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- 磁阻式随机存储器MRAM基本原理
- MRAM与传统的随机存储器的区别在于MRAM的信息携带者是磁性隧道结(MTJ),而后者则是电荷。每一个磁性隧道结包含一个固定层和一个自由层。固定层的磁化方向被固定了,而自由层的磁化方向可以由旋转力矩改变。当两层的磁化方向一致时,磁性隧道结的电阻最低,其状态为“0”;反之,则磁性隧道结的电阻最高,其状态为“1”最常用的MRAM单元的结构是由一个NMOS晶体管和一个MTJ(作为记忆元件)组成。MTJ与NMOS顺序连接。NMOS晶体管由字线信号控制,读取数据时,NMOS开启,位线和源线间加一小的电压差,使电流流过MTJ,其大小由MTJ的状态决定。读出放大器将该电流与参考电流比较,判断MRAM单元里...
- 所属专栏: 技术交流 标签: 磁阻式随机存储器,MRAM,MRAM基本原理 发帖人:是酒窝啊 发帖时间:2020-11-09 16:28:00
- 非易失性MRAM存储器应用于各级高速缓存
- 磁阻式随机存储器MRAM是一种新型存储器,其优点有读取速度快和集成度高及非挥发性等。目前许多研究主要是致力于将MRAM运用于计算机存储系统中。同时非易失性MRAM存储器也应用于各级高速缓存。MRAM替代SRAM做L2高速缓存首先比较具有同样面积的MRAM和SRAM。直接用相同面积的MRAM替换SRAM作L2高速缓存能降低错误率。但是写入延时较长。当写入操作强度高时,错误率降低的优势会被长延时所抵消导致性能下降。虽然这种直接替代能大大降低漏功耗,但当写入密集时,动态功耗显著增加,使减少能耗的效果变差。若直接用相同面积的MRAM替代sram,在写入操作较密集时,其写入长延时和高能耗等缺点会抵消其...
- 所属专栏: 技术交流 标签: 非易失性MRAM,MRAM存储器,MRAM 发帖人:是酒窝啊 发帖时间:2020-11-05 17:29:00
- 磁存储芯片STT-MRAM的特点
- 随着半导体工艺技术的不断进步,芯片工艺制程的不断演进和成本的不断降低,半导体芯片广泛应用在物联网、个人终端、汽车电子、可穿戴设备、工业互联网等各个领域。随着芯片工艺的逐步升级,性能问题已不在是芯片设计环节的主要瓶颈,如在很多手持设备领域,低功耗设计成为了芯片设计中的关键核心问题。通过引入一种基于磁存储芯片作为内部存储器件的芯片架构,同时也用作芯片内部的高速缓存,能够有效降低芯片漏电流,有效地提升了设备使用时间,降低了整体的TCO成本,大大提升了产品竞争力。在众多新型非易失性存储介质中,磁存储芯片(STT-MRAM)能够与CMOS半导体工艺良好兼容,利用较少的金属层即可以做到存储单元的高密度集...
- 所属专栏: 技术交流 标签: STT-MRAM,磁存储芯片,MRAM 发帖人:是酒窝啊 发帖时间:2020-11-04 14:17:00
- 铁电随机存储器FRAM和磁性随机存储器MRAM
- 新型的存储器既具有RAM的优点,又有非失易失性特征,同时克服了非易失性写入速度慢且写入次数有限等缺点。铁电随机存储器(FRAM)FRAM的核心技术是铁电晶体材料。这一特殊材料使得铁电存储产品同时拥有随机存取存储器(RAM)和非易失性存储产品的特性。当一个电场被加到铁电晶体时,中心原子顺着电场的方向在晶体里移动。当原子移动时,它通过一个能量壁垒,从而引起电荷击穿。内部电路感应到电荷击穿并设置存储器。移去电场后,中心原子保持不动,存储器的状态也得以保存FRAM存储器不需要定时刷新,掉电后数据立即保存,它速度很快,且不容易写坏。FRAM存储器技术和标准的CMOS制造工艺相兼容。铁电薄膜被放宇CMO...
- 所属专栏: 技术交流 标签: MRAM,非易失性存储器,铁电随机存储器,磁性随机存储器 发帖人:是酒窝啊 发帖时间:2020-10-29 14:24:00
- 通用选择器将大大提高MRAM存储技术能力
- 一种称为UniversalSelector的新创新技术,它将显着提高现有和新兴存储技术(包括MRAM,DRAM和ReRAM)的功能,因为它将提供一种新颖的方式设计垂直单元晶体管,以实现更高水平的性能和可靠性和密度。自旋存储器的通用选择器是一种选择性的垂直外延单元晶体管,其沟道的掺杂浓度足够低,可以完全耗尽。对于MRAM存储器,通用选择器使制造商能够创建6F2–10F2(6F2–10F2)的1T1R存储位单元,从而使制造商可以在同一面积内嵌入多达五倍的存储器,而所需的晶片处理成本却最低。MRAM存储器可以抵抗高辐射,也可以在极端温度条件下运行,并且可以防篡改。这使得MRAM存储器适用于汽车和工...
