，在该模式下，可以通过CMOS输入电平降低功耗。使用芯片使能和输出使能输入可轻松扩展存储器。激活的LOWWriteEnable（WE＃）控制存储器的写入和读取。数据字节允许访问高字节（UB＃）和低字节（LB＃）。IS61WV25616EDALL封装在JEDEC标准的48引脚微型BGA（6mmx8mm）和44引脚TSOP（TYPEII）中。主要特点–高速访问时间：20ns–单电源...
• 所属专栏： 新品推荐活动 标签： 高速异步SRAM,异步SRAM,SRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-05-18 17:52:00

• 关于如何提高SRAM存储器的新方法
• SRAM是当今处理器上最普遍的内存。当芯片制造商宣布他们已经成功地将更多的电路封装到芯片上时，通常是较小的晶体管引起了人们的注意。但是连接晶体管形成电路的互连也必须收缩。IMEC的研究人员提出了一个方案，可以使SRAM保持良好的性能，并最终能够将更多的晶体管封装到集成电路中。而且还能降低导线电阻和延迟，提高SRAM的执行速度。SRAM由6个晶体管组成，控制读写的两条连线被称为位线和字线，是两条较长的连线。长而窄的连线电阻更大，延时更长。字线和位线的电阻对SRAM运行速度的提高和工作电压的降低构成了限制。按照传统方法来实现集成电路需要先在在硅衬底上构建晶体管，然后再在硅衬底上添加互连层，将晶体...
• 所属专栏： 技术交流 标签： SRAM存储器,SRAM,SRAM单元 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-05-11 15:49:00

• 高性能异步SRAM技术角度
• 当前有两个不同系列的异步SRAM：快速SRAM(支持高速存取)和低功耗SRAM(低功耗)。从技术角度看来，这种权衡是合理的。在低功耗SRAM中，通过采用特殊栅诱导漏极泄漏(GIDL)控制技术控制待机电流来控制待机功耗。这些技术需要在上拉或下拉路径中添加额外的晶体管，因此会加剧存取延迟，而且在此过程中会延长存取时间。在快速SRAM中，存取时间占首要地位，因此不能使用这些技术。此外要减少传播延迟，需要增大芯片尺寸。芯片尺寸增大会增大漏电流，从而增加整体待机功耗。微控制器很久以前就有了深度睡眠工作模式。这种工作模式有助于为大部分时间都处于待机状态下的应用省电。该控制器可在正常工作中全速运行，但事后...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 异步SRAM,SRAM,SRAM技术 发帖人：英尚微电子 发帖时间：2020-02-28 15:44:00