• ​FRAM技术简介
• 成熟的半导体存储技术分为两类：1.RAM是随机存取存储器，具有对称的读写访问时间。2.非易失性存储器，传统上一直是ROM（只读存储器），直到浮栅技术出现。浮栅技术产生了电可擦除存储器，例如闪存和EEPROM。这些产品允许进行系统内编程，但读写访问时间不同。实际上，写访问时间可能比读访问时间大几个数量级。铁电随机存取存储器或FRAM是真正的非易失性RAM，因为它结合了RAM和非易失性存储器的优点。相对于闪存/EEPROM的写入优势和非易失性使其非常适合在没有电源的情况下存储数据。铁电性能铁电特性是一类现象锆钛酸铅（PZT）等材料。PZT具有钙钛矿晶体结构，如图1所示。中心的阳离子具有两个相等且...
• 所属专栏： 技术交流 标签： ​FRAM,非易失性RAM,非易失性存储器,铁电RAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-12-24 14:26:00

• 传统存储器和新兴存储器应用
• 旧版存储不再是使用寿命短的低端设备，因为主要供应商都将精力集中在最新和最重要的产品上。随着越来越多的智能设备和融合了AI的边缘计算以及呈指数增长的物联网，“持久”可能是这些根深蒂固的记忆的更好标签。过去的DRAM不再用于较小的系统，因为它们需要DRAM控制器。SRAM进入了内存需求小的系统。DRAM进入更大的存储器，并伴随着用于更大存储器的控制器。传统存储器供应商提供可预测的价格和长期客户支持很重要，因为新设计仍然使用较旧的存储器。例如早期的DDR，SRAM和NOR闪存已用于医疗，工业和智能家居应用中。对于非智能手机和平板电脑设计（例如医疗设备和工业平台），对DDR3内存的需求正在增长。在S...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 传统存储器,新兴存储器,SRAM,FRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-11-23 16:42:00

• 新兴存储器铁电RAM嵌入式应用
• 存储器IC市场一直是动态的，但是随着边缘计算，人工智能（AI），5G和自动驾驶的兴起，对存储器技术的需求正在不断扩大和发展。由于持续的大流行，使工作和商业领域发生了巨大变化，而存储器行业比以往任何时候都面临着更多的挑战，无法一次解决。着眼于多样化内存技术的发展以及推动其发展的因素。内存技术的进步反映了数据的爆炸性增长，并且越来越需要将处理移向数据。内存和存储技术处于并行轨道，更多的工作负载在内存中处理。新兴存储器是铁电RAM（FRAM），它使用铁电代替介电层来实现非易失性。虽然制造步骤类似于DRAM，但FRAM功能更像闪存。FRAM存储器可以说是最成功的新兴存储器，因为它已在嵌入式应用程序中...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 铁电RAM,新兴存储器,MRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-11-20 14:03:00

• 集成铁电存储器MCU为物联网应用提供出色性能
• 集成铁电存储器的MCU，由于在MCU上集成了铁电存储器，该产品数据写入速度比基于闪存和EEPROM的MCU快100倍,功耗降低250倍。它还可在所有的电源模式中提供数据保存功能、支持超过100万亿次的写入次数、并为开发人员提供了一个全新的灵活度（允许其通过软件变更来完成数据内存与程序内存的分区)。铁电存储器相比SRAM、FLASH和EEPROM优点多多:非易失性，写入速度快，无限次写入,最关键是用一个铁电存储器可取代原MCU需配置的2~3个不同的存储器，统一的存储器架构使用户在成本和灵活性上获益。这种集成铁电存储器的MCU是TI特别为物联网,特别是传感器网应用而研发。传感器网部署多在室外或野...
• 所属专栏： 技术交流 标签： SRAM,MCU,铁电存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-11-11 16:48:00

• 铁电随机存储器FRAM和磁性随机存储器MRAM
• 新型的存储器既具有RAM的优点，又有非失易失性特征，同时克服了非易失性写入速度慢且写入次数有限等缺点。铁电随机存储器（FRAM)FRAM的核心技术是铁电晶体材料。这一特殊材料使得铁电存储产品同时拥有随机存取存储器(RAM)和非易失性存储产品的特性。当一个电场被加到铁电晶体时，中心原子顺着电场的方向在晶体里移动。当原子移动时，它通过一个能量壁垒，从而引起电荷击穿。内部电路感应到电荷击穿并设置存储器。移去电场后，中心原子保持不动，存储器的状态也得以保存FRAM存储器不需要定时刷新，掉电后数据立即保存，它速度很快，且不容易写坏。FRAM存储器技术和标准的CMOS制造工艺相兼容。铁电薄膜被放宇CMO...
• 所属专栏： 技术交流 标签： MRAM,非易失性存储器,铁电随机存储器,磁性随机存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-10-29 14:24:00