- 所属专栏: 技术交流 标签: MRAM,MRAM存储器,非易失性存储器 发帖人:是酒窝啊 发帖时间:2020-10-10 16:27:00
- MRAM独特功能替换现有内存
- 在所有常年兴起的记忆中,MRAM似乎最有可能濒临大规模,广泛采用。这是否会很快发生取决于制造的进步和支持分立和嵌入式MRAM器件技术的生态系统。MRAM以及PCRAM和ReRAM已经达到了一个临界点,在更多应用中它比以往任何时候都有意义。然而,从工艺和材料角度来看,它的确面临着一系列制造挑战,因为它使用的材料和工艺与传统CMOS制造不同。目前MRAM是在单独的工厂中作为[线的后端](BEOL)工艺制造的。需要传统的CMOS制造中不使用的新设备,例如离子束蚀刻和新的溅射靶。为了降低嵌入式MRAM产品的成本,制造需要进入CMOS晶圆厂,并成为常规设备制造的一部分。除了将MRAM进一步整合到制造链...
- 所属专栏: 技术交流 标签: MRAM,Everspin MRAM,SRAM,内存,存储器 发帖人:是酒窝啊 发帖时间:2020-07-30 15:40:00
- MRAM的优势与劣势
- MRAM是一种使用电子自旋来存储信息的存储技术(MRAM设备是Spintronics设备)。MRAM具有成为通用存储器的潜力-能够将存储存储器的密度与SRAM的速度结合在一起,同时始终保持非易失性和高能效。下面由宇芯电子介绍MRAM有哪些的优劣势.MRAM优势分析MRAM的核心面积只有SRAM的1/2-1/4,也就是说同面积下缓存容量是sram的2-4倍,可以大大降低成本。CPU的性能要想进一步提高,缓存容量也必须跟着提高才能容纳更多的数据和指令,而缓存占用的核心面积往往比核心更大(看看IntelCore处理器的架构图就知道了,NVIDIA也曾攻击Intel说他们的芯片其实在卖没技术含量的缓...
- 所属专栏: 技术交流 标签: MRAM,MRAM优势,MRAM劣势,MRAM存储器 发帖人:是酒窝啊 发帖时间:2020-04-07 16:14:00
- everspin非易失性存储器MR4A16B
- Everspin科技公司表示:“Everspin将持续快速扩展MRAM产品组合,以协助更多客户实现产品差异化的目标。根据产品的发展蓝图,我们将不断提高MRAM产品的容量,并以极具成本效益的方式保持MRAM的独有特性。磁性随机存储器(MRAM)和集成磁(IntegratedMagnetic)产品的领导厂商everspin科技公司16MbMRAM,进一步强化了该公司在MRAM领域的领导地位。现在所有需要无电数据保持以及SRAM性能的应用都可使用具有非挥发性、高性能、以及高可靠性优势的MRAM技术。MR4A16B是一款3.3V、并行I/O非挥发RAM,其超快的存取周期仅为35ns,并允许无限制的读...
- 所属专栏: 技术交流 标签: Everspin,mram芯片,磁性随机存储器 发帖人:英尚微电子 发帖时间:2020-01-17 17:33:00
- 基于90nmCMOS技术的功能齐全的64MbDDR3STT-MRAM
- 自旋转矩磁阻随机存取存储器(ST-MRAM)有望成为一种快速,高密度的非易失性存储器,可以增强各种应用程序的性能,特别是在用作数据存储中的非易失性缓冲器时设备和系统。为此,everspin开发了基于90nmCMOS技术的全功能64MbDDR3STT-MRAM。存储器以8个存储区的配置进行组织,可支持1.6GigaTransfers/s(DDR3-1600)。已经在800MHz的全64Mb上运行了标准的内存测试,例如March6N模式,其中0失败超过105个周期。还验证了从0°C到70°C的完整功能,性能没有明显变化。这些位是具有MgO隧道势垒的磁性隧道结(MTJ)和由CoFeB基合金制成的具...
- 所属专栏: 新品推荐活动 标签: 自旋转矩磁阻随机存取存储器,everspin 发帖人:英尚微电子 发帖时间:2020-01-07 16:28:00
- 汽车工业中的everspin随机存取存储器MRAM
- 汽车动力总成模块使用闪存技术在断电(保持活动内存(KAM)和非易失性内存(NVM))期间保留重要的控制和诊断信息。复杂的软件必须设计为最大化这些设备的生命周期,因为它们的写入周期数量有限。MRAM(磁阻式随机存取存储器)具有消除这种复杂性的潜力,并使KAM和NVM的管理过程更轻松,更强大。板载MRAM器件与下一代动力总成微处理器一起使用。创建了集成了最新动力总成微控制器,everspinMRAMMRA16A(2个x16位)和MR2xH50(@SCK40MHz)芯片的原型板。汽车工业正在引入新的非易失性存储器,例如mram芯片,相控存储器(PCRAM)和RRAM。这些新的存储器在汽车改变状态条...
- 所属专栏: 技术交流 标签: everspin,随机存取存储器MRAM,汽车专用SRAM 发帖人:英尚微电子 发帖时间:2019-12-27 17:17:00
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