• 新兴记忆存储MRAM保持精度并降低功耗
• 尽管具有规模经济性，但其他类型的存储器仍具有AI应用程序的未来可能性。MRAM通过受外加电压控制的磁体的方向存储数据的每一位。如果电压低于翻转位所需的电压，则只有位翻转的可能性。这种随机性是不希望有的，因此可以用更高的电压驱动MRAM来防止这种情况。某些AI应用程序仍可以利用这种固有的随机性（可以将其视为随机选择或生成数据的过程）。实验已将其MRAM的随机性功能应用于Gyrfalcon的设备，该技术可将所有权重和激活的精度降低到1位。这用于大大减少远端应用程序的计算和功耗要求。可能需要进行精确的取舍，具体取决于重新培训网络的方式。尽管降低了精度，但仍可以使神经网络可靠地运行。二元神经网络的独...
• 所属专栏： 技术交流 标签： MRAM,SRAM,新兴记忆存储 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-10-09 14:41:00

• 实例说明写入FRAM的零时钟周期延迟的影响
• 写入FRAM的零时钟周期延迟一个典型的EEPROM需要5毫秒的写周期时间，以将其页面数据转移到非易失性EEPROM内。当需要写入几千字节的数据时，会导致写入时间较长。相比之下的FRAM不会使这种写操作变慢;所有写操作按总线速率进行，并非基于存储器延迟。下面两个实例和图1说明写延迟的影响。实例1:需要2毫秒将256字节的页面数据通过1MHz1C总线从控制器传输到EEPROM页面内。然后需要5毫秒将数据写入到EEPROM内。具有密度为1Mbit和页面大小为256个字节的1MHzCEEPROM需要28毫秒来备份1Kb数据（4x2ms+4x5ms）。然而使用FRAM时，只要8毫秒（4x2ms）便可以...
• 所属专栏： 技术交流 标签： FRAM,铁电存储器,EEPROM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-09-28 14:56:00

• 针对汽车市场的FRAM
• 这些年来，汽车产品对电子产品的依赖性日益增强。从前的机械系统转移到电子控制单元（ECU）。针对汽车产品安全和用户娱乐目的的新系统所面对的问题是高度复杂性和大量资源的要求。汽车电子子系统概述汽车电子子系统被划分为即独立又互相连接的子系统。每个子系统负责处理一项特定的任务，其范围和复杂程度可能不同，但是都从一个简单的射频控制接口到一个复杂的避免冲突的系统。然而这些子系统共享了一些基本的结构，例如微控制器单元（MCU）、CAN、OBD2和以太网形式的系统总线接口、输入传感器和输出控制逻辑。此外多个子系统需要及时和持续地存储数据，因此需要提高性能和耐久性设计，在这种情况下的CypressFRAM既为...
• 所属专栏： 技术交流 标签： FRAM,铁电存储器,Cypress 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-09-24 16:15:00

• 非易失性FRAM中的预充电操作
• 铁电存储器（FRAM）是一种随机存取存储器，是一种特殊工艺的非易失性的存储器，它将DRAM的快速读取和写入访问,它是个人电脑存储中最常用的类型，与在电源关掉后保留数据能力（就像其他稳定的存储设备一样，如只读存储器和闪存）结合起来。接下来宇芯电子介绍关于非易失性FRAM中的预充电操作。预充电是FRAM的内部条件，在该条件下，存储器被调适以进行新的访问。FRAM设备中的预充电操作在以下任何条件下启动：1.驱动芯片使能信号/CE至高电平2.更改高位地址位（例如，设备FM28V100的A16-A3）FRAM中的读取操作具有破坏性，因为它需要切换极化状态才能感知其状态。在初始读取之后，读取操作必须将极...
• 所属专栏： 技术交流 标签： FRAM,铁电RAM,非易失性存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-08-18 15:28:00

• FRAM的未来是更高的密度
• 最近出现的许多内存问题都以3DXpoint的形式出现在ReRAM，MRAM和PCRAM上。但是铁电RAM（FRAM）在小型利基设备中得到了成功。去年对新兴内存年报，吹捧的ReRAM，MRAM和PCRAM的三个关键新兴的记忆保持在眼睛上。但它也指出，FRAM已在诸如大众运输卡，游戏系统和功率计之类的特定市场证明了自己，其主要吸引力在于执行写入操作时的低功耗。FRAM产品已经存在很长时间了，主要是作为缓冲应用程序的专用缓存。甚至还有一些灵活的FRAM器件，“但对于利基应用，它们的密度相对较低。实际上，FRAM已经存在了35年。它的非易失性和低功耗是它继续受到关注的原因，因为它对许多应用程序都至关...
• 所属专栏： 技术交流 标签： FRAM,铁电RAM,铁电存储器,非易失性存储器,高密度FRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-07-24 15:26:00